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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
利用直流反应磁控溅射法在表面覆盖有Si3N4薄膜的Si(100)基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜.用光谱式椭偏仪对薄膜的厚度进行了测试.采用四探针测试系统对制备的薄膜进行了方阻和方阻温度系数的分析,发现薄膜的厚度对薄膜的电学特性有很大的影响.实验结果表明氧化钒薄膜的厚度调整可作为调控氧化钒薄膜性能的一种重要工艺手段.  相似文献   

2.
利用高功率脉冲磁控放电等离子体注入与沉积技术制备了氧化钒薄膜,分别采用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜和电化学分析仪研究了不同高压幅值对氧化钒薄膜的相结构、表面形貌、截面形貌以及耐腐蚀性能的影响。结果表明制备的氧化钒薄膜以VO2(-211)相为主,还含有少量的VO2(111)、VO(220)、VO(222)相。不同高压下氧化钒薄膜表面致密、平整,其表面粗糙度仅为几个纳米,显示出良好的表面质量。氧化钒薄膜表现出典型致密的柱状晶生长形貌,且随着高压增加,氧化钒薄膜膜层厚度有所下降。氧化钒薄膜耐腐蚀性能较纯铝基体有较大提高,腐蚀电位提高0.093V,腐蚀电流下降1~2个数量级;当高压为-15kV时,氧化钒薄膜腐蚀电位最高,腐蚀电流最低,表现出最佳的耐蚀性能。  相似文献   

3.
掺钨二氧化钒薄膜的制备与分析   总被引:8,自引:0,他引:8  
通过凋研国内外的各种制备方法,比较它们的优缺点后,选用磁控溅射法.在硅片上得到了电阻变化2个数量级的二氧化钒(VO2)薄膜.对薄膜进行电学性能的测试,结果表明:掺钨后二氧化钒薄膜的相变温度比纯的二氧化钒薄膜相变温度有所降低,掺钨后薄膜的近红外透射率也随之减小.通过X射线衍射和X射线光电子谱对薄膜的微观结构和组分进行了分析.  相似文献   

4.
采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程中电阻和红外光透射率随温度的突变性能进行研究.结果表明:经300℃和360℃热处理后,薄膜内二氧化钒原子分数达到40%,氧化钒薄膜具有绝缘体-金属相变特性,薄膜的晶粒尺寸分别为50nm和100nm;...  相似文献   

5.
采用直流反应磁控溅射法,通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺。对制备的氧化钒薄膜,利用四探针测试仪检测了薄膜的方阻和方阻温度系数,用X射线光电子能谱(XPS)仪和原子力显微镜(AFM)对薄膜的钒氧原子比和薄膜的微观形貌分别进行了分析和表征。实验结果表明,利用精确控制反应溅射电压法生长出的氧化钒薄膜的性能得到了进一步的提高。  相似文献   

6.
采用直流反应磁控溅射法,通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺.对制备的氧化钒薄膜,利用四探针测试仪检测了薄膜的方阻和方阻温度系数,用X射线光电子能谱(XPS)仪和原子力显微镜(AFM)对薄膜的钒氧原子比和薄膜的微观形貌分别进行了分析和表征.实验结果表明,利用精确控制反应溅射电压法生长出的氧化钒薄膜的性能得到了进一步的提高.  相似文献   

7.
采用直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜再附加热氧化处理的方式进行金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备,研究了低热处理温度下热处理温度与时间对氧化钒薄膜组分、晶体结构和相变性能的影响.新制备的氧化钒薄膜为V2O3和VO的混合相.经300℃/1h热处理后,薄膜内出现单斜结构VO2,薄膜具有相变特性;保持热处理时间不变,升高热处理温度至360℃,薄膜表面变得致密,致密的薄膜表面阻碍了氧气与薄膜内部V2O3和VO的反应,VO2成分含量与300℃/1h处理时的含量接近;增加热处理温度并延长热处理时间,如热处理条件为320℃/3h时,薄膜内VO2成分大量增多,电阻值变化幅度超过两个数量级;在300~360℃的热处理温度区间内,薄膜内V2O3和VO不断向VO2转变,相变性能变好,但对VO2的单斜金红石结构没有影响.  相似文献   

