固体钽电解电容器漏电流的研究

本文从工艺上阐述了原材料对漏电流值的影响;分析了工作条件对漏电流值的影响,同时介绍了一些漏电流的检验方法。     

真空感应熔化炉漏电报警系统研制

本文阐述了真空感应熔化炉的漏电报警系统研制。漏电报警系统主要用于检测感应加热圈对地电阻。当对地电阻小于某个值时,漏电流报警系统发出报警信号,使设备停止工作。     

高频电刀漏电流产生原因与测量

本文对高频电刀的高频漏电流和外壳漏电流作了简单的介绍,对其产生的原因进行了分析,并对其如何进行测量作出了归纳。     

关于耐电压测试仪击穿报警电流和漏电流检定的探讨

从分析不同类型耐电压测试仪的击穿报警工作原理出发,讨论了击穿报警电流设定误差与漏电流示值误差的检定.分析了检定漏电流示值误差的必要性,以及现行检定规程中击穿报警电流检定方法的适用性,并对程控型耐电压测试仪的漏电流检定作了探讨.     

电应力对HfO2栅介质漏电流的影响

使用导电原子力显微镜（Conductive Atomic Force Microscopy,CAFM）对电压应力作用下HfO2栅介质薄膜局域漏电点的形成和产生机制进行了研究,结果表明,在电压应力作用下,HfO2介质层中的缺陷被驱动和聚集形成导电通道,产生漏电点。漏电点产生的数量、漏电流大小均受电压应力和作用时间的影响。HfO2栅介质层中晶界处的缺陷密度高于晶粒处,导致晶界处更容易产生漏电通道。在栅介质击穿过程中,电压应力在诱发漏电流产生的同时产生焦耳热,对HfO2介质表面造成热损伤,导致击穿后HfO2介质表面出现凹陷。     

原子氧处理减小多晶PZT-PMN薄膜漏电流的实验研究

漏电流是铁电薄膜应用过程中的关键问题。本文通过磁控溅射法制备了结晶性能良好的铌镁锆钛酸铅(PZT-PMN)铁电薄膜,并在室温下用原子氧对其进行处理,研究了原子氧对PZT-PMN薄膜表层微观结构和漏电流的影响。实验结果表明:经原子氧处理后的PZT-PMN薄膜,①表面粗糙度下降且有非晶层形成;②表层有大量的氧原子进入;③漏电流密度减小了大约一个数量级,外加电压为2.5 V时,未处理样品的漏电流密度为3×10-5A/cm2,处理样品的漏电流密度降为4.5×10-6A/cm2。原子氧对PZT-PMN薄膜内部晶界、缺陷的钝化是薄膜漏电流减小的原因。     

聚吡咯在蓖麻油中的电流变效应

研究了聚吡咯在蓖麻油中的电流变效应.结果表明:在电场作用下该体系表现出良好的电流变效应.随着电场强度、聚吡咯浓度的增加,电流变液的漏电流增大,而随着剪切速率的减小,体系的漏电流却增大.非离子表面活性剂的加入会使聚吡咯电流变液的电流变效应变差.     

医用计量电气设备的漏电流测量

正0引言医用计量器具的计量性能关系到患者诊断、治疗和监护的准确有效,然而许多医用计量器具也属于医用电气设备,其电气安全性能则关系到患者及使用者的人身安全。针对许多医用计量电气设备,如医用超声诊断仪超声源、心电监护仪、高频电刀、婴儿培养箱、血液透析机、注射泵、输液泵等,国家发布实施了相关计量检定规程或校准规范。在规定计量性能的同时,这些技术规范对电气安全性能,特别是表明设备电击危险防护性能的主要指标——漏电流容许     

聚苯胺悬浮液的电流变效应

以掺杂态的聚苯胺为悬浮颗粒，以硅油为分散介质，制得悬浮液，研究了它的电流变效应及其影响因素，如电场强度，剪切速率，悬浮液浓度，颗粒介电常数等。还研究了该体系的漏电流密度及其影响因素。实验表明，随着电场强度等的增大，悬浮液的电流变效应增大，同时漏电流密度也增大；而随剪切速率的提高，电流变效应及漏电流密度均减弱。     

PIC单片机在漏电流保护器中的应用

本文叙述由电流互感器、PIC单片面、运算放大器等组成的智能漏电流保护器及其硬软件设计．智能漏电流保护器具有大漏电流和小漏电流控制，实现报警与保护作用，并具有缺相保护功能．     

Co掺杂GaFeO3陶瓷的结构、导电及磁性能研究

GaFeO₃因其磁电耦合效应成为目前极具潜质的多铁性材料之一。本工作采用固相烧结法制备了不同钴掺杂浓度的铁酸镓陶瓷,并研究了钴的掺杂浓度对铁酸镓陶瓷的相组成,微观结构形貌,漏电流及磁性的影响。XRD及Rietveld精修结果显示除了主相GaFeO₃,还存在第二相,且随着钴含量的增加,第二相含量逐渐增加,晶体的畸变程度增大;因为掺入二价阳离子Co²⁺并引入了第二相,样品的漏电性能和纯GaFeO₃陶瓷相比显著改善;当钴掺杂浓度为2at%时,样品的漏电流密度相较于GaFeO₃降低了7个数量级;掺入Co²⁺引入第二相且晶格畸变程度增加使得GaFeO₃的磁性增强。研究结果表明:铁酸镓中掺杂微量的钴可以改善磁性,并使漏电流大幅降低而磁转变温度无明显下降。     

