研究高聚物结构的广角X射线衍射系列方法

全面论证了广角Ｘ射线（ＷＡＸＤ）系列方法：分峰ＭＰＳ、径向分布函数（ＲＤＦ）（Ｒ）、圆柱分布函数ＣＤＦ（Ｒ，α）、取向分布函数ＯＤＦ（α）、对称透射径向ＷＡＸＳ方位角扫描、对称反射径向ＷＡＸＳ扫描等分析法的基础理论、实验方法、计算程序及其可获得的结构参数，阐明了笔者建立ＷＡＸＤ测试分析高聚物聚集态结构专家系统的有关工作，这一研究架构的具体实现，将使得ＷＡＸＤ系列方法研究高聚物物理中的核心领域，即高     

X射线多晶衍射全谱图拟合方法在无机材料研究中的应用

Ｘ射线多晶衍射全谱图拟的Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法是一种有效的晶体结构和微结构的分析方法。本文介绍了该方法的基本原理，综述了该方法在无机材料结构研究领域，包括缺陷，相的晶体结构和微结构，相定量分析及衍射图谱指标化等方面应用的最新进展。     

纳米TiO2粉末的结构表征:X射线衍射、透射电镜及高温Raman光谱分析

采用沉淀-胶溶-絮凝法，以偏钛酸为反应物．制备出锐钛矿型纳米TiO2粉末．用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和高温Raman光谱对其结构进行表征。并采用高温Raman光谱仪对所制备的纳米TiO2从25～1200℃进行了原住Raman光谱研究。温度较低时，锐钛矿相的Raman谱峰明显可见．由于高温下Raman信号减弱，随着温度升高，Raman特征谱峰逐渐减弱以至于全部消失，仅显示出几个宽宽的凸起。同时，高温Raman光谱存在明显的温度效应，因而导致了随温度升高144cm^-1和196cm^-1谱峰的蓝移,640cm^-1谱峰的红移以及谱峰宽化。     

X射线衍射法测定聚合物材料取向EI

介绍了用X射线衍射法测定结晶聚合物材料取向度定义,单轴和双轴取向及其计算方法。     

X 射线双晶衍射在新材料研究中的应用

本文介绍了 X 射线双晶衍射术的基本原理。描述了双晶衍射技术在半异体材料的离子注入、单层及多层异质结外延膜、应变超晶格等新型材料研究中的应用。给出了双晶衍射对 Si 中高能 B~+注入和 In_xGa_(1-x)As/GaAs 超晶格研究的实例。     

Ge-As-Te玻璃结构的X射线衍射和RMC模拟研究

本文通过Ｘ射线衍射分析和逆蒙特卡洛计算机模拟,得到Ｇｅ１０Ａｓ１８Ｔｅ７２玻璃中,Ｇｅ,Ａｓ原子的平均本位数分别为３．５５,３,平均每个Ｔｅ与０．８个Ｔｅ原子配位键;玻璃网络结构为变形的「ＧｅＴｅ４」四面体和「ＡｓＴｅ３」,「ＧｅＴｅ３」三角锥通过－Ａｓ（Ｇｅ）－Ｔｅ－Ａｓ（Ｇｅ）－链连接起来的     

多晶材料X射线衍射无标样定量方法

Ｘ射线物相定量的结果对多晶样品的结构和织构十分敏感．一般的Ｘ射线定量方法都需要在样品中添加标样并均匀混合研磨，因而容易引起很大的误差．近年来，无标样Ｘ射线定量方法得到了很大的发展．无标样定量方法克服了一般有标样Ｘ射线定量方法需要混合研磨和手续烦复的缺点．本文总结了三类ｘ射线衍射无标样定量方法：理论参数计算法、全谱图拟合法以及联立方程法．给出了提高各种无标样法定量精度和可靠性的方法．     

木质陶瓷的X射线衍射和喇曼光谱研究

采用X射线衍射和激光喇曼光谱, 研究了以烟杆和酚醛树脂为原料制备木质陶瓷炭化过程中结构的变化特征. 研究结果表明, 炭化温度的升高可以使木质陶瓷XRD谱图中衍射峰增加, 强度增大, 同时木质陶瓷中石墨微晶的平均层间距d₀₀₂减小, 堆积厚度L _c增加, 微晶直径 L _a在973K出现转折点; 木质陶瓷的喇曼光谱图为典型的类石墨炭材料的喇曼谱图, 只出现了表征无序结构的D线和表征石墨结构的G线, 且表征无序化度的二者积分强度比R值随炭化温度的升高先增后减, 而根据Tuinstra-Koenig 经验式计算得到的微晶直径L a值表现出与R值相反的规律; 两种分析方法的结果较为一致, 均表明木质陶瓷结构在973K发生根本改变, 说明喇曼光谱有望成为木质陶瓷结构的快速测试方法.     

