透明导电聚苯胺复合膜的研究进展

本文主要介绍了透明导电聚苯胺复合膜的几种制备方法及提高透明导电复合膜的透明导电性，耐水，耐化学性的最新研究进展。     

聚苯胺/聚合物透明导电复合膜研究进展

论述了聚苯胺/聚合物透明导电复合膜的制备及性能.原位聚合法、掺杂聚苯胺旋转涂膜法和机械共混浇铸法均可制备透明导电复合膜.所得复合膜具有良好的透明性、导电性、环境稳定性及耐疲劳性能.     

探究温度对复合膜阻隔性和力学性能的影响

目的 探究温度变化对几种包装用复合膜阻隔性和力学性能的影响。方法 采用4种不同材质的复合膜为研究对象,通过调节温度变化,分别对复合膜进行拉伸强度、断裂伸长率、穿刺强度、直角撕裂力、氧气透过量、水蒸气透过量测试。结果 随着温度的升高,复合膜的拉伸强度、穿刺强度、直角撕裂力呈现逐渐变小的趋势,断裂伸长率呈现先增大后减小的趋势,氧气透过量、水蒸气透过量呈现逐渐变大的趋势。温度从15 ℃升至55 ℃,BOPP/EVOH复合膜的力学性能和阻隔性能受温度影响小,其中拉伸强度降低了5.2 MPa,断裂伸长率增加了10%,穿刺强度降低了4.4 N,直角撕裂力降低了5.0 N,水蒸气透过量提高了2.34 g/(m².d),氧气透过量增加了12.5 cm³/(m².d.0.1 MPa)。结论 根据实验探究,温度是影响包装复合材料性能的重要因素,为不同温度条件下不同材质复合膜的性能变化提供了数据指导,BOPP/EVOH复合膜的综合性能受温度变化影响最小。     

退火温度对透明导电InSnGaMo氧化物薄膜性能的影响

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出可见光透过率高、电阻率极低的Ga、Mo共掺杂ITO基透明导电InSnGaMo复合氧化物薄膜，研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明，退火温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。XRD、SEM和霍尔测试结果表明，随着退火温度的升高，薄膜...     

退火工艺对磁控溅射生长的Pt薄膜微观结构及电性能的影响

铂(Pt)是温度传感器常见的敏感材料。为了改善退火工艺提高Pt薄膜的电学特性,采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了以钽(Ta)为粘附层的Pt敏感薄膜,研究了不同退火温度、退火气氛和退火时间下的Pt薄膜结构以及电学性能方面的差异。结果表明:退火增强了薄膜的结晶化且使晶粒发生长大,从而有效降低了薄膜的电阻率。但过度退火,如退火温度超过1 000℃或过长的退火时间,会导致粘附层中的Ta元素向Pt薄膜中过度扩散,从而增加Pt薄膜的电阻率。在高纯N_2(99.999%)、超纯N_2(99.999 9%)及空气三种气氛中退火,结果发现在空气中退火的Pt薄膜电阻率最小,原因是空气中的氧元素在高温下穿过Pt薄膜扩散至Ta粘附层,形成了稳定的Ta_2O_5相,Ta元素向Pt薄膜的扩散减少。退火还提升了薄膜电阻随温度变化的线性度及其电阻温度系数(TCR),在空气中900℃退火1 h,Pt薄膜的TCR达到3.909×10~(-3)/℃,接近于块状Pt材料的值。此结果对提高Pt薄膜温度传感器的灵敏度具有重要意义。     

聚酰亚胺/钛酸钡复合膜介电性能及其影响因素的研究

通过硅烷偶联剂改性的BaTiO3粒子与聚酰胺酸溶液共混成膜、亚胺化后制备出高介电常数聚酰亚胺/BaTiO3复合膜.考察了BaTiO3粒子的体积分数、粒径大小、偶联剂的种类与用量、频率等对介电性能的影响.研究发现,通过使用偶联剂对BaTiO3粒子进行表面改性、增加粒子的粒径都可以有效提高复合膜的介电常数,膜的介电常数随BaTiO3粒子的体积分数的增加而增加,由粒径为100nm改性BaTiO3制备的复合膜, BaTiO3的体积分数为0.5时,膜在10kHz电场中的介电常数达到35.     

