电子封装用W／Cu复合材料的特性、制备及研究进展

微电子工业的迅速发展对封装材料的综合性能提出了更为严格的要求。针对封装材料的发展趋势，阐述了以W／Cu作为封装材料所应具备的性能要求及其制备技术，并对其发展方向进行了展望。     

SiCp/Cu电子封装材料研究进展

详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiC/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法.分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/Cu电子封装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与Cu之间设置界面阻挡层,进而详细阐述了SiCp/Cu电子封装材料主要界面改性方法及其调控效果,并指出目前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法.     

电子封装用Cu/Mo/Cu复合材料的工艺研究

研究了浸涂助复剂(铝基合金)和室温轧制工艺对Cu/Mo/Cu复合界面结合强度的影响,简述了Cu/Mo/Cu复合板室温轧制成形工艺过程,详细分析了表面和界面清理、初道次轧制临界变形率及热处理工艺等因素对复合板结合强度的影响.实验结果得出,钼板浸涂Al-Mn-Zn-Sn合金助复剂后的热处理温度为800～850℃;初道次轧制变形率为45%最佳;复合轧制后合适的退火工艺为450℃,保温60 min.     

电子封装用Diamond/Cu复合材料的化学镀镍

通过采用在Diamond/Cu复合材料表面化学镀镍的方法来改善其焊接性.化学镀镍前,采用SnCl2溶液和PdCl2溶液对复合材料表面进行敏化、活化等预处理.研究了pH值和温度对化学镀镍沉积速度的影响.利用SEM、EDX、XRD和划痕实验等措施对镀层进行了研究,结果表明,在Diamond/Cu复合材料表面获得了均匀、致密...     

集成电路用金属铜基引线框架和电子封装材料研究进展

针对集成电路向高密度、小型化、多功能化发展，介绍了国内外传统的和以铜为基复合新型的引线框架和电子封装材料的性能、研究、生产现状以及存在的问题，同时展望了铜合金及其复合的引线框架和电子封装材料的发展趋势。     

电子封装用金属基复合材料的制备

分析了电子封装用金属基复合材料的性能特点及其对制备工艺的要求，在此基础上论述了该种材料的各种制备工艺的特点及发展现状。     

电子封装用SiCp/6063复合材料的制备与性能研究

目的研究体积分数与热处理工艺对Si Cp/6063复合材料热物理性能的影响规律,制备一种提高电子封装热管理能力的铝基复合材料。方法采用挤压铸造法制备体积分数分别为55%,60%,65%的Si Cp/6063复合材料,对不同体积分数的铝基复合材料分别进行热处理,比较复合材料在压铸态、退火态和T6时效处理态的性能差异。结果碳化硅颗粒均匀地分布在铝基体中,碳化硅和铝的结合良好,组织致密,没有微小的空洞和明显的缺陷。Si Cp/6063复合材料在20~50℃的温度区间内,其平均热膨胀系数约在10×10-6~13×10-6℃-1,导热系数为200~220 W/(m·K),已经基本满足电子封装基板材料的性能要求。结论随着温度的升高,复合材料的热膨胀系数呈先增加后短暂回落再增加的趋势;复合材料的热膨胀系数随着增强体体积分数的增加而减小;退火处理后Si Cp/6063复合材料的热导率明显增加。     

爆炸粉末固结W/Cu合金的工艺研究

利用机械合金化法制取W/Cu合金化粉末。预压合金粉末在不同温度下通氢还原,将还原后的合金粉末在直接爆炸压制成型的装置中进行爆炸固结,爆炸固结样品相对密度最高达到了98.1%。研究了粉体的还原温度对固结体致密度的影响。分析了样品的微观结构,对样品做EPMA、断口SEM观察以及维氏硬度、电导率的测量。结果表明,W/Cu合金化粉末在爆炸冲击波作用下能够结合成高致密体,合金材料具有高硬度、组织均匀的特点,物理性能良好。     

新型电子封装用金刚石/金属复合材料的组织性能与应用

随着微电子技术的高速发展,金刚石/金属复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,它与传统的电子封装材料相比,具有更优异的性能,是未来封装、热沉材料最有潜力的发展方向之一.对金刚石/金属复合材料的性能、制备工艺及应用发展进行了综述,并提出了未来的研究开发方向.     

