阿特拉斯·科普柯组合压缩机应用于电子气领域

正电子气是集成电路、光电子、微电子,特别是超大规模集成电路、液晶显示器件、半导体发光器件和半导体材料制造过程中不可缺少的基础性支撑源材料。在液晶显示器件、半导体制造工艺中所需的普通电子气有氮气、氧气、氩气和氢气等,作为载体和保护气体。近年来阿特拉斯·科普柯气体与工艺部为一些世界知名气体公司新建的众多大型空分装置配     

半导体工业对特种气体的要求

特种气体在国防、化工、电子、冶金、能源等现代科研部门和国民经济的一些领域中有着广泛的用途。尤其是对于电子部门中的半导体领域，这类气体更显得重要。从半导体材料、半导体器件、集成电路的制造到半导体材料、器件的理论物理的研究都离不开各类特种气体。也就是说，如果没有合格的高纯、超纯气体和各种组成的混合气体就制造不出成品率高的集成电路，也就没有电子计算机。     

国外电子气体供气系统洁净技术

电子气体是发展大规模、超大规模和兆位级集成电路必不可少的材料。目前国外256K DRAM(动态存取存储器)已进入成熟期,1兆位DRAM进入全盛期,4兆位DRAM已正式销售,1987年首先由日本开发成功16兆位DRAM。为适应IC(集成电路)发展对材料的需求,国外许多特种气体公司先后开发出电子级、超大规模集成电路级(VLSI)和兆位级电子气体。线宽进入亚微米级后,尘埃、金属粒子污染问题更为人们所关注。本文简介粒子污染及其洁净技术的进展。一、尘埃和金属粒子源及其对半导体器件质量的影响在用于制造半导体器件的气体中,如存     

电子级气体中常规杂质检测方法集中验证会召开

半导体材料与器件生产过程中，必须用高纯气体作为保护气、反应气和携带气等，其质量会直接影响半导体材料、分立器件与集成电路的性能、可靠性和成品率。为此，电子部正积极组织制订高纯气及其检测方法的部颁标准。在有关单位进行调研和验证的基础上，在电子部七四二厂的大力支持与密切配合下，     

我国特种气体生产技术与国外的差距

论述了工业用标准气,环保气,大规模集成电路、光导纤维、非晶硅太阳电池制造用电子气,MOCVD的源材料—金属有机化合物,以及电子气配套器件国内科研、生产和制造的技术水平及其与国外的差距,指出配套器件技术水平与国外的差距比特种气体技术水平与国外的差距还要大,仅约相当于国外70年代中末期水平,而标准气约相当于国外80年代初中期水平,电子气则相当于国外80年代初期水平。特气生产技术关键是气体纯化技术及高纯或瞄蚀性气体包装技术等。为加速电子气国产化进程,提出了6项政策性措施。     

硒化氢的性质及制备方法

硒化氢可用于集成电路制造过程中的原材料、掺杂气体和还原气。由硒化氢直接与锌合成的硒化锌是重要的红外光学材料之一,是高功率CO2激光器系统中光学器件的首选材料。介绍了硒化氢的几种制备方法并对每种方法做了评价。     

硅单晶抛光材料的发展

硅单晶拉制成棒状后,经过外园磨园、内园切片、研磨和化学减薄、抛光等工艺获得适于大规模集成电路或器件要求的无损伤的高质量平滑表面。硅片的表面质量,包括表面的平整度、平行度、机械损伤、沾污等,对电路、器件整套工艺的成品率有严重影响。抛光是硅片加工工艺中的最后一道工序,它对最后得到的硅片的质量有重要作用。     

本底真空度和残余气体对集成电路金属薄膜淀积的影响

随着集成电路芯片器件特征尺寸不断缩小和一些特色工艺的要求,金属薄膜淀积对反应腔真空度和残余气体的要求越来越高,尤其对于高温厚铝溅射工艺,真空反应腔微环境的细小变化可能导致器件失效。本文采用氦质谱检漏仪,残余气体仪对出现问题的8英寸Al,W金属薄膜淀积设备进行真空和残余气体检查,采用扫描电子显微镜,透射电子显微镜,能量色散X射线光谱仪等方法对缺陷进行分析。研究表明设备真空腔体微漏和极微量的残余气体对Al,W金属薄膜质量影响很大。从设备的角度提出改善真空度、减少残余气体的措施,这些措施在实际生产中得到了验证和应用,达到减少设备停机时间,减少产品缺陷,提高成品率的效果。     

