大尺寸Y:PbWO4晶体的坩埚下降法生长与光学均匀性研究

报道了大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ４晶体的坩埚下降法生长工艺，讨论了影响晶体生长的主要 因素．探讨了消除晶体开裂、抑制晶体组分过冷的工艺措施，成功地生长出无宏观缺陷的大尺 寸Ｙ：ＰｂＷＯ４晶体，尺寸达５２ｍｉｎ×５２ｍｍ×２５０ｍｍ．同时，对实验样品沿晶体生长方向不同部 位的横向透过率及发射光谱进行了测试，结果表明，坩埚下降法生长的大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ４晶体 具有较好的光学均匀性．     

钨酸铅晶体着色问题的实验研究

本计ＰｂＷＯ４（ＰＷＯ）晶体的着色问题进行了实验研究,以ＰｂＯ和ＷＯ３粉体为原料采用改进的Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的ＰＷＯ晶体会呈现出浅黄色,通过对实验现象的分析,提出了ＰＷＯ晶体中同时存在Ｏ缺位和Ｐｂ缺位,其中,Ｏ缺位是导致ＰＷＯ晶体３５０ｎｍ率低的原因,Ｐｂ缺位是产生４２０ｎｍ吸收带使晶体着色的根源。     

硅酸铋（Bi12SiO20）晶体生长的研究进展

本文介绍了光折变晶体ＢＳＯ生长研究的国内外进展。对ＢＳＯ晶体生长方法、组分和结构缺陷表征、材料性能的改进等几个方面进行了综合评述。讨论了各种生长方法的优缺点以及阻碍ＢＳＯ晶体批量生产的几种因素。指出坩埚下降法在实现大尺寸优质ＢＳＯ晶体的批量生产方面已显示出优越性，它应该成为今后ＢＳＯ晶体生长研究的一个重要发展方向。     

退火处理对PbWO4晶体闪烁性能的影响

本文报道了用改进的坩埚下降技术生长ＰｂＷＯ４晶体经退火处理后,对Ｘ射线激发发射谱,透过谱以及抗辐照损伤能力的影响,指出ＰｂＷＯ４晶体在适合的富氧气氛环境和温度制度下经退火处理后,闪烁性能及抗辐照能力明显得到改善。     

新型压电晶体Li2B4O7的性能、生长和应用

本文详细介绍了我们在Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７晶体坩埚下降法生长方面的研究进展，报道φ３、φ４无芯区、无孪晶、无云层、无开裂和无散射的Ｌｉ２Ｏ４Ｏ７晶体的生长条件与缺陷消除，包括高纯原料的制备与成型、缓慢的生长速率、微凸和平的固液界面形状和适当的自退火工序，同时还简要介绍了该晶体的基本性能，综述了近年来的研究进展以及该晶体在ＳＡＷ器件方面的应用。     

垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时坩埚下降速度的优化研究

在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中，坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响．本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析，主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响，发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因．模拟结果表明，当坩埚下降速度Vp≈1mm／h时，其数值与晶体生长速度接近相等，可获得接近水平的固一液界面．实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致。因此，通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。     

PbWO4晶体的热膨胀及坩埚下降技术生长晶体开裂分析

本文报道了坩埚下降技术生长钨酸铅盐晶体的热膨胀系数测量结果，讨论了热膨胀对晶体开裂的影响。同时探讨了克服晶体开裂的途径。由于生长时纵向温场效应以及晶体大的热膨胀系数和它的垢各向异性而引起的应变是导致晶体开裂的重要因素。     

氟化钙晶体的生长与缺陷研究

采用真空坩埚下降法在石墨坩埚中生长了大尺寸CaF2晶体.通过高温氟化获得无水高纯原料,自发成核发育籽晶,以＜2mm/h的生长速率,成功生长了直径170mm的CaF2晶体.研究了晶体的顶部析晶形貌、包裹体、解理等生长缺陷.     

Bridgman法生长的PWO晶体的发光特性和透光特性

本文采用改进的Bridgman法，以纯度不低于99．99％的PbO和WO3为原料，生长出无色透明的、大尺寸的PbWO4（PWO）晶体，研究了晶体沿生长方向不同部位的透射光谱及X射线激发的发射光谱特性．发现改进的Bridgman法生长的PWO晶体具有较好的发光均匀性和透光均匀性，其原因主要是改进的Bridgman法采用密封的坩埚，有效地抑制了组份（PbO和WO3）的挥发.     

坩埚下降法生长大尺寸Bi12GeO20晶体的宏观缺陷

Bi₁₂GeO₂₀晶体是一种多功能光电材料,在可见光范围内具有高速光折变响应,以及良好的压电、声光、磁光,旋光和电光等性能。目前,提拉法生长Bi₁₂GeO₂₀晶体,存在生长成本高、晶锭形状不规则、生长产率低、晶体光学质量差和有效晶体截面小等问题。本研究率先采用改进的坩埚下降法,在铂金坩埚和空气气氛中生长大尺寸Bi₁₂GeO₂₀晶体。通过各种分析测试方法研究生长获得的Bi₁₂GeO₂₀晶体中宏观缺陷的形态、分布和成分构成,探讨了晶体生长过程中主要宏观缺陷的形成过程和成因。坩埚下降法生长的Bi₁₂GeO₂₀晶体存在两种主要宏观缺陷：枝蔓状和管状包裹体。其中,枝蔓状包裹体与铂金溶蚀后的析晶相关,而管状包裹体与铂金析出、接种界面不稳定性和温度波动有关。本研究提出了消除坩埚下降法生长晶体中宏观缺陷的技术途径,通过降低生长控制温度、缩短高温熔体保持时间和优选籽晶等措施,可重复地生长...     

