高温熔剂法制备硼酸铝晶须的研究

研究了高温熔剂法制行９Ａｌ２Ｏ３．２Ｂ２Ｏ３的方法，通过正交试验，利用方差和极并分析法对生长硼酸铝晶须的反应条件进行了优化，找出了生长硼酸铝晶须的最佳工艺条件。结果表明，在高温熔剂法制备肥的过程中，反应温度，氧化硼和氧化铝的摩尔配比及恒温时间为主要因素，并在最佳工艺条件下制得晶须的长经比５０～１００。     

硼酸铝晶须增强ZL109Al复合材料的界面反应性

采用挤压铸造法制取了硼酸铝晶须增强ＺＬ１０９复合材料。利用高温ＤＳＣ,ＸＲＤ和ＳＥＭ对复合材料界面反应进行了分析。研究表明,９ＡＩ２Ｏ３２Ｂ２Ｏ３Ｗ／ＺＬ１０９复合材料界面反应的发生取决于合金元素和复合材料经历的温度,Ｍｇ是影响界面反应的一个主要因素,其与硼酸铝晶须相互作用生成界面产物ＭｇＡｌＯ２,ＡＩ能够与晶须发生反应,Ｏ对界面反应起促进作用,而Ｃｕ,Ｎｉ则不参与界面反应,制约界面反应的另一主要     

硼酸铝晶须氮化特性研究

针对硼酸铝晶须增强铝基复合材料的界面反应问题,经热力学预测,首次提出对硼酸铝晶须进行氮化处理这一新工艺。采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了硼酸铝晶须的氮化特性。实验结果表明：硼酸铝晶须中已渗入氮元素;同时,硼酸铝晶须中硼元素向ＢＮ转变。硼酸铝晶须的氮化反应受扩散控制,为一热激活过程,其反应活化能为３０６．３４ｋＪ／ｍｏｌ。     

硼酸铝晶须/双马来酰亚胺树脂摩擦磨损性能

研究了不同偶联剂及硼酸铝晶须添加量对硼酸铝晶须/双马来酰亚胺复合材料的摩擦磨损性能的影响。结果发现,硼酸铝晶须能有效地提高复合材料的耐磨性,晶须的加入使材料的磨损率明显降低;偶联剂对材料摩擦磨损性能的影响不明显;体系中添加硼酸铝晶须后随摩擦时间的延长复合材料的摩擦系数呈增大趋势。当晶须含量较小时摩擦机制主要是轻微的粘着磨损和疲劳磨损,当晶须含量大于8%时,疲劳磨损占主导地位,同时伴有粘着磨损和磨粒磨损。      

硼酸铝晶须增强6061 铝复合材料的界面改性

采用溶胶凝胶C₂Al₂O₃ 涂层涂覆硼酸铝晶须方法来改善硼酸铝晶须增强6061Al 复合材料的界面性能。结果表明: 试验采用的涂覆工艺可以在硼酸铝晶须表面获得40 nm 厚的氧化铝涂层。硼酸铝晶须与铝合金基体在压铸过程中生成的几乎连续的脆性尖晶石产物使晶须连续性结构损伤严重。C₂Al₂O₃ 涂层虽然不能完全阻止界面反应的发生, 但是却有效地抑制了尖晶石界面反应, 保持了硼酸铝晶须的结构完整性。     

偶联剂对硼酸铝晶须/双马来酰亚胺性能的影响

应用自行合成的一类新型硼酸酯偶联剂及硅烷偶联剂等对硼酸铝晶须进行表面处理,考察了硼酸铝晶须对双马来酰亚胺树脂体系性能的影响.结果表明,硼酸酯处理后的晶须对材料的改性作用较硅烷更加显著;硼酸铝晶须添加到双马来酰亚胺树脂中后,材料的弯曲强度在晶须含量为5%时达到最大值,而后随晶须含量的增大稍有下降;随晶须添加量的增大材料的弯曲模量和耐热性逐渐提高;经硼酸酯处理的晶须与树脂基体具有更好的界面粘接.     

