烧结温度对大电流电场烧结制备W-Mo-Cu合金的影响

利用大电流电场烧结工艺在875～1000℃的烧结温度下快速制备W-Mo-Cu合金,研究烧结温度对W-Mo-Cu合金微观组织、硬度及导电性的影响。基于合金烧结过程中的尺寸变化,通过拟合计算得到烧结特征指数,从而推断W-Mo-Cu合金烧结过程中的主要迁移机制。结果表明:烧结温度为875～975℃时,随着烧结温度升高,W-Mo-Cu合金中的孔隙减少,相对密度、显微硬度及电导率提高。当烧结温度为875～925℃时,W-Mo-Cu合金的致密化主要由塑性变形而非烧结引起。当烧结温度高于925℃时,W-Mo-Cu合金致密化过程中经历的主要迁移机制依次为塑性流动、体积扩散、晶界扩散和表面扩散。     

烧结温度对Ni-Cr-Mo合金性能的影响

Ni-Cr-Mo合金经冷压成型于真空中以不同温度烧结.通过测定其相对密度、线收缩率、拉伸强度和硬度,研究了烧结温度对合金性能的影响.结果表明:当烧结温度不超过1330°C时,合金的相对密度、收缩率、拉伸强度和硬度随烧结温度的上升而缓慢增加;当温度上升到1360°C时,合金的这些性能指标急剧增加;当温度上升到1390°C时,烧结后的合金试样外形发生严重变形.     

杂质离子对非晶态水合氧化钌电化学超电容性能的影响

采用化学沉淀法(在RuCl_3溶液中滴加NaOH)制备非晶态水合氧化钌,用去离子水对非晶态水合氧化钌沉淀充分洗涤,获得了Na、Cl杂质含量不同、而非晶态结构、水含量和显微相貌都相同的两种氧化钌样品.X射线光电子能谱分析表明,样品中的Na和Cl杂质分别以水合Na~+、水合Cl~-的形式存在.去离子水充分洗涤5次的样品(W-5)与不充分洗涤1次的样品(W-1)相比,前者的Na~+、Cl~-杂质含量低.循环伏安测试表明,W-5的比电容和功率性能都优于W-1 Na~+、Cl~-杂质不仅降低了氧化钉的比电容,也降低了氧化钌的功率性能.在非晶态水合氧化钌的制备过程中杂质含量的控制对获得高超电容性能十分重要.文中还分析了Na~+、Cl~-杂质对电容性能不利影响的机理.     

放电等离子烧结制备Ti(C,N)-Co金属陶瓷的组织和性能

采用放电等离子烧结方法制备了Ti(C,N)-Co金属陶瓷,研究了烧结温度和Co含量对TiCN基金属陶瓷力学性能的影响。结果表明:烧结温度在1400℃~1700℃范围内,当Co含量为1%时,随着温度的升高,样品的密度、弯曲强度和硬度不断增大;当Co含量为5%时,随着温度的升高,样品的密度、弯曲强度、硬度呈现先上升后下降的趋势。随着Co含量的增加,TiCN-Co金属陶瓷烧结致密化所需温度降低。烧结温度为1600℃、Co含量为5%时,金属陶瓷试样具有较高的综合力学性能,分别为弯曲强度815MPa和硬度HV101505。     

熔盐电解法制备金属钛工艺中TiO2电极性能研究

采用模压成型法制备了TiO2电极。分别用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等测试手段分析了不同烧结温度下TiO2电极的形貌、物相。基于阿基米德定律和欧姆定律测定了不同烧结温度制备的TiO2电极的孔隙率和电阻率。分析结果表明,随烧结温度的升高,TiO2电极晶粒逐渐长大,柱状晶粒结晶程度越来越好,在1100℃和1200℃时平均粒径都在4μm左右;晶型随烧结温度的升高发生变化,温度高于1000℃时锐钛型TiO2全部转变为金红石型。孔隙率和电阻率随烧结温度的升高而减小,烧结温度越高,电极导电性能越好。1100℃和1200℃烧结后在1000~1050℃时电阻率约为0.14Ω.m并最终趋向于恒定。所制备的TiO2电极经熔盐电解实验后得到的金属钛含量高达99.69%。     

Co掺杂ZnO块材的晶体结构和磁性能研究

采用固相法制备了Zn1-xCoxO（x=0．05-0．25）块材,烧结温度和Co含量对Zn1-xCoxO（x=0．05-0．25）块材的晶体结构和室温磁性能影响强烈,当x≤0．1,烧结温度从800增加到1100℃时,Zn1-xCoxO（x=0．05-0．25）呈现出单相结构,但当x〉0．1,烧结温度为800℃时,样品中出现CoO相;随着烧结温度提高到900℃,样品再次获得纯的单相结构。为了获得高的饱和磁化强度Ms,最佳烧结温度应该根据Co含量进行调整。在最佳烧结温度条件下,当x从0．05提高到0．1时,Ms从0．79增加到了1．06μB/Co,但当x继续提高到0．2和0．25时,Ms分别降低到了0．59和0．41μB/Co。     