X射线衍射法测定拟薄水铝石的结晶度

在选定的工作条件下,对拟薄水铝石进行X射线衍射分析,通过扣除背景、一次平滑处理后,结晶度与峰面积或峰高成线性关系,结晶度与峰高的线性回归方程为Xc=0.379 1Ic+6.487 5,相关系数0.999 2。采用标准曲线法对未知样进行测定的方法简单、快速,准确度和精密度较高。     

X光透镜在X射线衍射中的应用

介绍了毛细管X光透镜的工作原理和物理特性。将微会聚X光透镜应用于四圆衍射仪,对直径为0．6,0．4和0．2mm的化合物晶体做了衍射对比试验。结果表明：在衍射分辨率和调光精度达到原来试验要求的前提下,三种尺寸的晶体衍射强度得到了不同程度的提高,其中直径为0．2mm的化合物晶体的衍射强度增益接近5倍。同时介绍了其在残余应力衍射分析中的应用。     

Investigation of Ge-Si Atomic Interdiffusion in Ge Nano-dots Multilayer Structure by Double Crystal X-ray Diffraction

The fluctuations of the strained layer in a superlattice or quantum well can broaden the width of satellite peaks in double crystal X-ray diffraction （DCXRD） pattern. It is found that the width of the 0^th peak is directly proportional to the fluctuation of the strained layer if the other related facts are ignored. By this method, the Ge-Si atomic interdiffusion in Ge nano-dots and wetting layers has been investigated by DCXRD. It is found that thermal annealing can activate Ge-Si atomic interdiffusion and the interdiffusion in the nano-dots area is much stronger than that in the wetting layer area. Therefore the fluctuation of the Ge layer decreases and the distribution of Ge atoms becomes homogeneous in the horizontal Ge （GeSi actually） layer, which make the width of the 0^th peak narrow after annealing.     

X射线粉末衍射少量试样的试样板制作

从对参与衍射的试样体积(宽度)、入射X射线在试样表面的总光量和亮度及X射线被试样吸收三个方面在扫描过程中的变化的分析出发,讨论了在试样量少到不能以薄层填满整个试样槽时,如何制作试样板以得到衍射强度高的高质量衍射谱的方法.在固定发散狭缝宽度的条件下,为使参与衍射的试样面积大,使长度方向的试样尺寸与X射线管中线焦点的长度相...     

X射线多晶衍射试验中FWHM测量的影响因素

简单介绍了X射线多晶衍射中FWHM的定义及应用。单纯从试验技术的角度出发，使用荷兰Philips公司生产的X’PertMPDPro型衍射仪，以Philips公司提供的标准多晶硅片为试样，逐一考察了仪器设置、程序设置、试样制备以及试验数据处理等因素对于FWHM测量结果的影响并分析了其中的原因。在此基础上总结出精确测量FWHM的一套试验方法。     

密堆六方纳米ZnO的X射线衍射表征与研究

X射线衍射(XRD)实验发现密堆六方纳米ZnO的hk0、h-k=3n的衍射线, 仅存在微晶宽化, 而h-k=3n±1的衍射线, 无l=偶数、l=奇数的层错选择宽化效应. 为了表征这种纳米ZnO的晶粒大小和层错几率, 提出了分解纳米ZnO微晶-层错二重宽化效应的最小二乘法. 计算结果表明: 密堆六方纳米ZnO的晶粒大小和层错几率与制备方法、原料配比等有关.     

X射线衍射法测试轧板表面残余应力

从试验角度讨论采用X射线衍射法测试轧板表面残余应力时遇到的一些问题。用X射线衍射法测试织构材料的表面残余应力时会出现2θ-sin2ψ震荡现象,但是测得的应力数据与加工工艺仍保持对应,反映出不同工艺对板材表面残余应力的影响。考虑到在较大的ψ角范围内缩小各衍射峰强度差异,对于面心立方钢铁材料宜选用(311)晶面测试。增加测试的ψ角站数也有助于得到好的应力测试效果。     

X射线衍射法测定材料织构的参数探讨

通过调节管电流的大小和有无滤波片来探讨测定参数对材料织构的影响。结果表明：管电流的大小对织构测定基本没有影响,而去掉滤波片后主要织构组分没有变化,但最大极密度降低,弱织构组分能够显现。