TiO2和ZrO2在B2O3—MgO—SiO2系晶化过程中的作用

采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），差热分析（ＤＴＡ），扫描电镜（ＳＥＭ）和红外光谱（ＩＲ）等手段研究了ＴｉＯ２和ＺｒＯ２对Ｂ２Ｏ３－ＭｇＯ－ＳｉＯ２渣中含硼组分晶化行为的影响，结果表明，ＴｉＯ２和ＺｒＯ２作为晶核剂加入后，促进分相，降低了晶化活化能，有利于含硼组分以２ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３和３ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３，析出，加入ＴｉＯ２改变了硼渣结构，产生更多有利于２ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３和３ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３析出的（Ｂ２Ｏ５     

Si及α－Al_2O_3超细粉对Al_2O_3－ZrO_2－C系材料显微结构的影

本文探讨了Ｓｉ及α－Ａｌ２Ｏ３超细粉对Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｃ系材料显微结构的影响．认为在Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｃ系材料中同时加入Ｓｉ和α－Ａｌ２Ｏ３超细粉，Ｓｉ粉除了与Ｃ生成了ＳｉＣ纤维外，其反应产物ＳｉＯ２还与α－Ａｌ２Ｏ３超细粉及ＺｒＯ２生成了莫来石（Ａ３Ｓ２）和Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－ＳｉＯ２（ＡＺＳ）固溶体，这些新生成的矿物相对试样的显微结构产生重要的作用．     

多孔陶瓷薄膜表面形貌研究

用原子力显微镜（ＡＦＭ）观察Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２及Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２复合陶瓷薄膜的表面形貌,Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析表明,Ａｌ２Ｏ３薄膜的上为γ－Ａｌ２Ｏ３;Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２薄由γ－Ａｌ２Ｏ３和非晶诚ＳｉＯ２组成;而Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２薄膜的相成分为Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ａｌ４Ｔｉ２ＳｉＯ１２和非晶态ＳｉＯ２,各相的含量随化学成分变化而变化,ＡＦＭ观察结果表明     

K_2O－B_2O_3－SiO_2玻璃成分对析晶性能的影响

本文利用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＳＥＭ等技术研究了三种Ｋ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２玻璃的析晶性能。结果表明，Ｋ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２玻璃的析晶由分相引起，分相和析晶能力受成分影响较大。随Ｂ２Ｏ３和Ｋ２Ｏ含量增多及Ｋ２Ｏ／Ｂ２Ｏ３比值的降低，析晶加强。析晶中主晶相类别尚未查清，次晶相确定为α－方石英。     

组成对R_2O-CaO-ZnO-Al_2O_3-SiO_2系统分相的影响

通过大量的配方实验和ＯＭ、ＴＥＭ观察,系统研究了Ｒ２Ｏ－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统分相与组成间的相互关系．研究结果表明,Ｋ２Ｏ比Ｎａ２Ｏ更有利于系统的分相,用Ｎａ２Ｏ等摩尔取代Ｋ２Ｏ时,分相区向低铝高硅区收缩．此外,系统分相区大小还明显受到ＺｎＯ、ＣａＯ相对含量的影响,高锌系统具有更为宽广的分相区．Ａｌ２Ｏ３对Ｒ２Ｏ－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统分相影响呈现出明显的反常现象．在ＺｎＯ含量为０．５５ｍｏｌ的系统中,当Ｒ２Ｏ由０．１０ｍｏｌＫ２Ｏ＋０．１０ｍｏｌ Ｎａ２Ｏ共同引入时,分相区大小和分相结构尺度都呈现出明显的铝反常现象,而Ｒ２Ｏ仅由 ０．２０ｍｏｌＫ２Ｏ引入时;仅分相结构尺度呈现出明显的铝反常现象,反常点的 Ａｌ２Ｏ３含量约为 ６．２０ｍｏｌ％．在一定的热处理条件下,适当增加 ＳｉＯ２的含量有利于系统分相,但当 ＳｉＯ２的含量过高时,分相将由连通结构逐渐转变为孤立相分布于连续基质相中的液滴状结构,甚至消失．     

MgO—B2O3—SiO2—Al2O3—CaO中含硼组分析晶动力学

根据玻璃形成动力学理论，计算了ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ渣系中含硼组分２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３的成核速度（Ｉ）和晶体长大速度（Ｕ），获得了２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成的最佳温度．采用化学分析、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和差热分析（ＤＴＡ）等方法研究了热处理温度对ＭｇＯ—Ｂ２Ｏ３—ＳｉＯ２—Ａｌ２Ｏ３—ＣａＯ渣系硼提取率的影响．结果表明：硼渣最佳热处理温度与２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成最佳温度一致。     

TiO2／SnO2超微粒及其复合LB膜的紫外—可见光吸收光谱的研究

用胶体化学方法制备ＴｉＯ２／ＳｎＯ２超微粒,ＴｉＯ２／ＳｎＯ２超微粒及其复合ＬＢ膜的紫外－可见光吸收光谱研究表明：ＴｉＯ２／ＳｎＯ２超微粒具有量子尺寸效应使吸收光谱发生“蓝移”;ＴｉＯ２／ＳｎＯ２超微粒／硬脂酸复合ＬＢ膜具有良好的抗紫外性能和光学透过性能。     

