Pb（Zn1／3Nb2／3）O3基复相陶瓷的结构与介电性能研究

在Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＢａＴｉＯ３－ＰｂＴｉＯ３系统中选用两种具有不同居里温度的固溶体为起始组元，按对数混合法则对Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基温度稳定电容器陶瓷的组成和介电性能进行设计的基础上，采用混合烧结法制备了（１－ｘ）ＬＴＣ－ｘＨＴＣ温度稳定电容器陶瓷。     

低温烧结Ph(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3基复相陶瓷中的两相共存与介电性能

分别采用氟化物和硼硅玻璃为助烧剂制备了低温烧结PZN基复相陶瓷，并借助介电温度特性研究了复相陶瓷中的两相共存与助烧剂的关系．结果表明，添加剂引入的晶格缺陷对复相陶瓷中的两相共存有显著影响,LiF助烧剂因引起晶格氧空位促进两相固溶化，而MgF2和硼硅玻璃助烧的PZN复相陶瓷可保持两相共存．以硼硅玻璃为助烧剂获得了低温烧结、具有X7R温度稳定特性的PZN基复相陶瓷．     

Ba添加方式对PZN基陶瓷介电性能和结构的影响

采用两种不同的添加方式,研究了Ba2 部分取代Pb2 所获得的PZN基铁电陶瓷的结构和介电性能.一种是BaCO3、PbO和ZnNb2O6进行预合成,然后烧结制备PZN基陶瓷;另一种是ZnNb2O6先分别与BaCO3、PbO进行预合成,然后再将两种预合成产物进一步烧结制备PZN基陶瓷.实验结果表明:随Ba2 取代量的增加,不同添加方式制备的陶瓷其钙钛矿相的稳定性增强;介电性能先上升然后又下降,相变温度Tm移向低温.比较Ba2 的两种不同添加方式,前者制备的陶瓷具有相对较低的Tm值和较小的晶粒尺寸,添加8mol%的Ba2 即可获得100%的钙钛矿结构;而后者为获得100%的钙钛矿结构则需要25mol?2 .     

Pb（Zn1／3Nb2／3）O3基复相陶瓷的制备及其介电温度特性

采用两相混合烧结法制备Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ陶瓷。结果表明：在一定烧结温度下起始两组元可以共存形成复相结构，从而改善材料了的温度特性，成功地获得了低烧，高介，具有Ｘ７Ｓ温度特性的温度稳定型ＰＺＮ复相陶瓷。／     

低温烧结Ph(Zn1/3Nb2/3)O3基复相陶瓷中的两相共存与介电性能

分别采用氟化物和硼硅玻璃为助烧剂制备了低温烧结ＰＺＮ基复相陶瓷，并借助介电温度特性研究了复相陶瓷中的两相共存与助烧剂的关系。结果表明，添加剂引入的晶格缺陷对复相陶瓷中的两相共存有显著影响。ＬｉＦ助烧剂因引起晶格氧空位促进两相固溶化，而ＭｇＦ２和硼硅玻璃助烧的ＰＺＮ复相陶瓷可保持两相共存。以硼硅玻璃为助烧剂获得了低温烧结、具有Ｘ７Ｒ温度稳定特性的ＰＺＮ基复相陶瓷。     

复合钙钛矿Pb（Fe1／2Nb1／2）O3的弛豫特性

制备了纯钙钛矿相Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＦＮ）陶瓷，研究其介电性能表明，ＰＦＮ陶瓷无论退火与否都存在弥散性相变（ＤＰＴ）现象，未退火试样εｍａｘ对应的温度Ｔｍ不随测量频率变化，退火试样的Ｔｍ随频率变化，即表现出Ｔｍ频率色散现象，结合ＸＲＤ分析，指出ＰＦＮ应属弛豫铁电体。     

温度稳定型Pb(Ni1/3Nb2/3)O3基复相陶瓷的制备及介电性能

选取居里温度不同的两组元,对其中一组元包覆PT,再与另一组元混合烧结,制备出满足X7R温度稳定特性的复相陶瓷用TEM观察了PT包覆前后粉末的颗粒形态,结果表明,PT较好地附着在颗粒表面.PT包覆层的存在抑制了两相的固溶反应,使材料保持复相结构,改善了材料的介电温度特性.分析了PT包覆层的作用.     

复相弛豫铁电陶瓷的相组成与介电性能

采用两相混合烧结法在Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＢａＴｉＯ３－ＰｂＴｉＯ３系统中制备了弛豫铁电陶瓷材料，相组成研究表明，该陶瓷具有两相共存的复相结构，对复相陶瓷的介电性能进行了研究，结果表明，复相结构可有效地改善弛豫铁电陶瓷的介温特性、频率特性和介质老化性能。     

钾离子掺杂PZN基陶瓷的相结构和介电性能

采用复相混合烧结制备出掺杂钾离子的PZN基陶瓷,研究了钾离子对PZN－BT－PT三元系弛豫铁电陶瓷的相结构、介电性能的影响。结果表明,钾离子掺杂可使材料的居里温度向低温方向移动,降低陶瓷的介电常数,但可有效改善陶瓷试样的温度稳定性;复相混合烧结可以消除由于钾离子掺杂而引起的焦绿石相;二者结合可获得具有纯钙钛矿相结构,弥散相变度宽（－100℃）,室温介电常数高,介电损耗低（0．011）的PZN基弛豫铁电陶瓷,并能显著提高材料的温度稳定性。     

