低辐射薄膜的研究进展

低辐射薄膜(Low-E Film)发展了20多年,它的高可见光透射率和高红外紫外光的反射率被应用在很多领域.低辐射薄膜一般由在线法和离线法制备,所得结构不同,性能也有较多差异.时低辐射薄膜的制备方法、性能,以及最新研究进展和应用进行了综述,并对2种类型的低辐射薄膜进行了比较.     

光电阴极的研究进展

光电阴极的材料决定了光电发射的量子效率、暗发射电流和出射电子能量分布等重要性能。本文介绍各种类型的光电阴极发射材料,包括碱金属和半导体材料。其中重点介绍半导体材料中的多碱光电阴极和负电子亲和势(NEA)光电阴极,并对多碱光电阴极的制备流程及性能测试和影响NEA光电阴极量子效率等因素进行详细的分析。     

ZnO半导体薄膜的研究进展

介绍了制备氧化锌薄膜的几种主要方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法等;分析了氧化锌薄膜作为代替透明导电膜(ITO膜)的可行性及这方面的研究进展;阐述了氧化锌薄膜作为一种新的场发射阴极材料应用于平板显示或作为场发射电子源的研究进展,同时综述了其作为发光器件的众多优势.     

离子注入技术改性聚合物薄膜的研究进展

离子注入技术改性聚合物薄膜在电子及电器工程中有着巨大的潜在应用价值。综述了近年来聚合物薄膜经离子注入后在导电性能、光学性能、导磁性能及表面力学机械性能等方面的最新进展。分析了注入离子与聚合物相互作用的物理过程,并指出了该领域存在的问题及发展方向。     

氧化亚铜薄膜的研究进展

氧化亚铜（Cu2O）具有优越的光电性质，是一种具有广泛用途的材料，而且它的制备方法很多。结合最近的研究进展综述了Cu2O薄膜的制备方法与基本性质，分析了Cu2O薄膜研究开发现状，展望了Cu2O薄膜在太阳能电池应用方面的前景。     

类金刚石薄膜的紫外辐照研究

对射频等离子体方法制备的类金刚石（以下简称DLC）薄膜样品进行了紫外辐照，采用电阻率，Raman光谱及红外光谱研究了紫外光（以下简称UV）辐照对DLC薄膜结构与特征的影响，Raman光谱表明：紫外光对DLC薄膜中SP^3C-H键的破坏作用非常明显，红外（IR）光谱结果进一步验证了这一结果，经UV辐照后，DLC薄膜的电阻率呈变小趋势，这说明薄膜被强烈氧化，最后呈现石墨化趋势。     

激光驱动光电阴极的研究进展

随着高能粒子探测、超导腔加速器等领域的快速发展,对光电阴极的光电性能提出了更高的要求。光电阴极的材料决定了光电发射的量子效率、暗发射电流和出射电子能量分布等重要性能;激光在亮度、方向性、单色性、相干性等方面远高于普通光源,使得用激光驱动光电阴极具有更加优良的光电流和量子效率等光电性能。本文介绍了几种类型的光电阴极发射材料,包括Na₂KSb光电阴极、Cs₃Sb光电阴极、K₂CsSb光电阴极和Cu光电阴极。其中对Na₂KSb光电阴极的制备以及光电性能测试方法进行了详细介绍;对Cs₃Sb光电阴极的制备及影响其寿命的因素进行分析介绍,并且对Cs₃Sb光电阴极的改良进行了总结;对于K₂CsSb光电阴极分别通过实验和蒙特卡洛法测量其光电性能,分析总结了影响其量子效率和光电发射寿命的因素;对于Cu光电阴极,分析了包覆CuBr对铜光电阴极的量子效率的影响。     

全固态薄膜锂充电电池的研究进展

全固态薄膜锂充电电池由于安全可靠性强、能量密度大、工作电压高、循环寿命长等诸多优点已经成为微型电子器件匹配电源的良好选择.阴极、阳极、固体电解质材料是全固态薄膜锂充电电池的重要组成部分,对于其开发和研究十分重要.综述了目前应用较多的阴极、阳极及固体电解质材料,并阐述了其物理特性、电化学性能和主要的制备方法;电池结构设计同样影响着整个电池的性能,介绍了电池结构对充放电特性的影响,且展望了其今后的研究热点和发展方向.     

退火温度对CsI（T1）薄膜微观结构和闪烁性能的影响

采用真空热蒸发法制备了CsI（T1）薄膜,然后进行了不同温度的真空热处理．用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI（T1）薄膜样品进行了分析,并测得了样品的光产额．结果表明,该CsI（T1）薄膜沿（200）晶面择优取向生长．经过较低温度退火,CsI薄膜中的Tl^＋离子向薄膜表面扩散,薄膜中缺陷数量增加,且尺寸较大,光产额略微增高．经过250℃退火,薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复,薄膜缺陷尺寸变小,且数目减少,具有较好的结晶状态,光产额提高．经过400℃退火,薄膜结构发生显著变化,薄膜中缺陷大幅增加,结晶状态变差,Ti^＋含量减少,光产额急剧下降．     

Characterisation of Photocathodes Based on Pb Thin Film Deposited by UV Pulsed Laser Ablation简

