铜基引线框架材料的研究与发展

引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一，其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展，集成电路I/O数目增多、引脚间距减小，对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求。由于拥有良好的导电导热性能，铜合金已成为主要的引线框架材料。本文对电子封装铜合金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述。     

引线框架材料的研究发展现状

引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一,其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等作用.随着IC向高密度、小型化、低成本方向的发展,对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求.由于拥有良好的导热性能,铜合金已成为主要的引线框架材料.对电子封装引线框架材料的性能要求、设计理论以及国内外研究发展现状等进行了综述.     

引线框架铜合金氧化特性的研究现状

铜合金由于具有优良的导电导热性能，已在现代集成电路塑料封装中占据了引线框架材料80%的份额。但铜合金容易氧化，其氧化膜被认为是塑料封装再流焊工艺中的分层和裂纹的主要原因之一，因此引线框架铜合金的氧化特性引起了人们的广泛注意。为获得铜合金引线框架良好的可靠性，不少材料工作者对铜合金在塑料封装中的氧化特性及其对铜合金与环氧树脂模压料（EMC）的粘接强度的影响进行了研究，为此，本文对引线框架合金的氧化物结构及动力学、铜合金与环氧树脂模塑料（EMC）粘接强度的影响因素等领域的研究进行了综述。     

最新文献题录

855599855Rlii i洲「iii删删︵gigig gil删「gi i bA＃M ＃ 题 录 作 者热浸镀铝钢的性能及用途 李华飞等超音速电弧喷钛涂层研究 查柏林等碳粉表面金属化研究 唐培松等硅片上电镀铅锡合金工艺 杨红玉Zl-AI-Mg-RE合金镀层钢丝的研制 李 焰半固态合金连续铸轧的技术现状与发展前景 杨卯生等加速我国镁工业发展的建议 师昌绪等金属材料系统科学框架 谢佑卿铜合金引线框架材料的发展 赵冬梅等超高光效复合稀土卤化物灯用发光材料的研究 杨桂林等钨阴极材料及其研究进展 王发展等应用于电子封装…     

铜基集成电路引线框架材料的发展概况

阐述了集成电路的发展及其对引线框架材料的要求。综述了国内外目前使用铜基集成电路引线框架材料的现状及所开发的高强度高导电铜基引线框架材料的特性，并指出了今后的发展方向。     

集成电路用引线框架材料的研究现状与趋势

作为集成电框架材料的一些研究进展,包括引线框架的功能、制备工艺、成分设计及其对材料的性能要求等,重点介绍了铜基引线框架材料的特性和研发动态,最后,提出了今后引线框架材料的研究方向.     

电子封装用聚苯硫醚高性能复合材料的研制

微电子工业的快速发展迫切需要性能更为优异的封装材料.采用聚苯硫醚复合材料作为电子封装材料,具有使用温度高、热膨胀系数低、介电损耗低、电绝缘性能好等优异的性能,应用于现代微电子领域的前景良好.本文用国产商品PPS树脂经纯化处理后,与其它材料复合,成功制备出了聚苯硫醚高性能电子封装材料,制备的PPS电子封装材料具有低吸水性、低热膨胀系数、高强度以及优异的介电性能等综合性能,优于目前常用的环氧类电子封装材料.     

半导体器件引线框架材料的现状与发展

本文评述了半导体器件引线框架材料国内外研究开发的现状 ,对引线框架材料性能和材料设计进行了分析 ,并讨论了随着计算机和信息工业的迅猛发展 ,引线框架材料今后的发展趋势。     

半导体器件引线框架材料的现状与发展

本文评述了半导体器件引线框架材料国内外研究开发的现状,对引线框架材料性能和材料设计进行了分析,并讨论了随着计算机和信息工业的迅猛发展,引线框架材料今后的发展趋势。     

含ZrFeNi42合金再结晶及蚀刻性能的研究

作为电子封装工业用蚓线框架主要材料之一的ＦｅＮＨ２合金应当具有良好的应用性能。本工作研究了微量添加元素Ｚｒ对ＦｅＮＨ２合金再结晶及晶粒长大的影响。结果表明，Ｚｒ元素可以明显地提高合金的再结晶温度，并能有效地抑制合金再结是昌后的晶粒长大。此餐，腐蚀实验的结果表明，Ｚｒ元素的加入可以改善合金腐蚀后的表面粗糙度，这将有利于蚀刻法生产所获得的ＦｅＮｉ４２合金引线框架的质量。利用本工作所研究的含ＺｒＦｅＮｉ     

高强度导电铜基材料的研究现状与发展前景

简述了高强度导电铜基材料的设计思路,分析了时效强化、颗粒强化以及形变复合等3类铜基材料的制备方法和特点,综述了高强度导电铜基材料的研究现状,并展望了其进一步发展的趋势.     