Si及α—Al2O3超细粉对Al2O3—ZrO2—C系材料显微结构的影响

本文探讨了Ｓｉ及α－Ａｌ２Ｏ３超细粉对Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｃ系材料显微结构的影响。认为在Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｃ系材料中同时加入Ｓｉ和α－Ａｌ２Ｏ３超细粉，Ｓｉ粉除了与Ｃ生成了ＳｉＣ纤维外，其反应产物ＳｉＯ２还与α－Ａｌ２Ｏ３超细粉及ＺｒＯ２生成了莫来石（Ａ３Ｓ２）和Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－ＳｉＯ２（ＡＺＳ）固溶体，这些新生成的矿物相对试样的显微结构产生重要的作用。     

Y_2O_3-SnO_2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ,Ｙ（ＮＯ３）３·６Ｈ２Ｏ为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜．采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２干凝胶粉末的热分解、晶化过程．研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２薄膜的电学和气敏性能．从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜电学及气敏性能的影响．实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜在常温下对ＮＯｘ具有较好的灵敏度和选择性,并具有较好的响应恢复性能;在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度．     

ZrO2-SiO2膜的制备和结构研究

以正硅酸乙酯和氧氯化锆为原料,用溶胶－数胶法制备了无支撑ＺｒＯ２－ＳｉＯ２膜。应用ＤＴＡ－ＴＧ、ＸＲＤ－ＳＥＭ和ＢＥＴ等测试技术对无支撑ＺｒＯ２－ＳｉＯ２膜结构、表面形貌和孔径进行了表征,结果ＺｒＯ２－ＳｉＯ２凝胶膜虽在４６７℃开始出现少量单斜ＺｒＯ２,但在５００℃和１２００℃热处理后的晶相均为四方ＺｒＯ２显然ＳｉＯ２的存在的ＺｒＯ２－ＳｉＯ２膜具有比ＺｒＯ２膜同的热稳定性,在９５０℃欧下发人头发     

SiO2在ZnO—Bi2O3—Sb2O3—BaO系压敏陶瓷中的作用

ＳｉＯ２添加剂对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ系和通常的ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３系压敏陶瓷电性能的作用和影响有很大不同。通过小电流区伏安特性，交变电压下复阻抗特性，以及对复电容平面图中半弧特性的分析可知，ＳｉＯ２对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ系压敏陶瓷中电性能影响是晶界组分及微结构变化造成的。     

粒径与掺杂对ZrO2纳米粉相结构的影响

用Ｘ射线衍射仪和透射电镜研究了粒径和Ｙ，Ｃｅ掺杂元素对ＺｒＯｗ纳米粉相结构的影响。结果表明，在室温下平均粒径为￣１０ｎｍ的ＺｒＯ２粉单斜相不足２０ｖ．％，而加入２ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３或２ｍｏｌ％ＣｅＯ２可使单斜相更少，试验测得纯ＺｒＯ２，ＺｒＯ２－２ｍｏｌ％ＣｅＯ２，ＺｒＯ２－２ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３纳米粉在室温下单斜相和四方相保持平衡共存的临界粒径分别为１７．５，２１．０和３２．５ｎｍ。     

SiC晶须增韧Al_2O_3及ZrO_2（Y_2O_3）基陶瓷复合材料的抗热震行

采用三点弯曲及扫描电镜等方法研究了ＳｉＣｗ／Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣｗ／ＺｒＯ３（Ｙ２Ｏ３）及ＳｉＣｗ／Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）陶瓷复合材料的抗热震性．结果表现ＳｉＣｗ的加入使Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）以及Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）基体的抗热震性显著提高，Ａｌ２Ｏ３陶瓷基复合材料的抗热震性明显优于ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）陶瓷基复复合材料．同时发现在Ａｌ２Ｏ３十ＳｉＣｗ材料基础上再加入少量ＺｒＯ２（２Ｙ）颗粒（１０Ｖｏ１％），也可进一步提高Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＣｗ材料的抗热震性．     

ZrO2的加入对(CeO2)0.86(SmO1.5)0.14陶瓷性能的影响

探讨了添加ＺｒＯ２和ＣｅＯ２／Ｓｍ２Ｏ３体系电导率和力学性能的影响,并用ＸＲＤ、ＳＥＭ等对材料的微观性能进行了试验分析,结果发现,添加ＺｒＯ２使材料的电导率降低,主要是因为ＺｒＯ２的固溶使得ＣｅＯ２电解质材料的晶格常数减小,活化能增加造成的;添加ＺｒＯ２可提加ＺｒＯ２促进了致密烧结,使晶界结合紧密。实验确定,外加２．５ｍｏｌ％ＺｒＯ２的ＣｅＯ２电解质具有适中的强度和电导率,可以作为电解质材料应用。