δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

渗透蒸发与化学反应耦合过程的研究（Ⅱ）：模型验证

针对乙酸异戊酯合成反应体系，采用改性的ＰＡｍＡ－ＰＩ渗透蒸发膜进行渗透蒸发与化学反应耦合过程的试验研究．在给定的实验条件下，可以回归出如下数学模型：η＝０．５１５５ｅｘｐ（７５０．５ＲＴ）ｌｎ［１＋７７０．０Ｃ２Ａｏｅｘｐ（－６４４８ＲＴ）（１－ε）（Π－ε）－１４．５５ｅｘｐ（－５９２．２ＲＴηε２Ｃ２Ａｏ］／ＣＡｏε它能较准确地描述渗透蒸发与乙酸异戊酯合成反应过程，在相似反应条件下，可以预测改变其它变量的变化趋势，从而给渗透蒸发膜反应器的优化设计提供了理论依据     

PAA-PSF交联复合膜的制备及对低浓度有机醇水溶液反渗透分离性能研究

进行了ＰＡＡ（ＰｏｌｙａｃｒｙｌｉｃＡｃｉｄ）－ＰＳＦ（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）交联复合膜的制备，研究了交联剂、添加剂对膜性能的影响，并通过扫描电镜观察了膜的断面结构．研究了ＰＡＡ－ＰＳＦ交联复合膜对低浓度有机醇类水溶液反渗透分离性能．发现对于１０００×１０－６乙醇水溶液截留率达到６６．２％，透过流束可达０．９×１０－６（ｍ３·ｍ－２·ｓ－１）．随醇的分子量的增加，截留率不断上升，对戊醇的截留率达９４．３％，而透过流束则保持相对稳定．对不同结构醇类的分离性能研究表明，截留率存在有：ｔｅｒｔ－＞ｓｅｃ－＞ｉｓｏ－＞ｎ－的规律．     

超负磁致伸缩晶体Sm—Fe,Sm—Dy—Fe和Sm—Dy—Fe—Al的研究

本文研究了轻稀土负磁致伸缩ＳｍＦｅｘ（１．４０≤ｘ≤１．９４），ＳｍｘＤｙ１－ｘＦｅｙ（０．８４≤ｘ≤０．９２，１．８０≤ｙ≤１．９０），Ｓｍ０．９０Ｄｙ０．１０（Ｆｅ０．９５Ａｌ０．０５）１．８０晶体的制备，热处理及磁学性能，发现ＳｍＦｅｘ合金的λ－ｘ曲线存在两个峰值，峰值的ｘ点热处理发生的变化有一定的规律性，还比较了热处理前后，Ｓｍ－Ｆｅ、Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ和Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ａｌ的相组成对性能     

超负磁致伸缩晶体Sm－Fe、Sm－Dy－Fe和Sm－Dy－Fe－Al的研究

本文研究了轻稀土负磁致伸缩ＳｍＦｅ＿ｘ（１．４０＜ｘ＜１．９４），Ｓｍ＿ｘＤｙ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｙ（０．８４＜ｘ＜０．９２．１．８０＜ｙ＜１．９０），Ｓｍ＿（０．９０）Ｄｙ＿（０．１０）（Ｆｅ＿（０．９５）Ａｌ＿（０．０５））＿（１．８０）晶体的制备、热处理及磁学性能，发现ＳｍＦｅ＿ｘ合金的λ－ｘ曲线存在两个峰值，峰值的ｘ点随热处理发生的变化有一定的规律性，还比较了热处理前后，Ｓｍ－Ｆｅ、Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ和Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ａｌ的相组成对性能的影响。热处理用于改善磁致伸缩性能，并且制得了高磁致伸缩性能的ＳｍＦｅ＿２和（Ｓｍ，Ｄｙ）Ｆｅ＿２合金。     

论不锈钢容器中烘烤对出气率与抽速关系的影响

为了研究真空系统中烘烤时对出气率与抽速关系的影响，在室温条件下未经烘烤和在室温条件下经过温度为１００℃和２５０℃烘烤的情况下，对出气率与抽速的关系进行了测量。测量所得出气率ｑ（Ｔｏｒｒ，ｌ／ｓ，ｃｍ＾２）遵循指数规律：ｑ＝（Ｃｓ／Ａ）＾ｍ，其中，ｃ和ｍ（０〈ｍ〈１）为常数：Ｓ／Ａ为抽气参数，其定义为抽速Ｓ（ｌ／ｓ）与真空容器表面积Ａ（ｃｍ＾２）之比，Ｓ／Ａ的变化范围从２．４６×１０＾－５到１．２６     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

Al-12.6%Si薄带双辊快速凝固成形试验研究

运用双辊快速凝固方法将液态Ａｌ－１２．６％Ｓｉ合金直接制备成厚度为０．１￣０．５ｍｍ的薄带。介绍了这一方法的基本原理、特点和试验设备设计中的关键问题。辊面可控线速度Ｖｒ为２￣８．５ｍ／ｓ,薄带厚度正比于Ｖｒ＾－１／２。薄带组织为细小的初晶α－Ａｌ和极细小的（α－Ａｌ＋Ｓｉ）共晶体,塑性和抗拉强度得到明显改善．     

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

用金属有机物气相外延方法在（０００１）蓝宝石衬底上生长了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ／ＧａＮ二维电子气结构。Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ（７００ｎｍ）／ＧａＮ（６００ｎｍ）异质结的室温电子迁移率达１０２４ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的室温电子迁移率为３９０ｃｍ＾２／Ｖｓ;该异质结的７７Ｋ电子迁移率达３５００ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的电子迁移率在１８５Ｋ下达到峰值,为４９０ｃｍ＾２／Ｖｓ,７７Ｋ下下降到     

磁控溅射Fe-N薄膜的结构和性能

研究了氮流量对磁控溅射Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性和结构的影响．加氮薄膜的软磁性能明显优于纯铁的．当氮的流量为１．０ｍＬ·ｍｉｎ~（－１）时,矫顽力 Ｈ_ｃ达到最小值２０５Ａ／ｍ．当氮流量为０．８ｍＬ·ｍｉｎ_（－１）时,饱和磁化强度达到Ｍ_ｓ＝２．３６Ｔ．在 Ｆｅ－Ｎ薄膜中未发现γ’－Ｆｅ４Ｎ和 α”－Ｆｅ１６Ｎ２．