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一、概况从前,敷单层透光膜是光学另件减少反射损失的唯一有效办法。理论分析可知,当薄膜光学厚度等于1/4个波长而薄膜材料折射率小于玻璃折射率时,则薄膜与玻璃之间的分界面上的反射光线和薄膜上表面的反射光线之间正好相差180°位相而发生干涉。若能使薄膜物质的折射率和薄膜二边物质折射率之间,存在如下关系,即 N_2~2=N_1·N_3,则这二个反射光波的振幅相等,干涉时就会互相 相似文献
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提出使用数字CCD拍摄光干涉条纹,使用图像处理软件进行灰度值扫描分析光干涉条纹的方法,对不透明薄膜进行光干涉法测厚.数字CCD和图像处理软件的结合使用能够最大限度的降低目测带来的误差,并且也避免了使用复杂的干涉条纹提取算法,可以方便、准确地对不透明薄膜进行光干涉法测厚.同时我们使用光干涉法和轮廓仪法对不同高度遮挡物形成的台阶进行了对比测量,分析了不同台阶边缘斜坡对于光干涉法测量结果的影响,指出在制备台阶时遮挡物的高度必须满足一定的条件,并且根据这个条件推导出在我们的磁控溅射设备中,遮挡物高度小于50 μm可以得到满足光干涉法测厚条件的台阶. 相似文献
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薄膜厚度的测量,是真空镀膜技术中的一项重要内容。根据Fizeau条纹原理,做成了一种简易透射式多光束等厚干涉测定薄膜厚度的装置。它可以测量微米级的薄膜厚度,检查光学平面的质量,测量细丝的直径和光的折射率等,精度在2%左右。一、实验原理由光的干涉原理可知,任意两个相邻的明条纹或暗条纹之间的距离l由下式决定 相似文献
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研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力,通过改变薄膜沉积时的工艺参数,考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上,对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。 相似文献
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氮化硅介质薄膜内应力的实验研究 总被引:8,自引:0,他引:8
研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力,通过改变薄膜沉积时的工艺参数,考察了反应气体流量化、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上,对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。 相似文献
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《纳米技术与精密工程》2017,(5)
针对在复杂测量环境下实现薄膜类样品的高精度测量需求,基于白光干涉光谱测量理论,搭建了Linnik型白光显微干涉光谱测量系统,该系统具有较长的工作距离.系统采用5步相移算法实现相位信息的精确提取,通过对绝对距离以及标准薄膜样品的测试,验证了方法的可行性,并在此基础上利用系统实现了对微结构表面形貌和不同材料薄膜厚度的纳米级精度测量. 相似文献
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光干涉技术是润滑薄膜厚度测量最有效的方法之一。双色光干涉法在保证较大膜厚测量范围及高测量分辨力的同时,避免了繁琐的干涉级次人工计数。传统的双色光干涉测量依赖于严格的静态标定和观测者。本文提出使用双色光干涉强度调制技术对微纳米润滑薄膜进行测量。通过干涉图像中红、绿分量强度值的线性叠加得到调制信号,根据信号特性分析得到特征位置膜厚,进而由干涉强度得到任一点膜厚。为验证所提出测量方法的正确,对静态球-盘赫兹接触表面间隙进行了测量,与经典理论有很好的一致性。结果表明:选用合适的红绿双色光波长,测量量程可达2μm。 相似文献
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左榘 《高分子材料科学与工程》1985,(1)
在偏光显微镜上利用平行入射光,于起、检偏镜正交下,由马尔他(Maltese)黑十字图形检测高分子球晶的方法已为人们所熟悉,但在偏光显微镜上利用锥形入射光,于起、检偏镜正交下(简称锥光法)检测高分子薄膜取向态结构的方法尚未见报导。 本文用锥光法对几种高分子薄膜取向态结构进行对比研究。首先由取向态已知的薄膜获得典型锥光干涉图,并以此作为由锥光干涉图解释薄膜取向态结构的基础,然后在此基础上,检测取向态未知的薄膜,得到对结构的相应解释,这些解释与其它方法对该薄膜取向态结构的判断结果一致,与其它方法相比,本方法具有无需特殊设备、 相似文献