共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
拉丁美洲国家的包装策略PackagingStrategiesInLatinAmericaEduardoCruzPrado¥(墨西哥)Abstract:LatinAmericacompristSouthAmericawith13countriesamo... 相似文献
2.
BASFLuranSASA (acrylonitrile -styrene -acryliccopolymer,丙烯腈 -苯乙烯 -丙烯酸酯共聚物是以SAN (styrene -acrylonitrilecopolymer,苯乙烯-丙烯腈共聚物 )为基础 ,含有特殊的丙烯酸酯 相似文献
3.
4.
AValidMethodfortheForecastingEconomicLifeCircleofEquipmentLiNanNanjingUniversityofAeronautics&AstronauticsNanjing,210016,P.R.... 相似文献
5.
本文报导了非故意掺杂InGaAsSb本底浓度的降低和掺Ten型GaSb和InGaAsSb的MBE生长与特性的研究结果。结果表明,通过生长工艺的优化,GaSb和InGaAsSb的背景空穴浓度可分别降至1.1×10~(16)cm~(-3)和4×10~(16)cm~(-3),室温空穴迁移率分别为940cm2/v.s和260cm~2/v.s。用Te作n型掺杂剂,可获得载流子浓度在10~(16)~10~(18)cm~(-3)的优质GaSb和InGaAsSb外延层,所研制的材料已成功地制备出D_λ~*=4×10~(10)cmHz~(1/2)/W的室温InGaAsSb红外探测器和室温脉冲AlGaAsSb/InGaAsSb双异质结激光器。 相似文献
6.
英日汉对照缩微摄影技术词汇Aaberration收差像差abrasionmarks擦伤痕划痕、擦痕absorPtion吸收吸收(作用)accderatedaseins强制劣化加速老化accjerator促进剂促进剂acetate(醋酸)乙酸盐acet... 相似文献
7.
市场经济与包装行业管理汤国辉MarketEconomyandManagementofPackagingIndustry¥TiangGuohuiAbstract:Asascholar,theautherofthisarticlegivesaperson... 相似文献
8.
本文用GSMBE技术生长纯度GaAs和δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度GaAs的GSMBE生长和研究,在低掺Si时,载流子浓度为2×10~(14)cm~(-3),77K时的迁移率可达84,000cm~2/V.s。对于用GSMBE技术生长的δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料,在优化了材料结构和生长工艺后,得到了液氮温度和6K迁移率分别为173,583cm~2/V.5和7.67×10~5cm~2/V.s的高质量GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料。 相似文献
9.
TechnicalInnovationinaBalancingMachinewithMicrocomputerZhangJinDongfeng-CitroenAutomobileCompanyLtd.AbstractThispaperdiscuses... 相似文献
10.
利用我们研制的常压MOVPE设备对国产TMGa、TMAl、TMIn和TMSb进行了鉴定,为此分别生长了GaAs、AlGaAs、InP、GaSb外延层和GaAs/AlAs、GaSb/InGaSb超晶格和GaAs/AlGaAs量子阱结构。表征材料纯度的77K载流予迁移率分别达到GaAs:μ_n=56600cm ̄2/V·s,Al_(0.25)Ga_(0.75)As:μ_n=5160cm ̄2/V·s,InP:μ_n=65300cm ̄2/V·s,GaSb:μ_p=5076cm ̄2/V·s。由10个周期的GaAs/AlAs超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶X射线回摆曲线上高达±20级的卫星峰。GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As量子阱最小阱宽为10,在liK下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为390meV,其线宽为12meV。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。 相似文献
11.
为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用X射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外GaAs光阴极材料GaAs/AlGaAs的C,O含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在GaAs/AlGaAs 面及AlGaAs层的O含量分别为7.6%和10.6%,C深度分别为5.2×10^18atoms/cm^3和1.0×10^19atoms/cm^3,而国外的材料的O含量相应为1.0 相似文献
12.
Liu Zhenkai Gui Zhonghua Cai Qing Northwestern Polytechnical University Xi’an P.R. China 《国际设备工程与管理》1996,(1)
ThePrincipleandArchitectureofaHybridSystemofaNeuralNetworkandanExpertSysteminInteligentCADofElectricalMachinesLiuZhenkaiGuiZh... 相似文献
13.
14.
浅析影响瓦楞纸箱粘合强度的因素TheFactorAfectingAdherenceofCorrugatedBoxes胡文堂*HuWentangAdherenceisoneofthemostimportantphysicalper-formancefo... 相似文献
15.
防腐包装文献数据库建库质量浅析周素玉BuildUPaGoodDateBaseforLiteratureofAntisepticPackaging¥ZhouSuyuAbstract:Antisepticpackagingtechnologyofweap... 相似文献
16.
本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源MBE技术生长了优质碳掺杂GaAs、AlGaAs及δ碳掺杂GaAs外延层。获得了空穴浓度从4×1014cm-3到2×1019cm-3的GaAs材料。用霍尔效应测量仪、电化学CV剖面仪和X射线双晶衍射仪分析了外延层的质量。用Nomarski干涉显微镜和原子力显微镜分析了GaAs的生长过程。结果表明碳是GaAsIIV族化合物半导体的极好的p型掺杂剂。 相似文献
17.
Xu Binshi Ma Shining Li Xiaogang Technical Committee of CAPE Liu Shican Zhu Sheng Surface Engineering Research Institute of CMES Dujiakan Changxindian Beijing P.R.China 《国际设备工程与管理》1996,(1)
AdvanceandApplicationofThermalSprayinginMachineryMaintenanceXuBinshiMaShiningLiXiaogangTechnicalCommiteeofCAPELiuShicanZhuShe... 相似文献
18.
19.
影响纸塑覆合产品质量因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
影响纸塑覆合产品质量因素分析TheFactorAfectingQualityofLaminatedProduct曹华*CaoHuaThequalityoflaminatedproductisinfluencedbymanyfactors,suchas... 相似文献
20.
美国纸箱纸盒机械设备的寿命孙蓉芳,谭锋译TheAgeofMachineryintheBox&CartonIndustry¥SunRongfang;TanFengAbstract:Justhowoldismachineryrunningordersin... 相似文献