一种高密度薄膜多层布线基板BCB通孔制作技术

为提高高密度薄膜多层布线基板的BCB通孔质量，提出一种高密度、微小通孔的间歇旋转喷淋显影新方法，利用激光扫描共聚焦显微镜和扫描电镜，对间歇旋转喷淋显影和传统浸没显影的BCB通孔显微形貌和微观结构进行了对比分析，同时，用扫描电镜和四探针测试仪，对间歇旋转喷淋显影的BCB通孔导通电阻及通孔互连剖面进行了研究.结果表明：间歇旋转喷淋显影与传统浸没显影相比，50和20 μm通孔内部显影充分，通孔轮廓边缘光滑；通孔内部基本没有杂质富集，无BCB胶底膜残存.不同位置区域对通孔导通电阻影响较小，50和20 μm通孔导通电阻平均偏差均小于1 mΩ；而不同的显影时间和喷淋压力对通孔导通电阻影响较大，当显影时间为65~90 s，或当喷淋压力为5~20 MPa时，50 μm通孔导通电阻均下降至10 mΩ，20 μm通孔导通电阻均下降至40 mΩ；50和20 μm通孔台阶覆盖良好.采用此显影方法制作出高密度薄膜多层布线基板实物，互连导通率均达到100%.     

LED绝缘铝基板的制备与散热性能研究

采用硬质阳极氧化工艺制备LED封装用铝基板绝缘层,通过实验分析了制备铝基板过程中氧化时间、草酸浓度、硫酸浓度和电流密度等因素对其氧化膜厚度、击穿电压的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数:电流密度3A/dm2,草酸浓度为10g/L,H2SO4浓度150g/L,氧化时间45min。利用原子力显微镜(AFM)观察热冲击后裂纹萌生的情况,结果表明铝基板有微小裂纹,但仍满足绝缘要求,通过对氧化铝膜热阻的测试发现,铝基板与氧化膜的复合热阻在1～3℃/W之间。结果表明用阳极氧化法制备的铝氧化膜满足LED基板对散热及绝缘性的要求。     

多孔型阳极氧化铝膜在纳米结构制备方面的研究和进展

铝的阳极氧化技术是一种被广泛应用的表面处理方法。近年来，人们发现用这种方法得到的多孔型阳极氧化铝膜（PAA）对于纳米材料的制备有着重要意义。成为国际研究的热点，本文回顾和介绍了铝的阳极氧化技术的机理，工艺和生长规律，介绍了多孔型阳极氧化铝膜在纳米结构制备方面的最新研究进展。     

LED灯铝基板的测试评价技术研究

阳极氧化铝基板同时具有高导热率和高绝缘性的优点,是一种性能优良的LED等铝基板。为了提高功率型LED灯的散热效率,对研制的铝基板进行了性能测试方法的研究。通过对常用的LED基板导热性能、绝缘性能以及金属电极膜层结合力测试方法进行对比研究,并选用了适合阳极氧化铝基板的测试方法对课题自主研制的铝基板关键性能进行了测试评价。结果表明:测试方法合理,基板的导热性能、绝缘性能以及金属电极膜层结合力满足使用要求。     

应用于等离子体显示器的铝电极及其介质层制备研究

提出用铝取代银作为寻址电极,氧化铝取代玻璃粉作为其上介质层的新型等离子体显示器(PDP)电极单元,对单项工艺进行了优化,并形成了完整可行的整体工艺路线,有望为PDP生产成本的降低提供一条新的技术途径.选用非连续磁控溅射和光刻-刻蚀工艺制备铝电极,阳极氧化工艺制备氧化铝介质层.用扫描电子显微镜对铝膜、氧化铝介质层及电极单...     

大功率LED封装用散热铝基板的制备与性能研究

通过正交试验分析了阳极氧化法制备LED封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响.得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数.根据优化参数制备了阳极氧化铝基板,将LED分别封装在自制基板和深圳光恒光电公司提供的铝基板上,检测温度与时间变化的关系,结果表明,自制散热铝基板性能更优.     

理想绝缘金属基板前处理工艺的研究

采用阳极氧化工艺制备理想绝缘金属基板阳极氧化绝缘层。利用激光干涉法测量阳极氧化膜层在热冲击过程中的开裂温度。研究了铝板表面不同前处理工艺对金属基板绝缘层热开裂温度的影响，利用扫描电子显微镜（SEM）观察裂纹萌生的位置，结果表明阳极氧化前铝表面微观不平将使阳极氧化膜中产生一种孔隙率高的界面，热冲击过程中这种界面上容易萌生裂纹。     

中性水溶液中阴极电解制备自支撑通孔氧化铝膜

提出一种自支撑通孔有序氧化铝膜(AAM)的阴极电解制备方法.在中性氯化钾水溶液中,以AAM/Al为阴极,石墨为阳极,电压为-4～-5V,电解3～10min即可把氧化铝膜从铝基底上剥离,同时去除背面阻挡层,获得自支撑通孔氧化铝膜.讨论了通孔氧化铝膜电解制备方法的剥膜、通孔的机理.     

铝合金表面阳极氧化处理及膜层的散热性能

通过阳极氧化在铝合金表面制备氧化铝薄膜,可提高铝基板绝缘及散热性能,是一种理想的发光二级管(LED)封装基板。在平行对电板模式下,采用直流电源,分别在硫酸和草酸体系中在1A90铝板表面制备了均匀、有序、纳米级孔洞结构的氧化铝薄膜。通过扫描电镜观察氧化膜的形貌并测量膜厚,采用高压电源测试了氧化膜的击穿电压。通过定值电阻通电模拟了LED放热,测试了氧化膜铝基板的散热能力。研究了电流密度、电解液类型及浓度、电极间距对氧化膜表面形貌、电绝缘及散热性的影响。结果表明:硫酸和草酸溶液中,随电流密度增加,氧化膜孔洞逐渐变大,孔壁变薄,当电流密度过大时,氧化膜表面杂乱无章;随电流密度增加,膜厚先增后减,电解液浓度对氧化膜形貌影响较小;硫酸溶液中所得氧化膜更致密、更厚;采用0.8 mol/L硫酸溶液,电极间距为7.5cm,电流密度为5.3 A/dm2时,可制备厚24μm,孔径约25 nm的氧化膜,其击穿电压达2.46 kV,散热性能良好。     

MCM低温共烧多层陶瓷布线基板热应力的模拟与分析

对MCM低温共烧多层布线陶瓷基板的两种典型布线模式在温度急剧变化条件下的应力场进行了计算机模拟，并分析了两种模型下的应力分布特点及差异。