气流粉碎B4C粉末的掺碳活化烧结研究

开展了气流粉碎B4C粉末(比表面积2．53m2/g)的掺碳烧结实验，研究了掺碳剂种类、掺碳量、烧结温度、比表面积等对B4C烧结密度的影响．结果表明，掺碳显著促进B4C的烧结；在炭黑、葡萄糖和酚醛树酯三种掺碳剂中，掺入酚醛树酯可以获得最高的烧结密度；并且最佳的掺碳量为3％-5％C．B4C 3％C(酚醛树酯)分别经2200和2250℃烧结后的密度为92．1％TD和94．4％TD．若采用振动球磨B4C粉末(8．30m2／g)进行掺碳烧结实验，则可使2200℃的烧结密度提高到95．6％TD．     

B4C超细粉末的制备及烧结

采用气流粉碎对Ｂ_４Ｃ粗粉（比表面积０．５２ｍ^２／ｇ,中位粒径２０．４μｍ）进行了一系列粉碎实验,研究了气流粉碎次数、成形压力和烧结温度对烧结密度的影响．结果表明,当粉碎次数达到３次后,可获得＜１μｍ的Ｂ_４Ｃ超细粉末．经过４次气流粉碎的Ｂ_４Ｃ超细粉末的比表面积为２．５３ｍ^２／ｇ,中位粒径为０．５６μｍ;粉末分别于２２００和２２５０℃压烧结１ｈ,其烧结密度分别达到理论密度的７８．６％和８２．５％,平均晶粒尺寸分别为２８和５０μｍ抗压强度分别为３９０和５５５ＭＰａ．     

B4C陶瓷的协同增韧

采用热压工艺制备的Ｂ４Ｃ－３５ｖｏｌ％ＴｉＢ２复相陶瓷的断裂韧性值从单体Ｂ４Ｃ的３．６ＭＰａ－ｍ＾１／２以６．５ＭＰａ．ｍ＾１／２， 游离碳后的韧性进一步提高，达７．６ＭＰａ．ｍ＾１／２，显微结构观察表明，材料韧性的改善是因第二相颗粒的ＴｉＢ２和基体Ｂ４Ｃ之间的热膨胀系数不匹配而产生的残余应力导致的偏转和游离碳的 产生的微开明纹协同增韧的结果，游离碳的存在削弱了界面的结合强度，在很强的残余应力的和     

气流粉碎B4C粉末的掺碳活化烧结研究

开展了气流粉碎B₄C粉末(比表面积2.53m²/g)的掺碳烧结实验,研究了掺碳剂种类、掺碳量、烧结温度、比表面积等对B₄C烧结密度的影响。结果表明,掺碳显著促进B₄C的烧结;在炭黑、葡萄糖和酚醛树酯三种掺碳剂中,掺入酚醛树酯可以获得最高的烧结密度;并且最佳的掺碳量为3％～5％C,B₄C+3％C(酚醛树酯)分别经2200和2250℃烧结后的密度为92.1％TD和94.4％TD,若采用振动球磨B₄C粉末(8.30m²/g)进行掺碳烧结实验,则可使2200℃的烧结密度提高到95.6％TD。     

梯度复合B4C/Cu面向等离子体材料的制备与表征

基于B4C和Cu材料具有明显电阻率及熔点差的特点,提出了在超高压下通电快速烧结B4C／Cu梯度复合材料的新工艺。在2－4GPa,12kW,40s及适当的热处理条件下成功制备出了成分分布从0－100％的接近理论密度的B4C／Cu层状复合材料;显微观察显示材料的成分和结构是呈梯度分布的。化学溅射实验表明其产额比SMF800核纯级石墨降低70％;在Tokamak原位等离子体辐照下,材料表面无明显损伤。     

纳米级超细粉末的制备

纳米级超细粉,无论是作为粉体材料,还是作为具有新型固态结构的纳米晶块状材料的基体,都有着十分重要的意义。本文结合实例,综合介绍纳米级超细粉的几种有效或有潜在可能的制备方法,其中包括近年来迅速发展的辐射分解法和超临界流体技术。     

β-Si3N4粉末烧结及其显微结构形成

由β－Ｓｉ３Ｎ４粉末通过一定的工艺条件得到致密的氮化硅陶瓷,试样的显微结构为短柱状和等轴状颗粒交织排列而成的均匀结构。材料的烧结过程分为重排晶形转变、晶粒生长三个阶段,随烧结时间增加,烧结试样的显微结构开始阶段变化很明显,２ｈ后结构比较稳定,温度升高有利于柱状颗粒长径比的提高,添加剂量的增加使显微结构粗化。     

碳化硼粉末制备方法的研究进展

碳化硼是一种非常重要的非金属材料,具有优良的力学、热学及电学性能,在军事、微电子学、核物理、空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景.碳化硼陶瓷粉末的制备方法有碳热还原法、自蔓延高温合成法、元素直接合成法、化学气相沉积法和机械合金化法等.综述了这些方法的特点和研究进展,指出了制备碳化硼粉末的主要发展方向.     