透明导电聚苯胺复合膜的研究进展

本文主要介绍了透明导电聚苯胺复合膜的几种制备方法及提高透明导电复合膜的透明导电性、耐水、耐化学性的最新研究进展。     

聚酰亚胺/LTNO复合膜介电性能及其影响因素

采用溶胶-凝胶法合成出Li和Ti改性的氧化镍(LTNO)粒子,并通过前体溶液共混法首先制备聚酰胺酸/LTNO前体膜,再经亚胺化得到高介电常数聚酰亚胺/LTNO复合膜。研究发现,复合膜的介电性能可以通过调节LTNO的含量以及Li和Ti在LTNO中的比例来进行调控。选用按Li、Ni和Ti的摩尔百分比为0.30∶0.68∶0.02制备的LTNO粒子做填料,当其体积分数为0.4时,复合膜在100 Hz电场中的介电常数可以达到570。     

成膜助剂对CCMC/PVA复合膜力学特性及生物降解特性的影响

采用流延成膜工艺制备了CCMC/PVA生物降解复合膜,研究了PVA、乙二醛以及PPE 3种成膜助剂对复合膜的力学性能和生物降解性能的影响。结果表明:添加一定量的成膜助剂,可以增强复合膜的机械性能、调控复合膜的生物降解性能;当PVA添加量为30%(质量分数)、乙二醛添加量为2%(质量分数)、PPE添加量为0.6%(质量分数)时,复合膜的拉伸强度可达22.5 MPa,断裂伸长率可达258%,固体琼脂平板培养50 d,微生物生长达到4级,土埋100 d,复合膜失重率达到92%。     

退火温度对ZnO:Al透明导电薄膜结构和性能的影响

采用溶胶-凝胶法(sol-gel)在普通载玻片上制备了ZnO∶Al薄膜,在200～600℃下退火.利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,退火温度在300℃以上,薄膜开始结晶,400℃以上,薄膜出现明显结晶,且沿(002)方向择优取向,随着退火温度升高,(002)峰的强度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增加;薄膜在可见光范围内的透过率均＞85%以上,退火温度高的薄膜在可见光范围内的透过率明显提高,光学带隙在3.32～3.54eV,且随着温度的升高而降低;薄膜的电阻率随退火温度的增高而有所降低,但是仍较高,在103俜cm量级.     

银基透明导电多层膜界面研究进展

由于具有较低的电阻率和成本、较好的机械加工性能、设计上的灵活性,可室温沉积等优点,银基透明导电多层膜已广泛应用于低辐射膜、强电磁屏蔽、低功耗光电子器件特别是柔性电子器件等领域.但由于材料自身的性质与制备条件的差异性,实际制备的金属/电介质(或半导体)透明导电多层膜界面处往往存在表面等离子体共振、界面导电电子散射、膜层脱...     

以PVA为溶剂ZnO薄膜的液相法制备及其机理研究

以聚乙稀醇(PVA)水溶液为溶剂,采用液相法制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。采用XRD、Raman以及AFM分析了退火温度与涂层厚度对ZnO薄膜的影响。结果表明,随着退火温度的提高,ZnO薄膜的结晶度及其均方根粗糙度有所提高;同时厚度的增加使得ZnO薄膜的单一取向性减弱。其生长机理可表述为:在每一层涂层中一致或不一致的成核同时产生,通过层内与层间晶粒的聚合、联并,最后形成具有(002)取向的柱状与颗粒状并存的ZnO连续膜。     

溅射工艺对BST薄膜取向行为的影响

采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上沉积了Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜.借助XRD、AFM和SEM研究了衬底温度、退火温度、溅射气压等不同的溅射参数对Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜的晶化行为和显微结构的影响.在室温下沉积并未经退火处理的Ba0.65Sr0.35TiO3 薄膜是无定形态,在较高温度下沉积的薄膜晶化相对较好;随着在氧气气氛中退火温度的升高,X射线衍射峰的半峰宽变窄,衍射峰强度增强;在0.37～1.2Pa气压下沉积的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜有(110)和(200)主衍射峰,且其强度随溅射气压的增加而增强;当溅射气压继续升到3.9Pa,(110)和(200)衍射峰明显增强,说明Ba0.65Sr0.35TiO3 薄膜具有(110) (200)择优取向.AFM和SEM结果显示薄膜晶粒细小均匀、结构致密、表面平整,且无裂纹、无孔洞.分析结果显示优化工艺参数制备的Ba0.65Sr0.35TiO3 薄膜是用以制备非致冷红外探测器的优质材料.     

铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜的研究

采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜,再通过铝诱导晶化的方法制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸0.5～5μm、晶化率达到89%的多晶硅薄膜。研究了衬底距离、衬底温度、退火温度对薄膜表面形貌、晶粒尺寸和分布及晶化率的影响。结果表明适中的衬底距离下得到的薄膜晶粒分布均匀,表面平整度好,薄膜厚度较大。薄膜的晶化率随着衬底温度和退火温度的提高而增大;随着退火温度的进一步提高,薄膜的晶化率达到最大值然后降低。     

P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展

透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域，但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点，成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质，综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。     

铁电薄膜退火方法的研究

以锆钛酸铅薄膜（PZT）为例，分析了国内外铁电薄膜退火的各种方法。针对解决铁电薄膜基底高温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器件性质劣化的难题，分别对普通炉子退火、快速热退火及激光退火进行了详细的分析比较。激光低温退火技术有望成功地在未来应用PZT铁电薄膜制作组件时，增加其制备工艺设计的弹性和可行性。     

Copper doped nickel oxide transparent p-type conductive thin films deposited by pulsed plasma deposition

Transparent p-type conductive Ni_0.9Cu_0.1O thin films were prepared by pulsed plasma deposition (PPD) method. The effects of substrate temperature and oxygen pressure on the structural, electrical and optical properties of the films were investigated respectively. The film deposited at room temperature exhibits the highest conductivity of 5.17 S cm⁻¹, with an average transmittance of 60% in the visible region. A transparent p-Ni_0.9Cu_0.1O/n-In₂O₃:W (IWO) hetero-junction diode was fabricated exhibiting rectifying current-voltage characteristics.     

VOx/TiOx/Ti多层薄膜的制备工艺与内耗研究

用磁控反应溅射法在玻璃和镅片衬底上制备Vox/TiOx/Ti多层薄膜.用X射线衍射(XRD)、QJ31单臂电桥、薄膜内耗仪等测试了薄膜的晶体结构、电阻、内耗.分别进行了薄膜的制备工艺与内耗研究.测试分析结果表明:试样的晶体结构、电阻-温度曲线、杨氏模量的突变均表明多层薄膜在66℃左右发生相变.样品的电阻温度系数为-4.35%/℃.并且真空退火有利于二氧化钒相生成.     

High-performance single-wall carbon nanotube transparent conductive films

A single-wall carbon nanotube(SWCNT) has superior optical,electrical,and mechanical properties due to its unique structure and is therefore expected to be able to form flexible high-performance transparent conductive films(TCFs).However,the optoelectronic performance of these films needs to be improved to meet the requirements of many devices.The electrical resistivity of SWCNTTCFs is mainly determined by the intrinsic resistivity of individual SWCNTs and their junction resistance in networks.We analyze these key factors and focus on the optimization of SWCNTs and their networks,which include the diameter,length,crystallinity and electrical type of the SWCNTs,and the bundle size and interconnects in networks,as well as chemical doping and microgrid design.We conclude that isolated/small-bundle,heavily doped metallic or semiconducting SWCNTs with a large diameter,long length and high crystallinity are necessary to fabricate high-performance SWCNTTCFs.A simple,controllable way to construct macroscopic SWCNT networks with Y-type connections,welded junctions or microgrid design is important in achieving a low resistivity.Finally,some insights into the key challenges in the manufacture and use of SWCNT TCFs and their prospects are presented,hoping to shed light on promoting the practical application of SWCNT TCFs in future flexible and stretchable optoelectronics.     

硬质薄膜材料的最新发展及应用

综述了硬质薄膜材料的最新研究状况。硬质薄膜的设计向着多元化、多层膜的方向发展。本征超硬薄膜材料，如：金刚石、C—BN、B4C、TiB2、BC4N等的硬度可以达到50～80GPa。纳米超晶格薄膜和纳米晶复合膜两类新的超硬薄膜的硬度分别随超晶格的调制周期减小，纳米晶晶粒尺寸减小而增加，它们的硬度都能达到40～70GPa。最高硬度的薄膜材料nc—TiN／a—Si3N4采用PCVD方法制备，加载30mN测得塑性硬度(Plastic hardness)H=110GPa；加载70mN，H=80GPa。本综述对硬质薄膜的应用前景做了展望。