退火处理对PbWO4晶体闪烁性能的影响

本文报道了用改进的坩埚下降技术生长PbWO     

熔体组成与PbWO4:Y3+晶体闪烁性能稳定性的关系

部分PWO：Y^3 晶体辐照后光产额升高，并且辐照硬度对退火温度较敏感。本文选取未掺杂及Sb、La^3 ,Y^3 单掺和La^3 /Sb,Y^3 /Sb双掺的PWO样品进行对照实验，同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析。结果发现；低剂量辐射后光产额升高现象只存在于含Y^3 离子的PWO晶体中，并且这类晶体往往存在420nm吸收带；在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期，使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象，即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体。结合测试数据，本文讨论了该现象的起因和机理，提出了掺杂剂的选择原则。     

Spectroscopic properties of Yb3+-doped PbWO4 single crystal

Yb³⁺-doped PbWO₄ single crystal was grown using modified vertical Bridgman method. X-ray diffraction (XRD) analysis, optical absorption spectra, X-ray excited luminescence (XEL), fluorescence of ²F_5/2→²F_7/2 and its lifetime at room temperature were investigated. PWO:Yb³⁺ shows the broad absorption of Yb³⁺ (850–1050 nm) and efficient emission (950–1100 nm). Annealing exerts a distinct influence on the PWO:Yb³⁺ crystal, e.g. disappearance of color and annihilation of the absorption in the region around 450–750 nm, meanwhile the absorption of Yb³⁺ ions was enhanced by the annealing treatment. A novel luminescence band on the X-ray excited luminescence spectra of PWO:Yb³⁺ centered at about 500 nm was observed overlapped on that of PWO host.     

钨酸铅PbWO4闪烁晶体缺陷研究进展

本文介绍了近年来钨酸铅晶体缺陷研究方面的进展，这些结果表明了在钨酸铅晶体闪烁性能研究中考虑晶体缺陷影响的重要性。根据钨酸铅晶体的特点，就闪烁性能与非化学计量配比、晶体结构／多型性、杂质效应以及氧组份等因素的关系进行了简略的讨论。     

钨酸铅(PbWO_4)晶体的研究进展

钨酸铅(PWO)晶体由于自身特点:高密度(8.28g/cm~3)、短辐射长度(0.87cm)和Moliere半径(2.12cm)、快的闪烁衰减时间((?)<50ns)以及较强的抗辐照损伤能力,已经成为了最具发展潜力的闪烁晶体之一,作为一种良好的闪烁晶体,PWO晶体在高能物理、核医学等领域有着广泛的应用。主要综述了PWO晶体的结构、发光机制、自身缺陷、晶体生长的研究现状,着重阐述了生长工艺改善和离子掺杂改性对钨酸铅晶体性能的影响,分析了PWO晶体的发展前景。     

钨酸铅（PbWO4）闪烁晶体研究进展

钨酸铅（ＰｂＷＯ４）闪烁晶体是拟使用于西欧大型强子对撞机（ＬＨＣ）中精密电磁量能器量有希望的候选者，本文概要介绍了近年来国际上对于钨酸铅晶体的研究进展。包括它的闪烁性能、发光机制、辐照硬度和杂质效应等。本文最后列出了欧洲核子研究中心（ＣＥＲＮ）的ＣＣＣ组最近对７５根大尺寸ＰＷＯ晶体综合测试的统计结果。这有助于建立批量生产ＰＷＯ晶体的质量监控方法。     

Growth of lead sulfide single crystals by the bridgman method

Large crackfree crystals could be grown by the Bridgman technique using graphite ampoules. Their metallurgical properties are typical for Bridgman crystals. However, a high content of carbon is incorporated into the crystals using this method. The variation of the carrier concentration along the length of the crystal could be deduced from the phase diagram.     

Free carrier absorption in self-activated PbWO4 and Ce-doped Y3(Al0.25Ga0.75)3O12 and Gd3Al2Ga3O12 garnet scintillators

Nonequilibrium carrier dynamics in the scintillators prospective for fast timing in high energy physics and medical imaging applications was studied. The time-resolved free carrier absorption investigation was carried out to study the dynamics of nonequilibrium carriers in wide-band-gap scintillation materials: self-activated led tungstate (PbWO₄, PWO) ant two garnet crystals, GAGG:Ce and YAGG:Ce. It was shown that free electrons appear in the conduction band of PWO and YAGG:Ce crystals within a sub-picosecond time scale, while the free holes in GAGG:Ce appear due to delocalization from Gd³⁺ ground states to the valence band within a few picoseconds after short-pulse excitation. The influence of Gd ions on the nonequilibrium carrier dynamics is discussed on the base of comparison the results of the free carrier absorption in GAGG:Ce containing gadolinium and in YAGG without Gd in the host lattice.