W/Cu功能梯度材料的制备及热循环应力分析

采用水煮溶解造孔剂法, 即先制备孔隙呈梯度分布的钨骨架、后渗铜的方法, 制备了W/ Cu 功能梯度材料, 并对钨铜在纵截面的分布进行了检测, 数据表明在纵截面上钨铜呈梯度分布。利用水淬法模拟其服役状况并用有限差分方法对产生的非稳态热应力进行了分析。结果表明, 热应力的最大值总是出现在两端, 由于富钨端相对密度较低, 裂纹总是在该端出现, 模拟结果与实验结果相一致。      

钨铜化合物氢还原制备钨铜复合粉研究

通过对钨铜化合物氢还原过程进行热力学分析,找到了制备均匀细颗粒钨铜复合粉的热力学途径--彻底快速除去还原系统中的水分.设计了封闭还原系统,用此系统进行氢气热还原,不仅使氢气得到充分利用,而且容易判断反应终点.通过系统内的特殊装置除水,降低了还原温度,在600℃下还原得到了混合均匀的钨铜复合粉.系统能彻底快速除去反应生成的水分,使反应物的湿度大大降低,确保得到细颗粒的钨铜复合粉,其平均粒径小于80nm.     

电子封装用金刚石/铜复合粉体的制备及表征

设计粉末镀膜专用样品台,采用溅射沉积法在金刚石颗粒表面分别预沉积Cu膜和Ti/Cu双层膜,然后用化学镀铜法增厚铜层制备了金刚石/铜复合粉体。结果表明,金刚石表面经溅射沉积改性后,无需敏化活化就可化学镀铜制备金刚石/铜复合粉体,避免了Sn、Pd等杂质的引入;增加Ti作为过渡层可使化学镀铜层更致密,抗热冲击性更好。     

电子封装用陶瓷基片材料的研究进展

简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC等都具有高热导率,在某些封装场合是合适的选择;AIN综合性能最好,是最有希望的电子封装陶瓷基片材料.介绍了多层陶瓷基片材料的共烧技术和流延成型技术,并指出LTCC技术和水基流延将是未来发展的重点.     

纤维素纤维发泡缓冲包装材料制备工艺初探

初步探索以纤维素纤维为原料,用机械法制备绿色环保的纤维素纤维发泡缓冲包装材料的工艺技术,并且利用压缩试验机对发泡体的缓冲性能进行测试.试验研究了发泡剂、填充物、胶粘剂的用量,以及胶粘剂的配比对发泡体性能的影响.实验表明:明胶:甲基纤维素:瓜儿胶为2∶1:1,发泡剂1.5%,填充物18%,胶粘剂总量15%时,发泡体的密度0.027 g/cm3,回弹性20.5%,而且此时具有较为理想的应力-应变曲线.     

蔗髓模压新型包装材料的制备和性能研究

研究了以蔗髓为原料,以酸法制浆废液为胶粘剂制备新型包装材料的工艺.通过对胶粘剂用量、废液固形物含量和模压压力因素的优化,制备出了可自然降解,且满足一定力学性能的包装材料,并对影响材料物理性能的因素进行了分析.通过模压工艺制备的蔗髓包装材料具有显著的经济效益和社会效益.     

Cf-Cu复合材料的性能特点、应用及制备方法

Cf-Cu复合材料是由碳纤维和铜采用适当方法制备而成的一种新型金属基复合材料,该材料综合了金属铜和碳纤维的性能特点,具有其它材料无以比拟的性能优势。本文详细论述了Cf-Cu复合材料良好的导电导热、良好的尺寸稳定性和抗摩擦耐磨损等性能及其原因,同时根据这些性能特点展望了它的应用领域以及该材料的制备方法,以便为科研工作者对该材料的研究开发及应用作理论参考。     

导热高分子材料在电子封装领域应用研究

目的综述导热高分子材料在电子封装领域的应用。方法首先介绍了目前提高高分子材料导热性能的2种研究方法,即制备结构型和填充型导热高分子材料;其次分别概括了2种方法制备的导热高分子材料在国内外的研究进展,尤其对填充型导热高分子材料的研究情况进行了全面综述。结果填充型比结构型导热高分子材料在操作实施方面具有更大的优势,加工工艺简单,投资成本低,适用于大多数高分子材料,是目前制备导热高分子材料的主要研究方法,而且填料的种类、形状、粒径和表面处理都对提高高分子材料的导热性能有重要影响。结论提高高分子基体热导率应充分考虑多种因素的影响,在提高材料导热性能的同时应保证其他性能的稳定,以满足实际生产和生活需求。     

填料在环氧树脂基封装材料中的研究近况

简述了国内外环氧树脂封装料中所用TiO2、MgO、Al(OH)3、CaCO3、BN、BeO等填料的特点,包括填料的形状、颗粒大小、密度以及特殊性能.根据封装材料不同发展阶段的要求,重点叙述了SiO2、Al2O3、AlN等3种粉体作为填料及其所制备的封装材料各自的优势.结合国内外研究现状,指出了环氧树脂电子封装材料用填料应朝着纳米化、功能化、低膨胀系数、绿色化、低成本化的方向发展.