AlN薄膜的研究进展

ＡｌＮ是一种重要的近紫外，蓝光半导体材料，本文就ＡｌＮ的物理特性，薄膜生长，性能测试分析的研究进展作一些阐述，对ＡｌＮ在制作发光器件，固溶体合金，电学绝缘等方面的应用也作了探讨。     

反应溅射AlN的模拟

研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式间出现一个很大的跃迁。为了准确描绘实验结果,建立了一个反应溅射模型。该模型以Berg在1988年提出的模型为基础,包括了靶上二次电子发射系数的变化。利用该模型能够预测溅射行为,计算结果与实测值相符。     

AlN薄膜的研究进展

AlN是一种性能优异的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在电、光和机械领域展现了极大的应用前景.结合国内外研究的热点问题和各科研团体最新的研究成果,从AlN的性质、AlN薄膜的制备方法、国内外AlN薄膜的最新研究进展及AlN薄膜的应用等4个方向进行了详细阐述.     

AlN压电薄膜研究进展

介绍了AlN压电薄膜的研究现状,着重突出了AlN薄膜的制备方法、择优取向结构及表面形貌等方面的研究,尤其对脉冲激光沉积工艺(PLD)镀膜的基本原理和过程、分别采用周期价键链(PBC)理论和断键模型对薄膜晶面择优取向机理的分析作了较为详细的探讨.最后简单讨论了AlN压电薄膜研究的发展趋势.     

Mg掺杂AlN的磁性

采用基于密度泛函理论(Density function theory,DFT)的第一性原理方法,计算研究了AlN中掺杂Mg后的电子结构和磁性。我们从理论上给出了AlN∶Mg的晶体结构参数和电子结构,计算了铁磁相和反铁磁相的总能,发现AlN∶Mg具有半金属特性,并且其铁磁相更稳定。我们通过分析比较AlN和AlN∶Mg的电子结构,解释了非磁性杂质Mg掺杂在AlN中产生磁性的原因是Mg取代Al后,会在自旋向下的价带顶部引入空穴,导致费米能级移入价带中,从而使自旋向上和自旋向下的态密度产生不对称的分布,从而导致材料中有净磁矩。另外,通过比较AlN∶Mg的多种构型的形成能,发现在纤锌矿结构AlN中掺入Mg比较容易实现,在闪锌矿结构中次之,但对于其它几何构型,由于形成能太高,Mg很难掺入到材料中。这种材料可作为制备非磁性掺杂的半导体自旋电子器件的备选材料。     

高纯AlN晶须的制备

以A1,A1N粉为原料,采用合适的矿化剂,通过控制反应器内的温度和气相过饱和度,可以获得不同尺度的A1N晶须或枝晶,合成出的A1N晶须纯度高,晶体结构完整,晶须直径可控（1－20μm),长度为cm级,高温合成的A1N枝晶,直径为1mm,长度约0.5cm,为六棱椎形针状晶体,在｛21^-1^-1｝,｛101^-1｝面存在明显的择优取向,生长机理为气－固（VS）机理。     

AlN陶瓷研究新进展

AlN陶瓷在热、电、光和机械等方面具有非常良好的综合性能 ,可广泛应用于电子、冶金、机械、国防等领域。随着人们对AlN陶瓷研究的深入 ,它变得越来越重要。本文详细地综述了近年来AlN陶瓷在晶体缺陷、导热机理、粉末的制备及其水解和氧化、烧结及其应用等领域的研究进展 ,并展望了AlN未来的发展趋势。     

AlN基板材料研究进展

氮化铝基板因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优良的物理性能，被誉为新一代理想基板材料。详细综述了AlN板的国内外研究现状及其导热机理；介绍并分析了基片制备的工艺流程和影响因素；概括总结了AlN基板的金属化和烧结工艺方面的研究进展；展望了AlN基板的发展趋势和前景。     

AlN电子薄膜材料的研究进展

AlN是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料,作为电子薄膜材料在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用.简介了AlN薄膜的制备方法,评述了国内外各科研团体的最新研究成果和进展,阐述了AlN薄膜的应用,并综述了近年来AlN薄膜作为缓冲层、SOI结构的绝缘埋层和吉赫兹级声表面渡器件压电薄膜的研究现状.     

AlN陶瓷注射成形的关键因素

讨论了粉末制备、粘结剂的选取与脱除、烧结工艺3方面因素对整个氮化铝注射成形工艺的影响,并指出了今后研究的重点.