共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
低压下用CO H_2气体制备人造金刚石的相图计算 总被引:1,自引:0,他引:1
用非平衡热力学耦合模型计算了低压下由CO+H2气体制备人造金刚石的相图.这些相图与经典的平衡热力学理论计算的相图不同,都有一个金刚石生长区.金刚石生长区的存在是实现用CO+H2气体制备人造金刚石的热力学基础.本文认为相图中的金刚石生长区是体系中超平衡氢原子和超平衡氧原子对金刚石相和石墨相不同作用的结果.不同压力下相图中金刚石生长区的范围稍有不同,压力降低时,金刚石生长区将向低CO浓度的方向移动.本文还将计算的结果与报道的实验结果进行了对比分析,两者基本相符. 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
CVD金刚石薄膜(111)与(100)取向生长的热力学分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用非平衡热力学耦合模型计算了CVD金刚石薄膜生长过程中C2H2与CH3浓度之比[C2H2]/[CH3]随衬底温度和CH4浓度的变化关系,从理论上探讨了金刚石薄膜(111)面和(100)面取向生长与淀积条件的关系。在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中,[C2H2]/[CH3]逐渐升高,导致金刚石薄膜的形貌从(111)晶面转为(100)晶面。添加氧后C2H2与CH3浓度都将下降,但C2H2下降得更多,因而添加氧也使[C2H2]/[CH3]下降,从而有利于生长(111)晶面的金刚石薄膜。 相似文献
7.
从分子动力学的观点出发,引入了吸附因子,建立了势壁低压化学气相淀积多晶硅薄膜的膜厚模型,在此进行计算机模拟。模拟结果与R.S.Rosler的实验结果相似,该模型从分子动力学的角度阐明了多晶硅薄膜的生长过程。 相似文献
8.
激活温度和衬底温度是低压人造金刚石制备过程中的两个重要的温度参数,激活温度决定着制备过程中一些重要激活粒子如超平衡氢原子和超平衡氧原子等浓度,而衬底温度对能否 生长金刚石也有重要作用。采用合理的理论计算可以预测温度对金刚石生长条件的影响。本研究采用非平衡力学硝模型计算了C-H、C-O和C-H-O体系不同激活温度下的金刚石生长相图,研究了激活温度和衬底温度对金刚石生长区的影响规律。本研究结果将对金刚 相似文献
9.
谢常青 《真空科学与技术学报》1995,(4)
从分子动力学的观点出发,引入了吸附因子.建立了热壁低压化学气相淀积多晶硅薄膜的膜厚模型,在此基础上进行了计算机模拟。模拟结果与R.S.Rosier的实验结果相似。该模型从分子动力学的角度阐明了多晶硅薄膜的生长过程。 相似文献