This work deals with the deposition of lead(Pb) thin films by the U V pulsed laser ablation technique,for their further use as photocathode devices in superconducting radio frequency guns.Scanning electron microscopy and atomic force microscopy analyses were performed to study the morphological features of Pb thin films deposited on Si(100) and Nb substrates.The films showed a granular structure with a nearly fully covered surface only for that one deposited on Nb substrata X-ray diffraction measurements indicate the growth of polycrystalline Pb thin films with a preferential orientation along(111) planes.Results of the photoemission performance of Pb thin film deposited on Nb substrate showed a very encouraging average value of quantum efficiency of 6×10~(-5) through a single-photon absorption process,promoting further studies in the realisation of Pb photocathodes by this techniqua     

Quantum efficiency measurement of CsI photocathodes using synchrotron radiation at BSRF

A quantum efficiency(QE) measurement system has been established for CsI photocathodes in the wavelength range of 120-210 nm by using the synchrotron radiation light source at Beijing Synchrotron Radiation Laboratory (BSRF). An AXUV100G photodiode calibrated by Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) was used as the transfer detector standard to ensure the accuracy and reliability of the QE measurement. The dependencies of QE measurement on beam energy, vacuum pressure and bias voltage were studied in detail. The influence of photoionization in gas on the QE measurement was observed and is described. The surface morphological characteristics of both substrate and CsI film were analyzed by atomic force microscopy (AFM). The QE results of differently prepared CsI photocathodes were compared, including: the printed circuit board (PCB) of FR-4 (Woven glass and epoxy)+Cu, FR-4+Cu/Ni/Au, and stainless steel substrates; a series of thickness from 60 to 600 nm; and the resistive and electron beam evaporation techniques.     

薄膜型锂离子电池正极材料研究进展

简要介绍了近年来磁控溅射和脉冲激光沉积制膜技术在薄膜型锂离子电池正极材料制备方面的应用研究; 对制膜新工艺及新型正极材料的研究现状进行了概括,认为现阶段新型材料LiFePO4有希望成为薄膜锂电池正极材料的首选,并展望了薄膜型锂离子电池的发展前景.     

ZnO基半导体薄膜材料的研究进展

介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段，综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展。详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能，并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨。     

自支撑薄膜制备的研究进展

能否成功制备自支撑薄膜不仅制约着激光和核物理研究的发展,而且限制了原子核化学试验的开展.自支撑薄膜的制备方法与普通薄膜的制备方法有很大的区别,经过近50年的发展,已经形成了一系列独特的制备方案.在成膜方面,其研究热点集中在如何降低薄膜内应力和提高材料的利用率上;同时各种可溶性衬底和脱膜剂对自支撑膜的质量有很大的影响,需要根据膜材料进行选择.总结了常见的衬底和脱膜剂及其特点,并介绍了常用的脱膜方法--漂浮法.指出自支撑薄膜制备所面临的问题主要是进一步降低膜的粗糙度,制备低应力的自支撑多层膜.     

热致变色二氧化钒薄膜的研究进展

二氧化钒薄膜具有优异的热致变色特性,已成为功能材料领域研究的热点.结合二氧化钒的结构分析了其热致变色特性;综述了二氧化钒薄膜的制备方法,着重评述了溅射法、化学气相沉积法及溶胶-凝胶法等几种常用方法;阐述了二氧化钒薄膜在智能窗、新兴光子晶体、伪装隐身技术方面的应用前景;最后指出了其今后的研究与发展方向.     

镍铬合金薄膜的研究进展

镍铬合金薄膜是重要的精密电阻和应变电阻薄膜材料.简述了镍铬合金薄膜的3种制备方法:真空蒸发沉积、磁控溅射沉积和离子束沉积;讨论了基底、工作气压、沉积时间等薄膜制备工艺参数以及退火工艺对薄膜性能的影响.重点叙述了镍铬合金薄膜、改良型镍铬合金膜、含氮镍铬合金膜、镍铬合金多层膜和纳米镍铬合金薄膜等膜系的特征.阐明了制备具有高电阻率、低电阻温度系数、高应变灵敏系数、良好的热稳定性等优异综合性能的镍铬合金薄膜的新工艺发展趋势.     

铁电薄膜材料及其相关问题研究进展

铁电薄膜材料是目前国际上研究的热点之一.综述了铁电薄膜及其制备技术研究的新进展,介绍铁电薄膜材料的性能及应用,并重点分析了铁电薄膜不同制备技术的优缺点,指出了目前关于铁电薄膜研究中的一些重要问题.     

碳化硼薄膜制备的研究进展

综述了碳化硼材料的主要性能和制备碳化硼薄膜的主要方法,讨论了包括磁控溅射、离子束沉积和化学气相沉积等制备方法的优点及重要工艺参数,并就各方法指出了提高薄膜性能的主要措施,指出制备出更均匀、致密的碳化硼薄膜,提高薄膜与基体间的结合力,降低薄膜应力仍是今后研究的重点.     

NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展

综述了近年来国内外NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展,重点介绍了有无掺杂的NiO/ZnO薄膜太阳能电池的制备方法及电性能指标,并简要分析了该异质结薄膜太阳能电池存在的问题和未来发展动向,认为未来NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究应集中在通过选择掺杂元素以及引入中间层来提高电学特性.