8.
魏雄邦  王涛  吴志明  蒋亚东 《材料导报》2007,21(Z2):176-178
在氧化钒薄膜的直流磁控溅射制备中,氩流量是影响沉膜工艺以及薄膜织构和性能的重要因素之一.从氧化钒薄膜制备角度出发,研究了纯氩环境以及氧流量恒定的氩氧混合环境中溅射电压和薄膜沉积速率随氩流量的变化.实验结果有助于对氧化钒薄膜制备工艺进行优化,为氩气流量的选择提供参考.  相似文献   

9.
采用直流反应磁控溅射法,在平整光滑的普通玻璃基片表面沉积了厚度分别为80nm、440nm和1um的氧化钒薄膜.采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面形貌、结构和结晶化的分析表明,厚度影响着薄膜的颗粒大小和结晶状态,随着薄膜厚度的增加,薄膜的颗粒增大,晶化增强;薄膜具有明显的垂直于衬底表面的"柱"状择优生长特征.对薄膜的方阻和方阻随温度的变化进行了相关分析,证实了厚度对氧化钒薄膜的电学性能存在明显的影响,随着薄膜厚度的增加,薄膜的方阻减小,方阻温度系数升高,薄膜的方阻随温度变化的回线滞宽逐渐增大,薄膜的金属一半导体相变逐渐趋于明显.  相似文献   

10.
用电化学腐蚀法制备了具有不同导热系数的多孔硅样品(孔隙率为80%±2、厚度为110μm时,导热系数可降低至0.20 W/m·K),并在其表面沉积了氧化钒热敏薄膜,研究了多孔硅样品的热绝缘性能对氧化钒热敏薄膜阻温特性的影响.结果表明:多孔硅良好的热绝缘性使在其表面制备的氧化钒热敏薄膜电阻的灵敏度远高于在硅基底上制备的热敏电阻的(多孔硅和硅片上的氧化钒薄膜电阻随功率变化斜率分别为120 kΩ/μW和2.1 kΩ/μW),且热敏电阻的灵敏度随着多孔硅孔隙率和厚度的增大而升高.  相似文献   

11.
采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。  相似文献   

12.
2D metal chalcogenide thin films have recently attracted considerable attention owing to their unique physicochemical properties and great potential in a variety of applications. Synthesis of large‐area 2D metal chalcogenide thin films in controllable ways remains a key challenge in this research field. Recently, the solution‐based synthesis of 2D metal chalcogenide thin films has emerged as an alternative approach to vacuum‐based synthesis because it is relatively simple and easy to scale up for high‐throughput production. In addition, solution‐based thin films open new opportunities that cannot be achieved from vacuum‐based thin films. Here, a comprehensive summary regarding the basic structures and properties of different types of 2D metal chalcogenides, the mechanistic details of the chemical reactions in the synthesis of the metal chalcogenide thin films, recent successes in the synthesis by different reaction approaches, and the applications and potential uses is provided. In the last perspective section, the technical challenges to be overcome and the future research directions in the solution‐based synthesis of 2D metal chalcogenides are discussed.  相似文献   

13.
在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长;Al2O3陶瓷基底沉积的Ta-N为单相薄膜,而玻璃基底上的Ta-N薄膜,随N2、Ar流量比增加,呈单相向多相共存转变;薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关,这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响;N2、Ar流量比相同时,玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜电性能优于Al2O3基陶瓷基底上沉积的Ta-N薄膜。  相似文献   

14.
Properties of TiO2 Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering   总被引:6,自引:0,他引:6  
With rapid progressive application of TiO2 thin films,magnetron sputtering becomes a very interesting method to prepare such multi-functional thin films.This paper focuses on influences of various deposition processes and deposition rate on the structures and properties of TiO2 thin films.Anatase,rtile or amorphous TiO2 films with various crystalline structures and different photocatalytic,optical and electrical properties can be produced by varying sputtering gases,substrate temperature,annealing process,deposition rate and the characteristics of magnetron sputtering.This may in turn affect the function of TiO2 films in many applications.Furthermore,TiO2-based composites films can overcome many limitations and improve the properties of TiO2 films.  相似文献   