水热过程—一种制备超细粉末的特种技术

水热过程是指高温、高压下,于水、水溶液或蒸汽等流体中所进行的有关化学反应的总称。以往,它仅作为一种研究地球化学,了解矿物成因的手段。70年代后,它已发展成为包括氧化、沉淀、分解、烧结、合成、晶体生长等全湿法化工过程,用以产生和改进无机氧化物产物,这些改进的无机氧化物可在要求超精细、高纯度的高级染料、陶瓷制品和电子材料等领域中得到应用。自1982年召开第一届国际水热反应学术会议以来,水热制备超细粉末和晶体材料引起了世界性的重视。从两届国际会议发表的论文来看,     

化学气相淀积制备Si3N4超细粉末

本文研究了ＳｉＣｌ４－ＮＨ３－Ｎ２－Ｈ２系统平衡热力学，确定了Ｓｉ３Ｎ４合成的最佳热力学条件。采用电阻炉化学气相淀积法制备了Ｓｉ３Ｎ４超细粉末，并考察了工艺条件对颗粒形貌的影响。     

由聚碳硅烷生成纳米SiC颗粒增强B4C基复相陶瓷的结构与性能

制备了由聚碳硅烷（PCS）为先驱体裂解形成的纳米SiC增强的B4C基复合材料，并与直接球磨混合法制备的纳米SiC增强的B4C基复合材料进行了对比研究。实验结果表明，先驱体法制备的复合材料形成一种复杂的晶内/晶间结构；B4C内部的纳米SiC和Al2O3内部的少量纳米SiC、晶界处的层片状SiC、B4C晶粒内部的SiC亚晶界结构。材料的断裂方式以穿晶断裂为主，形成晶内裂纹扩展路径，增强了材料的韧性，采用PCS为先驱体工艺制备高性能的纳米复相陶瓷，其组织均匀性、致密度和力学性能均优于直接机械混合制备的纳米复合材料。     

共沉淀法制备钛酸铋超细粉体

通过共沉淀法制备了钛酸铋细粉体，并研究了其前驱体的晶体过程和粉体的烧结行为，研究结果表明该方法能够明显降低钛酸饿的合成温度，在600℃已能得到比表面积为12m^2/g（粒度约为100nm)，无团聚的高纯超细钛酸铋粉体，该粉体具有较高的烧结活性，在950℃烧结即可致密化。     

镁铝尖晶石超微粉的制备方法

主要介绍了国外近年来制备MgAl_2O_4超微粉的各种方法、特点,并比较了它们的优缺点,根据合成原理将制备方法分为二大类:液相法和固相法。     

Sc2O3稳定的ZrO2超细粉的制备与烧结

本文用化学共沉淀法制备了Ｓｃ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２纳米超细粉。用ＸＲＤ，ＴＥＭ，ＳＥＭ以及ＢＥＴ测比表面等方法分析了粉体和烧结体的相组成的显微结构及其性能。实验结果表明６．０、７．８、９．６ｍｏｌ％Ｓｃ２Ｏ３掺杂量的粉体易于烧结，而３．５、１２．０ｍｏｌ％Ｓｃ２Ｏ３掺杂量的粉体则不易烧结，原因在于样品冷却过程中相变引起的体积变化以及烧结体中双重显微结构的存在。     

电沉积法制备铜分散电极

研究了电沉积制备铜分散电极的方法,通过对阴极极化曲线的测试,考察了电流密度及不同冲击电流方式对铜粉粒度的影响。结果表明:适当的电流密度、合适的分散剂、间歇式的电流是得到较细铜粉的条件。同时对铜分散电极的电化学性质进行初步测试,结果表明铜粉细化以后,铜分散差电池的电动势值有所上升。     

碳化硅超细粉的制备新法

用一种新的方法———双重加热法制备了直径在 5 0～ 6 0nm范围内的SiC超细粉 ,用化学分析方法、X射线衍射、透射电子显微镜等手段对SiC超细粉进行了表征。研究结果表明 ,用双重加热法制备SiC超细粉的最佳温度为135 0℃ ,恒温时间为 6 0min ,SiC超细粉的产率可达 98% (质量分数 )左右