首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
如果在PbTiO3(PT)粉末中添加适量的Pb(Sn1/3Nb2/3)O3(PSN)粉末,可以制成高温PT-PSN系陶瓷,并可以此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器,本文主要报导PT-PSN系压电陶瓷的制备工艺,性能参数和试验结果。  相似文献   

2.
合成了添加过量PbO后的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PZN-PT)系陶瓷,并研究了其相结构及介电性能、在(1—x)PZN—xPT(0.1<X<0.2)系陶瓷体中,添加过量PbO提高了钙钛矿结构的稳定性,但过多地添加PbO不利于提高其介电性能,当PT的摩尔浓度为14—19mol%时,这些组分最大介电常数和温度的关系与频率无关,而其介电常数的温度特性仍随频率变化而弥散  相似文献   

3.
制备了纯钙钛矿相Pb(Fe1/2Nb1/2)O3(PFN)陶瓷,研究其介电性能表明,PFN陶瓷无论退火与否都存在弥散性相变(DPT)现象,未退火试样εmax对应的温度Tm不随测量频率变化,退火试样的Tm随频率变化,即表现出Tm频率色散现象,结合XRD分析,指出PFN应属弛豫铁电体。  相似文献   

4.
合成了添加过量PbO后的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PZN-PT)系陶瓷,并研究了其相结构及介电性能,在(1-x)PZN-xPT(0.1<x<0.2)系陶恣体中,添加过量PbO提高了钙钛矿结构的稳定性,但过多地添加PbO不利于提高其介电性能。当PT的摩尔浓度为14-19mol%时,这些组分最大介电常数和温度的关系与频率无关,而其介电常数的温度特性及仍随频率变化而弥散。  相似文献   

5.
UHMWPE-SiAlON陶瓷摩擦副的生物摩擦学特性及机理的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
为了探索SiAlON陶瓷与超高分子量聚乙烯(UNMW-PE)组合作为人工关节置换材料的可能性,利用Falex摩擦磨损实验机测定了SiAlON陶瓷与UHMWPE在37℃、血浆润滑条件下的生物摩擦学性能。同时,在扫描电镜下观察了摩擦副表面形貌。实验结果表明UHMWPE-SiAlON陶瓷摩擦副的摩擦系数为0.06,UHMWPE的磨损系数小于8.45×10-10mm3/(N·m)。表面轮廓仪对摩擦磨损前后SiAlON陶瓷表面测试,未发现明显变化,说明陶瓷磨损甚微。根据XPS分析结果,提出了生物摩擦磨损机理。  相似文献   

6.
莫艳  李龙土 《功能材料》1998,29(5):521-522
研究了用固相法制备的掺(Sr,Pb)TiO3陶瓷的热敏特性。结果表明,掺Nd的(Si,Pb)TiO3陶瓷具有良好的NTC-PTC复合热敏特性,主要参数:Tc=123℃,pRT=150Ωcm,pmin=15.44Ωcm,α(-)50=-3.06%/℃,α(+)50=7.57%/℃,降阻后材料仍为典型的ABO3型钙肽矿结构;Nd^3+一部分以施主形式进入A位,一部分仍以Nd2O3的形式残留在试样中。S  相似文献   

7.
本文研究了锰掺杂对PZN-PFN-PFW系陶瓷相组成的影响,用XRD和SEM法探讨了PZN-PFN-PFW系中PZN含量与焦录石相形成间的关系。结果表明,在该三元系中添加0.15wt%MnCO_3就能获得完全无焦录石的钙钛矿型结构的陶瓷。  相似文献   

8.
提高Si3N4抗氧化性能的陶瓷涂层   总被引:1,自引:0,他引:1  
张其土 《材料保护》1997,30(6):22-24
采用Sol-Gel法在热压Si3N4表面涂上一层SiO2涂层,用X光电子能谱(XPS)检测了涂覆SiO2后Si3N4表面的组成,结果表明,在Si3N4表面有SiO2涂层存在,经涂覆 热压Si3N4在130℃氧化100h后,氧化增重从未涂覆的0.42mg/cm^2降到0.28mg/cm^2。  相似文献   

9.
对Pb(Ni1/3Nb2/3O3-PbZrO3-PbTiO3,即xPb(Ni1/3Nb2/3)O3-(1-x)Pb(ZrδTi1-δ)O3(0.2≤x≤0.6,0.2≤δ≤0.5)三元系固溶体的压电性能进行了研究,结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界(MPB)附近,压电常数d31值可达260×10-12C/N.讨论了结构相变对压电性能的影响.  相似文献   

