光纤器件回波损耗测量系统分析

介绍了各种光纤器件（光无源器件、有源器件、光纤集成器件等）回波损耗的测量原理和测量方法。提出了一些关键技术的解决方法和试验方案。对各种不确定因素进行了分析和试验验证，最终建立了一套光纤器件回波损耗测量装置。     

室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及器件制造工艺进展

半绝缘CdTe和CdZnTe室温半导体探测器已在工业监测、医疗和成像、核安全及科学研究等多方面得到应用。Cd1-xZnxTe室温X射线和Y射线探测器的性能与材料和器件中的缺陷(它控制器件中载流子输运)密切相关。欲提高该种器件及器件阵列的性能，需不断改进晶体生长与器件制造工艺，重点是降低晶体内、界面、亚表面和器件表面上的缺陷。     

纳米 MOSFET/SOI器件新结构

重点介绍器件进入纳米尺度后出现的MOSFET／SOI器件的新结构，如超薄SOI器件、双栅MOSFET、FinFET和应变沟道等SOI器件，并对它们的性能进行了分析。     

家用摄像讲座——第三讲 家用摄像机的结构·原理·功用(续一)

二、摄像器件 摄像器件又叫做成像器件、图像感应器。它是摄像机头的关键部件。位于镜头的成像位置(相当于照相机胶片的位置)。它的主要作用是把景物的光像转换成随时间变化的电信号。并把这个反映图像的电信号以隔行扫描的方式传送出去。摄像器件分两大类:即摄像管和固体器件。固体器件又叫半导体器件。摄像管以氧化铅管和硒砷碲管最为普遍。CCD(电荷耦合器件)是常用的半导体器件。按摄像器件成像尺寸又有5/4英寸、1英寸、2/3英寸、1/2英寸、1/3英寸等多种规格。家用机CCD的尺寸有1/2英     

JFET器件精确掺杂控制技术研究

对于JFET器件而言,沟道和顶栅是JFET器件的核心,其结构和掺杂分布将决定器件的击穿电压、夹断电压、漏极饱和电流、跨导和ft等关键参数。通过对JFET器件沟道和顶栅形成过程中,其精确掺杂控制技术的研究,实现高性能JFET器件的结构要求:即器件的顶栅结深约为100nm,顶栅的浓度比沟道德浓度高一到两个数量级。     

无机全固态电致变色器件研究进展

电致变色是一种在外加电场下材料光学属性可变的现象。本文围绕全固态电致变色器件,阐述了器件中每一层的结构、可选材料、性能等,并根据全固态电致变色器件近期的研究进展,总结了两种全固态器件的典型结构,详细介绍了两类器件结构的结构特点、制备方法和电致变色性能,并展望了未来全固态电致变色器件的发展方向。     

微电子器件电磁脉冲损伤机理及防护技术研究

针对多种对电磁脉冲敏感的微电子器件进行静电放电、方波电磁脉冲注入试验,通过器件的参数变化情况分析各种器件的电磁脉冲损伤机理,并对试验中的各种试验现象进行相应的解释,最后对多种敏感器件进行抗电磁脉冲防护基础研究,针对部分器件突出具体的防护措施,为微电子器件可靠性的提高提供参考意见。     

聚合物电致发光材料的研究现状及应用前景

聚合物电致发光材料是近几年来取得很大进展而倍受关注的新型功能材料。电致发光薄膜器件激发电压低、发光效率高、易得到彩色显示 ,而且容易实现大屏幕平板化。本文综述这类薄膜电致发光器件的发光原理、发光材料、器件的制备方法以及改善器件特性的方法     

航天磁性器件失效分析与筛选试验

磁性器件在航天产品中广泛,尤其在电源系统中,起着关键的作用。基于美国航天磁性器件的失效统计数据,分析了磁性器件的主要失效原因。又对国内航天磁性器件的失效进行了初步的统计和分析。通过对比美国和国内航天磁性器件由设计、生产和使用中发生的失效对比,给出了发生失效的主要原因。为了保证磁性器件的质量和可靠性,提出在参考美军标和国军标的基础上,实施国内航天磁性器件筛选试验的建议。     

微波功率器件及其材料的发展和应用前景

介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明.着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料.并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望.