高效气体净化过滤器

用过滤器除掉气体中的尘埃微粒，国内、外巳得到普遍推广应用。近十多年来，集成电路技术发展相当迅速，集成度愈来愈高，功能愈来愈多，构造愈来愈复杂，线条宽度愈来愈细，加工制造愈来愈难。气体中的尘埃微粒对集成电路的质量及成品率有极大的影响，严重者会导致整个电路报废。     

国内外电子气体技术进展

本文综述了国外兆位集成电路制造用气体品种与纯度标准、MO源材料的开发、电子气体配套器件、电子气体技术进展。指出国内尚未开发出ULSI级气体,在纯化技术、气瓶及管线内表面处理技术、分析检测与安全技术特别是供气技术上与国外水平有一定差距。     

高纯液氧、液氮的研制及其供应

电子工业的迅速发展是现代科学的重要标志，大规模集成电路的生产技术更体现一个国家工业发展的水平。高纯氧、氮、氢、氩等气体，是半导体电子器件、集成电路生产工艺中必不可少的原料。这些气体纯度的高低，是直接影响电子器件质量和成品率的重要因素之一。世界工业发达国家的半导体集成电路生产工艺，不仅普遍应用高纯气体，而且有90％以上是采用高纯度液态气体直接汽化的输送气体。     

与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究

着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回路能有效地解决电互连芯片内部串扰、带宽和能耗等问题,并能够充分利用现有成熟的集成电路工艺,实现大规模生产,具有广阔的实用前景.     

非贵金属球焊丝的开发

以非贵金属丝代替半导体器件及大规模集成电路球焊金丝,不仅具订十分巨大的经济效益,而且能提高内引线的焊接性能和高温强度,增大器件的可靠性和使用寿命,实现高密度、长回路的配线。本文指出只要在焊接时增加气体保护,适当改变焊接工艺,就可以得到与高纯 Au丝相匹敌的效果。     

气体工业名词术语

掺杂气体（ＤｏｐａｎｔＧａｓｅｓ）在半导体器件和集成电路制造中，将某种或某些杂质掺入半导体材料内，以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，用来制造ＰＮ结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷...     

电子级高纯氯研制成功

电子级高纯氯是我国电子工业当前急需的特种气体，主要用于半导体元、器件和大规模集成电路制造工序中的热氧化、反应离子蚀刻、晶体生长和MCVD法生产单膜光导纤维预制件，以及有关工业、基础科学研究等尖端技术。我国过去使用的电子级高纯氯全部依赖进口。     

PCM参数在圆片制造中的影响

在集成电路圆片的生产制造过程中,产品线通常会采取一些方法来监控生产过程以确保产品的合格率,对这个过程的控制监控简称PCM。监控PCM的参数能及时发现问题,如果对发现的问题及时改进,那么对于提高产品成品率和可靠性是一种比较有效的手段。产品的成品率在理想的情况下决定了一种工艺的缺陷密度,工艺波动造成的某些PCM参数的离散往往是影响成品率的主要因素。所以产品的可靠性和PCM参数的设置,以及PCM参数漂移有着极为密切的关系。     

国内简讯

高纯电子气体重大专项启动近日,由中昊光明化工研究设计院有限公司等6家国内电子气体从业单位共同承担的国家重大专项高纯电子气体研发与产业化项目日前正式启动。该项目是《国家中长期科技发展规划纲要》确定的16个国家科技重大专项之一——极大规模集成电路制造装备及成套工艺课题的一部分,将重点开展8 inch以上IC制造用高纯电子气体关键共性技术研究,并实现产业化,为我国IC制造业提供高端电子气体。     

固体摄像技术在摄录机中的应用

固体摄像技术在摄录机中的应用刘文开，丁启芬固体摄像技术是半导体技术与大规模集成电路技术在视频摄像领域所取得的重大技术成就。固体摄像技术的核心是很像器件的固体化。固体摄像器件的研制始于六十年代，从一开始便受到了各方面的重视，制造技术与工艺方面的进展十分...     

气相色谱法分析高纯气体的几个问题

前言随着新技木的发展,各领域对高纯气体的品种和质量要求愈来愈高,半导体微电子器件工业,电真空材料加工,各种金属的冶炼和处理,大规模集成电路的研究和生产,色谱等精密仪器用的载气、零点气、标准气的制备,金属有机化合物的合成,石油化     

薄膜热导率测量方法研究进展

薄膜材料对微纳器件制造不可或缺,而其热导率直接限制微纳器件的散热性能,从而影响器件的可靠性。因此,研究薄膜热物理性质对于半导体器件的制造以及集成电路的设计极为重要。为此,对薄膜材料热导率测量方法进行了综述,并在分析薄膜微结构模型的基础上,对热导率测量方法进行了可行性分析,从而为薄膜材料热性能测量提供技术参考。