Pb（Ni_（1／3）Nb_（2／3））O_3－PbZrO_3－PbTiO_3三

对Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，即ｘＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－（１－ｘ）Ｐｂ（ＺｒδＴｉ１－δ）Ｏ３（０．２≤ｘ≤０．６，０．２≤δ≤０．５）三元系固溶体的压电性能进行了研究，结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界（ＭＰＢ）附近，压电常数ｄ３１值可达２６０×１０－１２Ｃ／Ｎ．讨论了结构相变对压电性能的影响．     

Pb（Ni1／3Nb2／3）O3—PbZrO3—PbTiO3三元系固溶体的压电性能

对Pb(Ni1/3Nb2/3O3-PbZrO3-PbTiO3,即xPb(Ni1/3Nb2/3)O3-(1-x)Pb(ZrδTi1-δ)O3(0.2≤x≤0.6,0.2≤δ≤0.5)三元系固溶体的压电性能进行了研究,结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界(MPB)附近,压电常数d31值可达260×10-12C/N.讨论了结构相变对压电性能的影响.     

掺杂对0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3陶瓷结构和电学性能的影响

用传统的固相反应法、通过铌铁矿预合成路线制备了1mol%ZnO、MnO2和CuO掺杂的0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(0.7PMN-0.3PT)陶瓷。XRD分析表明掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷都呈现纯三方钙钛矿结构。烧成的陶瓷具有较高的致密度,其中CuO掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷达到理论密度的93.79%。掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷都呈现宽化、弥散的介电响应峰,然而介电常数的频率色散现象明显减弱。CuO掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷呈现优良的综合电学性能:介电常数最大值εm达到21000左右,剩余极化强度Pr达到27.49μC/cm2,压电应变常量d33达到548pC/N。     

高居里温度铁电体0.20Pb(Fe1/2Nb1/2)O3-0.32PbZrO3-0.48PbTiO3的性能

用传统的陶瓷工艺、通过B位氧化物预合成法制备了高质量、钙钛矿结构的0.20Pb(Fe1/2Nb1/2)O3-0.32PbZrO3-0.48PbTiO3(PFN20-PZ32-PT48)铁电陶瓷,该条件下制备的铁电陶瓷呈现相当均匀的微结构和良好的电学性能.PFN20-PZ32-PT48具有较大的室温介电常数(～410)、高的居里温度(TC,～350℃),在295K＜T＜525K温度区间,具有较小的介电常数温度梯度(a)ε/(a)T=2.8/℃,并且介电常数与频率无关,特别适合高温电容器工业的应用.虽然PFN20-PZ32-PT48呈现较为典型的一级铁电相变,其介电性能在顺电相区呈现明显的频率色散现象,并伴随着介电常数和损耗的反常增加.该反常现象的产生可能与陶瓷烧结过程中Fe3 被部分还原成Fe2 离子所诱导产生的热激发的空穴导电机制有关.PFN20-PZ32-PT48的剩余极化(Pr)与频率的关系可以很好地用随机场模型模拟,表明其弛豫行为的产生与短程化学有序所诱导产生的极性簇和/或纳米尺寸的非均匀性有关.     

烧结温度对钨镁酸铅基陶瓷X7R特性及显微结构的影响

研究了烧结温度对钨镁酸铅基陶瓷Ｘ７Ｒ特性及其显微结构的影响，实验结果表明：烧结温度在９５０－９８０℃范围内，该体系电容随温度的变化率（即ＴＣＣ）满足Ｘ７Ｒ要求。显微分析可知：体系的微观结构中存在富钨和富锆的不均匀微区，温度升高，微区间均匀性增加，在１０００℃以上，各微区成份接近，但容温变化偏离Ｘ７Ｒ要求的范围。     

Pb（Sc1／2Ta1／2）O3铁电体的有序结构和介电性质）

通过铌铁矿预合成法制备Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３（ＰＳＴ）陶瓷，经适当的热处理获得了钙钛矿化合物Ｂ位离子的高有序和高无序试样，ＰＳＴ陶瓷的介电性质研究结果表明，高有序试样（Ｓ＝０．７７）的居里温度为２９℃，并具有较低的介电常数表现出普通铁电体性质特征，而高元序试样（Ｓ＝０）具有很高的介电常数，并表现出明显的弥散性相转变和Ｔｍ的频率色散行为，即高介电常数的驰豫铁电体性质。文中还利用ＸＲＤ，ＳＥ     

Effect of Bi_2O_3 Additive on the Microstructure and Dielectric Properties of BaTiO_3-Based Ceramics Sintered at Lower Temperature

High performance X8R dielectric ceramics were prepared by dopingBi2O3 to BaTiO3-based ceramics.The effect of small amounts(≤1.2 mol%) ofBi2O3 additive on the microstructure and dielectric properties of BaTiO3-based ceramics have been investigated.The Bi2O3 ,acting as a sintering additive,can effectively lower the sintering temperature of BaTiO3-based ceramics from 1300 to 1130 °C.The bulk density of BaTiO3-based ceramics increased and reached the maximum value with increasingBi2O3 content.The dielectric con...     

高性能铌镁酸铅-钛酸铅定向压电陶瓷的研究

用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0．70Pb(Mg1／3Nb2／3)O3—0．30PbTiO3高性能定向压电陶瓷．该陶瓷[112]方向的取向度约为35％，准静态压电常数d33约为1500～1600pC／N，耦合系数κt～0．51，κ33～0．82，22kV／cm时的场致应变约为0．23％。