可控源音频大地电磁法在深埋长隧道勘查中的应用研究

深埋长隧道地质情况复杂,为确保施工安全,避免重大塌方及突水事故的发生,须尽可能掌握实际地质情况。本文以我国西南地区某特长深埋隧道为例,探讨利用可控源音频大地电磁法在深埋长隧道中探测常见的破碎带、软弱岩体和含水地层的有效应用。结果表明,可控源音频大地电磁法在深埋长隧道勘查中具有良好的应用效果。     

地质体结构探测中可控爆源实验研究及应用

为探测地质体的结构,在分析一般爆破震源的优缺点的基础上,通过实验研究了一种可以控制的爆破震源(简称可控爆源).该震源利用水介质的均匀性及各向同性、不可压缩等特点,保持了爆炸波功率大、能够提供尖锐的脉冲信号、频域范围广的优点；同时利用水作为传递爆炸载荷的介质,减少了爆炸冲击波对周围岩体介质的损坏,使试验可以重复进行,改变了爆破震源不能重复和难以总结试验规律的缺点,也有助于可控爆源在地质勘探领域的推广应用.利用可控爆源,对茅坪滑坡体进行了地质体结构探测分析,结果显示滑坡体深约50 m处存在一大的结构面(滑带),并得到了上覆岩层的一般力学性质.该结果与钻孔勘探和挖竖井探测结果吻合,为该滑坡体的治理和预防提供了依据.     

第二十讲 真空离子镀膜

f圆形平面可控电弧蒸发源圆形平面可控电弧蒸发源的原理如图40所示。其磁场由静止的外磁环和往复运动的中心磁柱构成。靶材上方的磁场可分解为水平磁场B//和垂直磁场B⊥。B∥束缚部分电子并使其作圆周运动,致使阴极辉点作圆周运动。B⊥迫使作圆周运动的电子作径向运动,导致阴极辉点的径向运动。     

基于FPGA的遥测信号模拟源设计

遥测信号模拟源是地面卫星测试系统的重要组成部分,本文介绍了一种采用FPGk实现的可控遥测信号模拟源方案。遥测信号模拟源接收来自控制总线的数据,在FPGA中经过PSK调制处理后生成己调信号,其载波信号采样通过采用直接频率合成技术实现的数控振荡器产生。遥测信号模拟源系统中内嵌了高斯白噪声生成模块,可以根据测试需要选择是否与PSK信号混合输出。     

可控源音频大地电磁法在大连某区地热资源勘查中的应用

地热资源是一种备受人们青睐的新型绿色能源。近年来,我国已开发的地热田有4000余处,地热资源利用总能量已位居世界前列。如何有效提高地热田的勘查效果,是高效开发利用地热资源的前提。可控源音频大地电磁测深数据进行反演得到的电阻率分布不仅能够探测地层埋深和断裂构造的空间分布情况,而且在一定条件下可以推断深部地热田的温度。本文以大连某地地热勘察为实例,所得结果对进一步研究相似地质条件下,可控源音频大地电磁法在地热资源勘察中有一定的参考意义。     

一种矩形脉冲信号沿控制电路设计

随着矩形脉冲信号的广泛应用,作为脉冲质量的重要参数,脉冲信号上升/下降时间越来越受到重视。针对矩形脉冲信号沿可控的要求,提出了一种对矩形脉冲信号上升/下降沿时间精密控制的电路设计。该电路基于电桥平衡原理和电容的电荷存储特性设计,利用电桥平衡原理设计高速开关,通过高速开关控制精密可控恒流产生源和恒流吸收源对电容的充/放电电流,实现对矩形脉冲信号上升/下降时间的控制。实验证明,该设计能够实现矩形脉冲信号上升沿/下降沿时间在800ps至1μs范围内可控调整。     

HCVD法生长InN纳米棒的可控制备及表征

实验通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了InN纳米棒的可控生长。系统研究了InCl_3源区温度、NH_3流量和N_2载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品结构,形貌和元素组成进行了表征。结果表明,InCl_3源区温度的升高,有利于提高生长区InN纳米棒的形核率和生长速率;NH_3流量大小对InN纳米棒晶体质量有重要影响,适量NH_3流量会满足In源生长需要的Ⅴ/Ⅲ比,改善纳米棒晶体质量,当NH_3流量过大时,In空位缺陷的形成会使晶体质量变差;N_2载气流量大小会影响In源和N源的浓度和偏压,从而能有效调控InN纳米棒直径和生长速率。研究实现了InN纳米棒的可控生长,为开发高性能InN纳米棒器件奠定了基础。     

重力测量在新城子盆地地热普查中的应用

在新城子盆地地热普查中，应用以重力为主导与核心的，并配合磁法、可控源与二维地震等方法取得了很好的地质效果。在重力推断的凸起地区边缘，在推断的断裂破碎带区域内，布置验证钻孔中，打出了可供开发利用的地下热水。     

关于可控源音频大地电磁测深法（CSAMT）勘探深度的探讨

近年来,可控源音频大地电磁测深法（CSAMT）作为一种有效的物探方法在资源普查等领域中取得了显著的成绩,该方法以抗干扰能力强、勘探深度大、工作效率高等优点著称,本文从该方法的有效探测深度谈起,分析总结影响该方法勘探深度的各种因素。     

