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通过检测原子团离子MCs^+和MAs^-(M是基体元素)对AlxGa1-xAs基体组分进行了定量的分析,考虑了MIQ=156SIMS上所测迷些原子团离子的能量分主其对分析结果的影响,并对正、负SIMS,测量方法做出比较。 相似文献
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利用二次离子质谱系统地研究了生长温度,Al组分X值和As4夺强对Siδ掺杂AlxGa1-xAs的SIMS深度剖面,Si原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现,在外延生长Siδ掺杂AlxGa1-xAs时,随着生长温度的提高或Al组份X值增加,Si掺杂分布SIMS峰都非对称展宽,表面分凝作用加强,但不影响Si原子的扩散,因此SIMS剖面的展宽与扩散无关。 相似文献
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研究了液相外延生长的高铝含量的Al_xGa_(1-x)/GaAs结构中的Mg掺杂特性,测量了各种接触扩散时间所对应的载流子浓度分布和表面质量。表明用Mg掺杂和接触扩散,能得到合适的结深和较高的载流子浓度的P-GaAs层。如果母液组份和生长温度恒定,并适当控制接触扩散时间,可以制备出重复性好的均匀高质量P-N结。 相似文献
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GaN及AlxGa1-xN是发兰光的关键材料,是目前光电子材料中最引人注目,必须攻克的课题。本文综述了GaN及AlxGa1-xN材料的研究现状重点介绍了GaN及AlxGa1-xN材料近年来在性能评价,生长技术和应用开发方面的进展。 相似文献
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利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜。用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明,该膜为符合化学计量比的三元化合物AlxGa1-xAs半导体材料,用分光光度计对膜进行测量,在较宽光波波段获得一定的透射率。 相似文献
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用MOCVD 技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料.研究了AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性. 结果表明,缓冲层材料和结构对AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响.AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料是一种准二维生长模式.XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性.利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93.5%的反射率. 相似文献
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Bokhan P. A. Zhuravlev K. S. Zakrevsky Dm. E. Malin T. V. Osinnykh I. V. Fateev N. V. 《Technical Physics Letters》2019,45(9):951-954
Technical Physics Letters - Gain characteristics of heavily doped AlxGa1 –xN/AlN:Si structures with c x = 0.65 and 0.74 have been studied under pulsed optical pumping by Nd:YAG laser... 相似文献