10.
氧氮玻璃连接Si3N4陶瓷的可行性研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文采用Y-Si-Al-O-N系氧氮玻璃对Si3N4陶瓷进行了1450,1600℃保温30min的润湿实验和连接实验,结果表明,氧氮玻璃对Si3N4的润湿性较好,1450℃时两者的热膨胀系数差异明显,而1600℃时热膨胀系数差异减小,接头附近存在扩散区,氧氮玻璃可以连接Si3N4陶瓷。  相似文献   

11.
超声压电陶瓷换能器可以探测5000m以下深处的地质结构和油井固实程度。用于压电陶瓷换能器的PT-PSN陶瓷性能参数是,Tc=380℃,kt=45%,εr=420,tanδ=1.5%,Qm=2200,Ec=733V/mm。经实验测量和现场试验表明,在温度高达200℃时压电陶瓷换能器的性能稳定,测量精度高。  相似文献   

12.
采用共沉淀法结合煅烧工艺制备La(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mn0.2Ni0.2)O3钙钛矿结构高熵陶瓷粉体, 显著降低了材料的合成温度。采用不同手段对其进行物相及形貌表征, 研究结果表明, 当煅烧温度为800 ℃时, 样品已经形成钙钛矿结构, 但有少量第二相; 当煅烧温度为1000 ℃时, La(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mn0.2Ni0.2)O3陶瓷粉体形成了纯钙钛矿结构。以La(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mn0.2Ni0.2)O3为电极材料制成工作电极, 采用三电极体系对工作电极进行电学性能测试, 包括循环伏安(CV)及恒流充放电(GCD)测试, 结果显示该电极材料在1 A/g电流密度下具有154.8 F/g的比容量;当电流密度增大到10 A/g时, 该电极材料仍然能保持初始比容量的47%(73 F/g), 说明La(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mn0.2Ni0.2)O3高熵陶瓷具有较好的倍率性能。  相似文献   

13.
近年来, 冷烧结低温制备陶瓷引起了很大关注, 并在BaTiO3陶瓷的制备上取得了一定进展。为了提高冷烧结BaTiO3陶瓷性能, 本研究采用水热法制备了分散性好、粒径为100 nm的四方相(晶格参数c/a为1.0085) BaTiO3粉末。采用0.1 mol/L的乙酸在100 ℃/1 h的条件下对粉末进行水热活化处理。以质量分数10% Ba(OH)2·8H2O为熔剂, 在350 MPa、400 ℃/1 h的条件下对粉体进行冷烧结, 最后经600 ℃/0.5 h退火获得了相对密度为96.62%、晶粒尺寸为180 nm, 常温介电(εr)为2836, 介电损耗(tanδ)低至0.03的BaTiO3陶瓷。乙酸处理后高活性粉末表面形成的非晶钛层有效促进了陶瓷的致密化, 抑制了杂相的生成和晶粒长大, 提高了介电性能, 大幅改善了冷烧结BaTiO3陶瓷出现的介电弥散现象, 从而实现了BaTiO3陶瓷的低温冷烧结制备。  相似文献   

14.
The effect of humid atmosphere (59 and 86%) on phase composition and properties of YBa2Cu3O7−y powder and ceramics prepared by hot pressing has been studied. It has been found that with increase of water content in the powder to 1·6 mass.% the superconducting properties of the corresponding ceramics gradually improve; on further increase of the water content the ceramics degrade resulting in a complete loss of superconductivity. The observed phenomenon can be explained by a plastifying effect of water on the powder by hot pressing on the one hand and by a solid-phase reaction of the products of decomposition (1-2-3) at a high temperature annealing, on the other.  相似文献   

15.
利用溶胶-凝胶法制备CaCu3Ti4O12粉体,采用差热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜等技术进行表征,并探讨CaCu3Ti4O12粉体的烧结特性及电性能。结果表明,干凝胶经750℃低温煅烧可获得粒径分布较窄、平均粒径为80~100 nm的CaCu3Ti4O12粉体。CaCu3Ti4O12陶瓷在1 000℃时实现致密烧结,比固相反应法制备的粉体烧结温度降低100~200℃,具有较宽的烧结温区。溶胶-凝胶法制备的陶瓷经1 050℃烧结2 h,获得优良的电性能,相对介电常数为20 190,介电损耗为0.022,非线性系数为4.530。  相似文献   