浅议CSAMT在重庆地热勘查中的应用效果

可控源音频大地电磁(CSAMT)法具有探测深度大、抗干扰能力强和横向分辨率高等特点,特别适用于探测地质构造、划分热储界面。作者以实际勘探验证成果为基础,阐述了CSAMT法在重庆地热勘探中的应用效果,并分享了一些实用经验,提出了一些解决问题的办法。     

浅议CSAMT法在地热资源勘查中的应用流程

近年来,地热资源的开发与利用越来越得到重视,而可控源音频大地电磁测深法（CSAMT）则是寻找这种地热的最为有效的勘测方法之一,本女结合CSAMT法的原理和特点,对其在地热资源勘查中的应用流程做了简要介绍。     

纳米金属Cu粉制备新方法及其对润滑油性能的影响

以无机铜盐为铜源,加入正己醇、span-80、tween-80,在N2气氛保护下,制得粒度可控、粒径在20-50nm的纳米铜,经SEM分析为球形,用四球摩擦试验机测试含有纳米铜润滑油的极压抗磨性能,结果表明,纳米铜粉的粒度越小,润滑油的极压抗磨性能越佳。     

浅议辽宁省彰武县某地深层煤矿勘查区的地质特征及找矿方法

可控源音频大地电磁测深法（CSAMT）是近些年来最为常用的煤田勘查方法之,通过分析勘查区的地质特征,选用CSAMT法进行勘测,推测出了勘查区深层煤矿的成矿有利区域和埋藏深度。     

基于二硫键的三重刺激响应可控润湿性表面的构建

合成了一种双-[3-（三甲氧基硅）丙基]-二硫化物（TPDS）,并将其接枝到具有优异光热转化能力的聚多巴胺改性表面（PDA-Glass）,获得了二硫键功能化表面（2S-PDA-Glass）。利用X射线光电子能谱仪对该表面进行了表征,采用水接触角测定仪表征了2S-PDA-Glass在980 nm近红外光、365 nm紫外光及50℃温度刺激下可控润湿性。结果表明,接枝于表面上的二硫键在3种刺激源下均可发生断裂,被还原成亲水的巯基,导致表面水接触角由78°下降到55°左右;而表面巯基被三氯化铁氧化后又重新形成二硫键,表面水接触角可再次升至78°左右,实现了多重刺激响应的可控润湿性。使得材料可以在不同的环境中自由选择刺激源,应用范围更为广泛。     

利用双等离子体装置产生非均匀等离子体

在双等离子体实验装置中,采用单边放电的方式在源区产生等离子体,通过扩散和电子碰撞电离可以在实验区产生密度分布不均匀的等离子体.利用静电探针测量了实验区等离子体的状态参数及其空间分布,结果显示:该装置可以提供一个径向相当宽范围内密度基本均匀,轴向密度分布指数衰减的等离子体环境,其不均匀性标长与放电气压成反比.该装置可以提供不均匀性可控的非均匀等离子体源.     

利用现有装置对高g值冲击传感器的一种检测方法

利用实验室现有的Endevco公司的2925型pop冲击激励源,通过加速度值、电压值来标定高g值冲击传感器的幅值线性度,此装置为高g值冲击传感器的幅值线性度校准提供了一种简单、可控、且重复性好的方法。     

硅源对植物纤维制备SiC纤维的影响

将植物纤维转化为陶瓷是一种新型的、极具发展潜力的多孔陶瓷制备方法。本研究探索了将植物纤维转化为多孔SiC纤维的方法, 并分析了硅源对其反应产物的影响。结果表明, 由于密度效应, 气相硅陶瓷化相比液相而言, 具有更慢的反应速率, 表面所含的杂质也更少, 而且具有更可控的反应过程、更高的力学强度等优势。不同种类的硅源对反应速率、反应所需温度和产物的晶粒尺寸都有一定的影响, 研究发现SiO是一种较为理想的硅源物质。     

用于生物阻抗测量的混频激励电流源

通过分析生物阻抗测量系统的需求，设计了一种应用于生物阻抗测量的混频激励电流源。该电流源不仅频率和幅值可控，控制精度高，而且具有良好的模块化特点，可以方便地嵌入到其他系统中。同时还采用了EEPROM对电流源的配置信息进行存储，使电流源具备上电时自动进行配置的功能。此外，电流源还可以根据上位机的指令和数据，进行扫频输出，自动产生不同频率成分的混频信号。给出了相应的硬件设计及软件控制流程。     

聚甲撑-聚乙二醇两亲性嵌段共聚物的可控合成及自组装

采用水相同源聚合方法合成链长可控的端羟基直链聚甲撑(PM-OH),然后以异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)为连接剂,结合偶联反应和同源聚合反应,可控合成了一系列具有不同亲疏水嵌段长度比的聚甲撑-聚乙二醇(PM-b-PEG)嵌段共聚物。以甲苯为共溶剂,水为选择性溶剂,自组装制备球型胶束。并对合成的PM-b-PEG聚合物胶束的尺寸和形貌进行观察。研究表明,随着疏水的PM链段增长,胶束粒径从98.23nm逐渐增大至151.90nm,胶束呈球形。说明通过PM-b-PEG嵌段共聚物的可控合成,可实现对胶束粒径的有效调节。     

等离子体源离子渗氮合成硼碳氮薄膜的研究

采用等离子体源离子渗氮,即低能,超大剂量氮离子注入－同步热扩散技术,在３００－５００℃处理碳化硼薄膜,合成了硼碳酸三元薄膜。俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明,合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定,氮含量可控的非晶态薄膜。