新型非隔离光伏并网逆变器的研究

本文研究了一种新型非隔离并网逆变器，详细分析此拓扑结构的工作原理，在此基础上，建立了考虑寄生参数的共模漏电流模型。比较分析了 H6桥和新型非隔离并网逆变器的漏电流大小、开关损耗、稳定性及效率。理论计算和仿真结果表明新型非隔离并网逆变器的性能优于 H6桥逆变器。     

CdZnTe晶片4种化学钝化工艺效果的比较

常用于X射线和γ射线探测器中的CdZnTe(CZT)晶片经机械抛光后表面存在损伤层和许多肉眼看不到的划痕,采用溴甲醇(Br2-CH3OH)腐蚀可有效去除损伤层和划痕,使表面变得光亮平整.但经Br2-CH3OH腐蚀的表面富Te而产生较大的表面漏电流,为此,采用H2O2溶液,NH4F/H2O2溶液,KOH-KCl溶液+NH4F/H2O2溶液二步法和溴水4种湿法化学钝化工艺,对CZT晶片表面进行了钝化处理,并对比了其钝化效果.结果表明:二步法钝化效果最好,表面漏电流降低4个数量级,NH4F/H2O2对CZT晶片表面的钝化效果较好,表面漏电流降低3个数量级.     

医用超声源的计量检定及注意事项

本文阐述了医用超声源的计量检定包括输出声强、患者漏电流及几何尺寸测量三部分以及检定时注意事项。     

漏电保护器测试仪的几种校准方法

文章介绍了漏电保护器的工作原理,对漏电保护器测试仪动作电、流跳闸时间和回路阻抗等主要参数,分析几种校准方法,并对各种方法的优缺点作了评价,同时还简单地介绍了各测试参数的不确定度的来源和评定结果。     

紫光对多晶掺锰铁酸铋薄膜铁电和电输运性质的影响

采用溶胶-凝胶的方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了5％Mn掺杂的BiFeO3(BFMO)薄膜,并构建了Pt/BFMO/Pt对称型电容器,研究了紫光对多晶BFMO薄膜铁电性及J-V特性的影响.实验发现,在紫光的照射下,薄膜的电导增大,这是由于紫光入射在BFMO薄膜上,产生了光生我流子.当外加电压为5V时,漏电流密度由9.1mA/cm2增大到16.3mA/cm2.Pt和BFMO的接触满足金属-半导体理论中的欧姆接触,并且光的存在并没有改变Pt/BFMO/Pt电容器的漏电流机制.当光入射到薄膜表面,样品的剩余极化强度增大,由无光时的91.7μC/cm2增大到光照时的99.9μC/cm2.     

对JJF 1259—2010《医用注射泵和输液泵校准规范》的建议

针对现有校准规范中对医用注射泵和输液泵的患者漏电流的相关规定,从其它类似医疗仪器的漏电流要求、输液泵漏电流实际校准情况、泄露电流测试仪的溯源及市场现状等多方面进行了论述,指出输液泵现有校准规范中对泄露电流测试仪的不合理要求,并提出了修改意见。     

一种模块级的温度感知漏电功耗估计策略

针对CMOS集成电路设计对芯片漏电功耗估算的要求以及漏电功耗与温度呈指数依赖关系的特点,提出了一种温度感知的模块级漏电功耗估计策略.该策略通过在漏电功耗估计过程中引入热分析技术,把模块由于自身耗能所引起的温度变化及时反馈到漏电功耗估计过程中,从而精确计算出模块在工作温度实时变化条件下的漏电功耗.其核心是在功耗估算过程中建立温度-功耗循环,此循环的基础是漏电建模和散热建模.该策略可以较好地克服传统的漏电功耗估计方法不能反映温度实时变化的影响的缺陷,有效提高门级漏电功耗估计方法的准确度.通过对实验数据进行分析,论证了这一策略的有效性.     

高度取向的(Pb_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3/LaNiO_3异质结构铁电薄膜性能

用sol-gel方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了具有LaN iO3(LNO)缓冲层的(Pb0.5Sr0.5)TiO3(PSrT50)/LNO/Pt异质结构铁电薄膜。X射线分析发现PSrT50薄膜在(100)方向高度取向,同时扫描电镜图像显示薄膜结构致密、表面平整。通过和直接在Pt上制备的、相同厚度的PSrT50薄膜比较,PSrT50/LNO/Pt结构薄膜在室温下具有更大的剩余极化(Pr=4.5μC/cm2)和更高的介电常数(rε=850)。同时,漏电流机理分析表明,PSrT50/LNO/Pt结构薄膜在低电场作用下呈现Pool-Frenkel发射效应,在高电场作用下则表现为空间电荷限制电流。     

医用超声源检定中需要注意的事项

一、医用超声源的检定 经过多年的检定实践，笔者认为检定过程中有很多问题应引起重视。医用超声源的检定主要分为输出声强检定、患者漏电流检定和几何尺寸的综合检定三大部分。