16.
本工作对铈离子掺杂多晶硅酸镥(LSO:Ce)闪烁材料的制备方法进行了系统研究。将LSO:Ce前驱体溶胶喷雾干燥后得到了球形LSO:Ce前驱粉体, 该前驱粉体在1000℃和1100℃的温度下煅烧后分别得到了不同晶型的的单相LSO : Ce球形粉体。显微结构观察显示: 粉体颗粒的平均直径约为2 µm, 是由几十纳米大小的LSO:Ce纳米晶粒堆积而成。A型球形LSO:Ce粉体经1200℃/80MPa的放电等离子体烧结(SPS)后获得了平均晶粒尺寸为1.3 µm, 相对密度高达99.7%的LSO:Ce闪烁陶瓷。由A型球形LSO:Ce粉体压制的素坯在1650℃的空气气氛下烧结4 h后可获得相对密度达98.6%, 平均晶粒尺寸为1.6 μm的LSO:Ce陶瓷。该陶瓷经1650℃/150 MPa的热等静压(HIP)处理1 h后, 获得了相对密度为99.9%的半透明LSO:Ce闪烁陶瓷, 其平均晶粒尺寸为1.7 μm, 晶界干净。该LSO:Ce陶瓷的光产额可达28600 photons/MeV, 发光衰减时间为25 ns。  相似文献   

17.
本研究以碳酸氢铵(AHC)为沉淀剂, 采用共沉淀法制备了TGG粉体。以上述粉体为原料, 将素坯于1500 ℃空气预烧3 h, 然后于1550 ℃, 150 MPa氩气气氛下HIP后处理3 h获得TGG陶瓷。系统研究了碳酸氢铵与金属离子摩尔比(R值)对合成粉体的相组成、形貌以及TGG陶瓷的透光率和Verdet常数的影响。R=3.6, 4.0和4.4的前驱体在1100 ℃煅烧形成纯相TGG粉体, 而R=3.2的前驱体经相同温度煅烧后形成了TGG和Ga2O3的混合相粉体。R=4.0的TGG粉体分散性和均匀性最好, 故制备的陶瓷光学质量最佳。R=4.4的粉体具有较严重的团聚, 这与其前驱体形貌密切相关。以R=4.0的粉体为原料, 制备的TGG透明陶瓷在1064 nm处的直线透过率为80.1%。制备的TGG陶瓷在633 nm处的Verdet常数和商业TGG单晶(-134 rad·T -1·m -1)几乎相等。  相似文献   

18.
α-Al2O3为原料, 采用碳热还原氮化法合成AlON粉体, 利用活性炭和亚微米碳粉改变球磨后一次粉体(α-Al2O3和C混合粉体)的形核密度, 并研究形核密度对AlON粉体相组成、形貌及其透明陶瓷透光性的影响。结果表明, 形核密度不同的一次粉体在1750℃保温60 min均能合成纯相AlON粉体, 但是所合成的两种AlON粉体形貌和性能差异较大。高形核密度下(添加活性炭)合成的AlON粉体形貌不规则、结构疏松且晶粒较小, 并易于球磨获得细颗粒粉体(~0.93 μm); 而低形核密度下(添加亚微米碳粉)合成的AlON粉体整体形貌呈近球形, 晶粒发育较完整, 且尺寸较大, 该粉体球磨后颗粒尺寸较大(~2.13 μm)。因此, 形核密度是影响AlON粉体形貌、结构特征和破碎性的主要因素。研究结果表明, 高形核密度粉体合成的AlON粉体具有更好的烧结活性, 它在1880℃保温150 min获得的透明陶瓷最大红外透过率达76.5% (3 mm厚), 比低形核密度粉体制备的透明陶瓷提高48.3%。因此, 以α-Al2O3为原料时, 提高形核密度有利于制备颗粒较小的高活性AlON粉体, 该粉体适合制备高透过率AlON透明陶瓷。  相似文献   

19.
BaTiO3微粉加镁颗粒表面改性的研究   总被引:5,自引:3,他引:2  
  相似文献   

20.
[1]T.J.Whalen: Ceram. Eng. Sci. Proc., 1986, 7, 1135. [2]Lingshen WANG: Special Ceramics, Published by Zhongnan Institute of Technology, 1994. 165. (in Chiness) [3]W.J.Kim and Y.W.Kim: J. Am. Ceram. Soc., 1998,6, 1669. [4]D.H.Kim and C.H.Kim: J. Am. Ceram. Soc., 1990,5, 1431. [5]Y.W.Kim, H.Tanaka, M.Mitomo and S.Otani: J. Am. Ceram. Soc. Jpn., 1995, 3, 257.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号