15.
TiO2薄膜的制备及光催化性能研究   总被引:11,自引:1,他引:10  
张永彬  赵景畅  莫威  吴兴惠 《功能材料》2001,32(3):310-311,314
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了均匀透明牢固的TiO2光催化薄膜,利用XRD、SEM分光光度计及椭圆偏光测厚仪对薄膜进行了分析。利用光催化降解乙醛气体实验研究了TiO2薄膜的光催化活性。结果表明膜的特性及孔隙度同水解条件密切相关。孔隙度及薄膜厚度对催化活性有大的影响。  相似文献   

16.
用溶胶凝胶法在石英基板上制备不同钽掺杂浓度的二氧化钛薄膜,并采取后续氢气退火的方法改善其光电性能以用于TCO薄膜。采取SEM、XRD等测试手段观察薄膜的微观形貌、结晶性能及组成态,并利用四探针测试、可见光透过率测试和椭偏测试得出薄膜的电学和光学性能。结果表明掺杂钽元素以Ta~(5+)形式存在于TiO_2晶格中,大大提高了二氧化钛薄膜的n型导电性能,这是由于掺钽后费米能级向导带方向移动所致。氢气退火后二氧化钛晶粒尺寸变大且均匀,薄膜的结晶性能得到改善,并且由于引入了更高浓度的氧空位,导电性能得到明显的提升。最终获得了钽掺杂浓度为8%、电阻率为7.95Ω·cm、可见光区域的透过率约为75%的钽掺杂氧化钛薄膜,有潜力应用于透明导电薄膜生产领域。  相似文献   

17.
宋志勇  马艺宁  姚倩儒  李洁  张蕾 《包装工程》2021,42(21):120-126
目的 为了提高聚乳酸材料的力学性能和气体阻隔性,选择二氧化硅为共混材料,通过改变二氧化硅的粒径和含量,研究SiO2对SiO2/PLA复合膜性能的影响.方法 用流延法制备二氧化硅/聚乳酸(SiO2/PLA)复合膜.采用力学性能测试、结晶性测试、热稳定测试和透氧、透水蒸汽测试等分析手段对制备的复合膜进行力学性和阻隔性的表征.结果 在PLA材料中添加适量的SiO2对复合膜的拉伸强度和弹性模量会有增强作用,并且粒径越小,增强效果越明显;粒径为50 nm,质量分数为2%时复合膜表现出更佳的力学性能.同时,随着SiO2含量的增加,氧气透过系数呈先降低后升高的趋势,在SiO2质量分数为2%时透过系数最小,复合膜的氧气阻隔性最好;不同粒径不同含量的SiO2透湿性测试结果表明,SiO2粒径为50 nm,质量分数为2%时复合膜的阻隔性效果最好.结论 二氧化硅的加入能够提升聚乳酸的弹性模量和阻隔性,并且二氧化硅的粒径和不同添加量对复合膜的性能有很大影响.  相似文献   

18.
低辐射薄膜的研究进展   总被引:1,自引:1,他引:1  
金炯  王德苗  董树荣 《材料导报》2004,18(10):14-17
低辐射薄膜(Low-E Film)发展了20多年,它的高可见光透射率和高红外紫外光的反射率被应用在很多领域.低辐射薄膜一般由在线法和离线法制备,所得结构不同,性能也有较多差异.时低辐射薄膜的制备方法、性能,以及最新研究进展和应用进行了综述,并对2种类型的低辐射薄膜进行了比较.  相似文献   

19.
信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率.存储介质是高密度信息存储研究中的基本问题,目前几乎所有的超高密度存储技术都是在薄膜介质上实现的.薄膜的性质除依赖于存储介质材料外还依赖于薄膜的制备技术.从存储介质薄膜的制备角度介绍了超高密度信息存储的研究进展.  相似文献   

20.
CdO/SnO2双层薄膜的气敏性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾宇平  张天舒 《功能材料》1994,25(3):251-254
以CdO、SnO_2粉料作为靶,采用直流溅射方法制得CdO、SnO_2双层薄膜元件,比较了CdO/SnO_2与SnO_2/CdO在性能方面的差异。认为CdO/SnO_2的气敏性能较好,并初步探讨了工作温度和膜厚等因素对CdO/SnO_2元件的电学性质及气敏特性的影响。  相似文献   

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