PCVD—TiD,TiAlN主TiSiN涂层的抗高温氧化性能

研究了用ＰＣＶＤ法所制备的ＴｉＮ，ＴｉＡｌＮ和ＴｉＳｉＮ硬质支的抗高浊及ＴｉＮ涂层在双氧水介质中的抗氧化性能。结果表明，ＴｉＡｌＮ，ＴｉＳｉＮ涂层在空气中的抗高温氧化温度达７００℃以上，ＴｉＮ涂层可达６００℃，在双氧水介质中，ＰＶＣＤ－ＴｉＮ涂层仍具有较强的抗氧化能力，且优于ＰＶＤ－ＴｉＮｉＩ涂层。     

基片负偏压对PEMSIP法铁基体TiN涂层相组成的影响

利用等离子体增强磁控溅射离子镀（ＰＥＭＳＩＰ）技术在铁基体上沉积ＴｉＮ涂层之前，先镀一层很薄的钛中间层，继之再沉积ＴｉＮ。研究了基片负偏压对涂层相组成的影响。结果表明，随着基片负偏压增加，膜层的相分朝着富氮相及其含量增加的方向发展，变化趋势为（ａ－Ｔｉ＋Ｔｉ２Ｎ＋ＴｉＮ）→（Ｔｉ２Ｎ＋ＴｉＮ）→ＴｉＮ。在基体中间层界面处有ＦｅＴｉ相；在中间层与后继膜的交接处，发现ａ＝１与Ｔｉ２Ｎ有取向关系。     

基片负偏压对PEMSIP法铁基体TiN涂层相组成的影响

利用等离子体增强磁控溅射离子镀（ＰＥＭＳＩＰ）技术在铁基体上沉积ＴｉＮ涂层之前，先镀一层很薄的钛中间层，继之再沉积ＴｉＮ。研究了基片负偏压对涂层相组成的影响。结果表明，随着基片负偏压增加，膜层的相分朝着富氮相及其含量增加的方向发展，变化趋势为（α－Ｔｉ＋Ｔｉ_２Ｎ＋ＴｉＮ）→（Ｔｉ_２Ｎ＋ＴｉＮ）→ＴｉＮ。在基体与中间层界面处有ＦｅＴｉ相；在中间层与后继膜的交接处，发现α＝１与Ｔｉ_２Ｎ有取向关系。     

等离子体增强磁控溅射离子镀TiN涂层的研究

利用等离子体增强磁控溅射离子镀（ＰＥＭＳＩＰ）沉积ＴｉＮ涂层，研究涂层的组织结构和性能。随着氮气分压增加涂层相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展。氮气分压对涂层硬度的影响是由膜层相组成变化引起的，由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成的涂层比ＴＩＮ单相涂层的硬度高。由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ组成的刀具涂层使切削力下降。     

TiN涂层表面氧化层研究

在高速钢表面沉积ＴｉＮ涂层，运用ＳＥＭ，ＸＲＤ和ＸＰＳ等方法研究了ＴｉＮ涂层表面氧化物形成机理。结果表明，ＴｉＮ涂层表面氧化物为ＴｉＯ２，膜厚度约６０ｎｍ，系由涂层表面吸附氧而形成。     

活化源功率对高速钢基体反应溅射离子镀TiN涂层的影响

应用Ｘ射线衍射分析研究了活化源功率对反应溅应离子镀ＴｉＮ涂层相组成的影响，随着活化功率的增加，膜层相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展，变化趋势为：（αＴｉ＋Ｔｉ２Ｎ＋ＴｉＮ）→（Ｔｉ２Ｎ＋ＴｉＮ）→ＴｉＮ。活化源功率对膜层硬度的影响，主要是膜层相组成变化引起的，而由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成的膜硬度最高。     

TiN涂层的耐腐蚀性能

本文对ＴｉＮ涂层的耐腐蚀性能进行了试验研究。除采用几种较弱的腐蚀介质外，还在Ｈ２ＳＯ４溶液、ＨＣｌ溶液中对ＴｉＮ涂层样品做了浸泡试验。所有结果表明：涂层后的样品。其耐腐蚀性能比未涂层样品提高几倍至十几倍。同时，在 ＮａＣｌ溶液、人工汗液和酸溶液中，分别测定了涂层和未涂层样品的电化学行为。ＴｉＮ涂层表现出较高的溶解电位，说明它在热力学上。对上述化学介质是比较稳定的。致密ＴｉＮ涂层的耐腐蚀能力优于不锈钢，但是如果涂层有贯穿的针孔或涂展太薄时，则涂层试样也会被腐蚀。     

离子束增强沉积TiN薄膜的研究

利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备ＴｉＮ薄膜，并对制备的ＴｉＮ薄膜进行了ＡＥＳ，ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ和ＴＥＭ等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，ＴｉＮ薄膜处在压应力状态；在溅射沉积的同时，在０－２０ｋｅＶ范围内，Ｎ＾＋和Ａｒ＾＋离子的轰击使得ＴｉＮ薄膜的生长呈现不同择优取向；随着Ｎ＾＋离子轰击能量的增加，制备的ＴｉＮ薄膜的晶粒增大。     

HCD法工具离子镀设备的研究

ＴｉＮ镀膜刀具的质量主要取决于涂层的耐磨性、附着强度、均匀而合理的涂层厚度。为了制备高质量的涂层刀具，除了刀具本身的质量和前处理外，镀膜设备的性能以及工艺参数是个关键。本文是根据我们多年来在ＨＣＤ设备和工艺方面的试验研究经验，论述了工业生产型ＨＣＤ设备的技术性能、结构特点、工艺参数、以及ＴｉＮ镀膜刀具的切削性能等。     

TiN涂层的性能及其对冷挤压模寿命的影响

在冷挤压模上进行ＴｉＮ 涂层处理,并对涂层进行Ｘ－射线衍射分析,测量了涂层的表面硬度、滑动摩擦系数和低能量冲击磨损性能。结果表明：涂层良好的耐磨性大大提高了冷挤压模的使用寿命。