FeNi42引线框架材料的研究进展

FeNi42合金常被用于制作高可靠性陶瓷封装集成电路的引线框架.随着集成电路向高集成度、多功能化和小型化方向发展,其引线数增多、引线间距减小,因此对引线框架材料的强度和冲裁加工性能提出了更高的要求.主要概述了在提高引线框架用FeNi42合金薄带强度和冲裁加工性能方面的研究进展,指出合金中非金属夹杂物的数量、尺寸和分布对带材性能有重要的影响,同时分析了国产该材料存在的主要问题.     

电子封装基片材料研究进展

阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求,分析了电子封装用陶瓷,环氧玻璃,金钢石,金属及金属基合材料的性能特点,论述了电子封装基本的研究现状,并指出了发展方向。     

柔性电子器件集成与其在包装上的应用

目的 分析柔性电子和柔性基底的发展现状、趋势和前景,为促进智能包装的进一步发展提供参考.方法 先从柔性基底材料入手,梳理常见基底材料性能;再综述柔性电子器件集成的研究现状及主要的集成技术,并讨论其在包装上的应用.结论 具有较好柔韧性和降解性的纸基可作为柔性电子集成的基底材料,结合柔性印刷电子技术和传统硅基电子技术的优势,将柔性电子器件通过蛇形互联结构集成并封装在柔性基底上,从而制备集成可拉伸的微系统,且随着新型印刷电子材料、印刷工艺、新技术和新设备的不断涌现,柔性电子器件集成于柔性基底上并应用于包装将成为一大研究热点.     

铜基封装材料的研究进展

具有高导热性的铜基封装材料可以满足大功率器件即时快速大量散热的要求,是一种重要的封装材料.综述了Cu/Mo、Cu/W传统铜基封装材料和Cu/C纤维、Cu/Invar(Mo、Kovar)/Cu层状材料、Cu/ZrW2O8(Ti-Ni)负热膨胀材料及Cu/SiC、Cu/Si轻质材料等新型铜基封装材料的性能特点、制备工艺与问题.指出轻质Cu/Si复合材料将是铜基封装材料中一个新的具有前景的研究方向.     

AlSiC电子封装材料及构件研究进展

AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.     

新型硅基铝金属高性能电子封装复合材料研究

微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求.在传统封装材料已不能满足现代技术发展需要的情况下,新型硅基铝金属复合材料脱颖而出,以其优异的综合性能成为备受关注的焦点.高体积分数硅基体带来的低热膨胀系数能很好地与芯片相匹配,连通分布的金属(铝)确保了复合材料的高导热、散热性,两者的低密度又保证了复合材料的轻质,尤其适用于高新技术领域.重点探讨了硅基铝金属铝复合材料的主要制备技术及其组织性能机理,并对其未来发展作出展望.     

包装设计中纺织品材料的运用

介绍了可用作包装材料的纺织品的性能和优点,并对纺织品这种绿色包装材料在食品类、化妆品类、电子产品类、日用品类等包装设计中如何应用展开了研究,同时提出在具体运用时应该注意符合产品风格、不影响产品性能等问题,从而为拓宽包装设计中材料的选用范围、打造风格迥异的包装设计、实现绿色包装设计的目标提供参考依据。     

电子产品整体包装设计

简述了整体包装设计的概念和方法,并针对电子类产品,按照整体包装设计的技术路线,从包装材料选择、包装结构设计、包装测试、包装运输和包装回收利用等整体包装主要环节,阐述整体包装设计方法的应用。     

Brass-matrix silicon carbide whisker composites prepared by powder metallurgy

Brass (Cu-18Zn)-matrix and copper-matrix composites containing 0–50 vol% silicon carbide whiskers were fabricated by powder metallurgy using both the admixture method and the coated filler method, such that the fabrication of the copper-matrix composites did not involve a liquid phase whereas that of the brass-matrix composites did during the sintering process. The coated filler method gave composites with lower porosity, greater hardness, higher compressive yield strength, lower coefficient of thermal expansion (CTE), higher thermal conductivity and lower electrical resistivity than the admixture method, though the differences were much larger for copper-matrix composites than brass-matrix composites due to the liquid phase present during the fabrication of the brass-matrix composites. The mechanical properties of the brass-matrix composites were similar to those of the copper-matrix composites (also made by the coated filler method) at >35 vol% SiC, but were superior to those of the copper-matrix composites at <35 vol% SiC. The CTE was lower for brass-matrix composites than copper-matrix composites at >35 vol% SiC. The thermal conductivity was lower and the electrical resistivity was higher in brass-matrix composites than copper-matrix composites at <50 vol% SiC.