制备工艺对原位合成(Al_2O_3+Si)_p/Al复合材料显微组织影响及体系分析

以Al-SiO_2为反应体系,通过烧结反应原位合成了(Al_2O_3+Si)_p/Al复合材料。研究了第二相含量、烧结时间以及热锻压等工艺对(Al_2O_3+Si)_p/Al复合材料的第二相形貌、尺寸及分布的影响,探讨了原位合成(Al_2O_3+Si)_p/Al复合材料的生成机制。研究表明,Si相含量随着第二相含量的增多而增多且与Al和Al_2O_3相界限相对明显;随着烧结时间的延长,Si相面积相对减小,Al_2O_3相的数量相对增加;锻压后,Si相和Al_2O_3分布更加均匀且尺寸减小。复合材料在液相烧结的过程中,高温下的液相粘性流动以及在原位反应时发生的颗粒重排与固相的溶解和沉淀对材料的致密化产生了较大的作用,当烧结温度达到1000℃时,Al_2O_3颗粒数量、分布情况都得到明显地改善。     

GaAs基片高温加热清洗过程中残气脱附的研究

为了优化GaAs基片的加热清洗工艺,获得原子级清洁表面,用四极质谱仪研究了GaAs基片高温加热清洗过程中常见气体及Ga、As元素的脱附规律.研究结果表明:常见气体(H2、H2O、N2、CO、CO2、Ar、CxHyOz)在100℃左右开始大量脱附;Ga、As元素主要以单质和氧化物的形态脱附,其脱附的温度存在两个峰值,分别是300℃和600℃;研究还发现真空环境中某些常见气体的含量会影响到Ga、As元素的脱附形式,当H2含量较高时,一部分As会以AsH3的形态脱附,当H2含量较低时,As基本以单质的形态脱附.经过多次实验及对实验结果的分析,最终确定了高温加热清洗的升温曲线及加热清洗的最高温度,获得了较为理想的原子级清洁表面.     

SiO2疏松体真空烧结致密化与透明化机理研究

采用化学气相沉积方法制备出低密度、无定形的SiO₂疏松体, 通过TG-DSC、SEM、TEM、XRD、压汞法、氮气吸附法和高温熔炼观测系统等方法研究了低密度SiO₂疏松体烧结过程宏观尺度和微观结构的演化规律。结果表明: 当烧结温度为1000 ℃, 疏松体开始收缩; 烧结温度升至1200 ℃, 宏观尺度收缩完成, 收缩比为30%。当烧结温度高于1200 ℃, SiO₂小微粒开始熔化; 随着温度升至1250 ℃, 固相疏松体与液相玻璃体之间有明显的过渡界限, 气孔由连通状逐渐演变为孤立、球形闭气孔; 随着温度继续升高, 闭气孔通过粘性流动传质作用进一步收缩; 当温度达到1500 ℃时气孔完全消除, 得到透明石英玻璃体。此外, 在整个烧结过程中, 疏松体物相组成始终保持无定形态。     

PDP用BaMgAl10O17:Eu2+荧光粉层烧结工艺的研究及优化

系统研究了烧结温度、保温时间以及粘结剂的种类对荧光粉热劣化程度的影响.研究结果表明,当烧结温度高于450℃时,荧光粉开始发生热劣化,且随着温度升高.劣化加剧.在550℃时,荧光粉相对亮度下降30%,色坐标下降26%.而荧光粉浆料烧结后,其亮度的下降趋势较原粉进一步加强,尤其当采用较低的烧结温度时(450℃,480℃),有机粘结剂的分解完全与否是造成荧光粉亮度下降的主要因素.而当烧结温度进一步提高后(550℃),此时烧结温度又成为导致荧光粉劣化的主导因素.此外,根据乙基纤维素的降解特性,对荧光粉浆料的烧结工艺进行了优化.结果表明,只要将浆料加热至480℃,就可以基本保证有机物的分解趋于饱和,从而可以有效降低烧结工序对荧光粉的不利影响.     

