半导体用高纯度工业药品的最近动向

半导体器件制造技术的重要课题是微细加工和高集成化、高可靠性。最近微细加工技术的进步对集成电路(IC)的高集成化作出了很大贡献。     

WO_(3)敏感电极的制备及其性能研究北大核心CSCD

迈向微型化、集成化及具有高选择性和灵敏度的固体电解质气体传感器已成为未来的发展趋势。文章采用磁控溅射法成功制备了WO_(3)气体传感器敏感电极材料,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等表征手段研究了WO_(3)的结构、成分和形貌并测试了该气体传感器对NO_(2)的气敏性能。XRD结果表明,当退火温度大于400℃时,WO_(3)出现(200)衍射峰,且该衍射峰随退火温度增加而显著增强,表明WO_(3)结晶质量增加。SEM测试结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的晶粒尺寸逐渐增大。当退火温度达到500℃时,采用谢乐公式计算其晶粒尺寸达到23 nm。EDS结果表明,退火温度对薄膜的成分也有较大影响,O:W原子比例呈现增大趋势,由2.7增加到3.2,这与XPS结果相符合。通过高温气敏性能测试表明,所制得的WO_(3)敏感电极对NO_(2)表现出了明显的气体响应。本研究为制备微型化、高选择性和灵敏性的固体电解质气体传感器提供了一定的研究基础。     

推算PBT长期使用寿命的方法

聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)由于在高温和高相对湿度下具有优异的长期使用性能,因此,已经在多种应用场合获得成功。当考虑开辟PBT塑料的新应用领域时,事先了解PBT在既定的温度和湿度下的使用情况是重要的。一种新的数学模型方法(以水蒸气部分压力和温度为基础)得出的概率寿命估算值比根据温度和相对湿度得出的数值更精确。     

印刷条件对高温共烧陶瓷发热片阻值集中度的影响

<正>随着电子信息技术的高集成化、微型化、智能化和高速化,电子整机对电路小型化、高密度、多功能性、高可靠性、高速度及大功率提出了更高要求。而高温共烧多层陶瓷(HTCC)具有机械强度高、散热好、成本低、化学性能稳定及布线密度高等优点,能够满足电子整机对电路的要求。发热既是一个非常传统的领域,同时又是一个需要高新技术的领域,高温共烧陶瓷最经典的应用产品是高     

等离子体化学气相淀积法(PCVD)生长氧传感器薄膜材料

稳定化 ZrO_2是目前已实用化的氧离子导体材料。由于工业过程自化的要求,传性感器的小型化、集成化、智能化已成为当前发展的趋势,各种薄膜型氧传感器元件的研制开始活跃起来~([1])。在众多的薄膜工艺中,PCVD 法优点突出,控制方便,尤其低压等离子体在低温所具有的高内能和活化能(其电子温度10~4～10~5K),为获得许多新型     

涂覆聚苯胺的声表面波湿度传感器实验研究

0引言湿度测量在工农业生产、食品卫生、气象、环保、国防等领域具有重要应用。随着应用范围的逐渐扩大,集成化、智能化、网络化的湿度传感器日益成为近年来的研究热点。基于声表面波(SAW)模式的湿度传感器以其灵敏度高、响应快、体积小、成本低、易集成等特点受到了广泛的关注[1]。     

终轧温度对2024铝合金晶间腐蚀和力学性能的影响

对均匀化态2024铝合金进行不同终轧温度的热轧处理，经固溶后再进行为期4 d的自然时效。通过背散射电子衍射(EBSD)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电化学实验研究了终轧温度对2024铝合金力学性能和晶间腐蚀行为的影响。结果表明，轧态2024铝合金内存在剪切织构和少量再结晶织构，而固溶后出现了部分典型轧制织构。终轧温度影响合金组织和织构变化。终轧温度较低(207℃)时合金的平均晶粒尺寸和平均Schmid因子小，强度高；终轧温度较高(280℃)时合金小角度晶界和{111}面织构占比高，具有较大Schmid因子的织构含量少，抗晶间腐蚀性能优良。     

一体化温度变送器现场自动校准装置

介绍了一种一体化温度变送器现场自动校准装置。通过计算机程序控制,实现了工作温度的自动调节、温场条件的自动判定、数据自动读数及异常值剔除。内置的多路切换模式使六路温度变送器可同时校准。集成化设计和特殊的技术方案使装置具有小型化和便携式特点,并达到以下技术指标:工作温区50~300℃,工作温场的均匀性0.01℃,波动性0.03℃/10 min.,校准结果的不确定度0.07℃(k=2)。     

一种新型的开关电容滤波器

本文介绍了一种新型的开关电容滤波器。这种滤波器集成化程度高、截止频率和通带可简易调节,具有广阔应用前景。     

一种有源R型温度/频率转换电路接口设计

本文提出了一种有源R型温度／频率转换接口电路。该转换电路适合配接电阻型温度传感器，具有电路结构简单、易于单片集成化等特点。