改性天然磷灰石废水处理剂的造粒研究

探讨了改性天然磷灰石废水处理剂的造粒方法及其影响因素。试验表明 :在烧结温度一定时 ,造粒颗粒的强度随粘结剂 (粘土 )加入比例的增加而增加 ;当加入粘结剂粘土比例一定时 ,造粒颗粒强度随烧结温度的升高而增加 ,而造粒颗粒的比表面积却随烧结温度的升高 ,先缓慢升高 (低于 70 0℃ )再缓慢下降 (70 0～ 80 0℃ ) ,烧结温度高于 80 0℃时烧结颗粒的比表面积下降较快 ,烧结温度达 12 5 0℃时 ,造粒颗粒的比表面积几乎为零。造粒颗粒的吸附试验表明 :改性天然磷灰石废水处理剂造粒后对废水中Pb2 +仍然具有良好的吸附性能     

CuO对LiZn铁氧体微观结构和磁性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺在1000～1160℃制备掺CuO的LiZn铁氧体Li0.35Zn0.3Fe2.35O4.结果表明,在1000～1100℃烧结时适量的CuO可促进固相反应和晶粒生长,降低烧结温度,提高样品的密度、饱和磁化强度4πMs和剩磁Br,降低矫顽力Hc.在1130℃烧结时,CuO基本无助烧作用,且增加CuO含量出现异常晶粒长大现象.在1160℃烧结时,样品内部形成巨晶,虽有利于降低Hc,但导致Br明显下降.     

温度对爆轰法合成纳米氧化铝晶型及晶粒度的影响

用爆轰法合成了纳米γ氧化铝粉体。对粉体分别进行从室温加热到600℃、800℃、900℃、1000℃、1100℃和1300℃的煅烧处理,对煅烧样品进行了X射线衍射分析,研究了不同煅烧温度下,纳米氧化铝的晶粒度。结果表明,随煅烧温度的升高,纳米氧化铝经历了从γ型转变成δ型,再转变成θ型,最后完全转变成α型纳米氧化铝的过程。随着加热温度的升高,纳米氧化铝出现了晶粒细化现象,且晶粒细化有两个过程,细化程度最大的温度区间为800~1000℃。     

自蔓延合成AlN粉研磨及热处理前后的性能比较

本文通过比较AlN粉体研磨前后和AlN粉末热处理前后的性能差异,发现用甲醇作研磨介质快速研磨2h,AlN粉末的中位粒径为1.204μm,效果良好。研磨前AlN粉的含氧量为1.45%,研磨2h后的含氧量为1.8%,快速研磨后AlN粉末的氧化程度不高。随着热处理温度的提高,氧化程度逐步提高。在1000℃的温度下热处理3h后,除含有主晶相AlN外,还出现明显的α Al2O3衍射峰。在600℃左右的温度下进行热处理3h,含氧量适中,有一定的抗水性。     

ZnAl_2O_4:Mn纳米晶的红-绿发光

利用溶胶-凝胶法制备了掺杂1.5%锰离子的ZnAl2O4晶体,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)以及荧光光谱仪对样品的结构和光致发光(PL)性能进行测试分析。结果表明,随着烧结温度的升高,晶体的X射线衍射峰逐渐增强,晶体结构得以改善。当受到427nm的激光源激发时,晶体会发射出峰值为512nm的绿光和680nm的红光。绿光是由Mn2+的4 T1→6 A1跃迁引起的,而红光是源于4价锰离子。在还原气氛下,烧结温度由600℃上升到900℃时,红光发射峰强度降低并继而消失,而绿光发射峰的强度逐渐增强。     

ZnO和CaO含量对CaO-Al2O3-SiO2系泡沫微晶玻璃析晶与发泡的影响

以CaO-Al2O3-SiO2玻璃为基体,以石墨为发泡剂,制备硅灰石基泡沫微晶玻璃,研究了玻璃中引入ZnO和增加CaO含量对析晶与发泡的影响.结果表明,ZnO可降低发泡过程中假硅灰石晶相的析出量,促进玻璃粉与发泡剂混合物的烧结,降低发泡剂在较低温度下的损耗.提高CaO含量,样品结晶度增大,相同温度下玻璃的粘度增加,发泡效率降低.原料中ZnO加入量6wt%、CaO含量为18wt%的CaO-Al2O3-SiO2玻璃粉,较低温度下烧结充分,发泡剂损耗相对较少,在1000℃的发泡温度下可获得气孔率高的泡沫微晶玻璃.     

碱、氯、硫在水泥窑炉中的挥发特性分析

根据吉布斯自由能最小原理,计算了在500℃-1400℃范围内碱(K)、氯、硫的平衡组分和挥发率,并结合水泥窑炉的温度分布,对碱、氯、硫的循环富集特性进行了探讨。结果表明:氯的挥发性很强,在800℃以上几乎达到100%,挥发率急变的温度区域为650℃-800℃;硫和碱大约在1300℃左右全部挥发,氯促进硫和碱的挥发,在氯含量较低时,硫和碱挥发率在1000℃-1200℃之间变化较大,而在氯含量较高情况下,在650℃-800℃也是急剧变化。对应于水泥生产实际,循环富集比较严重的区域有二个:一是窑尾烟室及上升烟道区,二是次末级和最末级预热器。其中前者与碱和硫关系较大,而后者与氯关系较大。