Sol-Gel法制备低阻SnO2薄膜

采用sol-gel法制备了SnO2薄膜。研究了不同的实验条件对薄膜阻值的影响。利用XRD、XPS分析了薄膜的晶体结构和晶粒尺寸。利用这种低阻SnO2薄膜制作的热线型气敏元件对H2S具有较好的气敏特性。     

浸渍-涂布法制备In2O3薄膜

以InCl3@4H2O为原料,采用溶胶-凝胶技术、浸渍-涂布法制备了In2O3薄膜.同时对薄膜厚度与In2O3含量、涂布液粘度以及提拉速度等关系进行研究,发现薄膜厚度与涂布液粘度、提拉速度成对数线性关系.膜厚与提拉速度的关系式为t≈v0.62.XRD、IR测试表明经过400℃煅烧,PVA已经完全排除.SEM照片表明薄膜形貌平整、光亮,从而为该种材料制作实用的气敏元件打下了良好的基础.     

Sol-Gel法制备掺钛SnO2薄膜的返回特性研究

在常温、加温和紫外线三种环境下,通过对Sol-Gel法(溶胶凝胶法)制备成的5%、10%及15%钛掺杂SnO2薄膜在乙醇、丙酮两种气氛作用下进行气敏反应前后的光反射谱测试,研究薄膜的返回特性。研究分析表明,加温环境中钛掺杂SnO2薄膜的返回特性比常温环境中的效果要好很多,返回所需时间能从十小时缩短至五分钟。此外,紫外光照射下返回特性较好,返回时间较短,而且更为安全、便利,相信在未来的发展中能有更广泛的应用。     

Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜新进展

从底电极的选择、过渡层的引入、外延膜的生长、取代阳离子的改性四个方面介绍了Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜的研究进展,简述了PZT的Sol-Gel机理研究现状和引起PZT铁电薄膜极化疲劳的原因,分析了Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜研究中存在的问题,并提出展望。     

Sol-Gel法制备ZnO:Al透明导电薄膜

采用Sol-Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为纤锌矿型结构,表面平整、致密.通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al3+离子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能.实验发现,当Al3+离子掺杂浓度为0.8%时,前处理温度为400℃,退火温度为550℃,真空退火温度为550℃时,薄膜具有较好的导电性,电阻率为3.03× 10-3Ω@cm,其在可见光区的透过率超过80%.     

低阻SnO2微粉的制备及其气敏特性

采用溶胶-凝胶及共沉淀技术制备了低阻SnO     

溶胶—凝胶法制备薄膜湿敏元件的研究

用溶胶－凝胶法制备了Ｒ２Ｏ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２系（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）薄膜湿敏元件，研究了它们的感湿特性，对薄膜的结构、导电机理进行了讨论，获得的湿敏元件具有响应快、滞后小和灵敏度等优点。     

溶胶-凝胶法制备复合钒钼酸铵干凝胶薄膜及其湿敏特性研究

通过溶胶－凝胶法制备了复合钒钼酸铵Ｈ２－ｘ（ＮＨ４）ｘＶ１０ Ｍｏ２Ｏ３１＋δ＋·ｎＨ２０（ｘ＝０,１,２）干凝胶薄膜,对其进行ＴＸＲＤ和ＸＰＳ分析,同时研究了其温敏性能。     

溶胶—凝胶法制备TiO2—CeO2薄膜

本文报道了用溶胶－凝胶法制备TiO2-CeO2薄膜的工艺过程及所制备薄膜的性能，研究了在不同Ce/Ti比及催化条件下浸涂液的成膜能力，胶凝过程以及薄膜的物相和光学性能。结果表明，在浸涂液中加入水或碱会使浸涂液迅速凝胶，而加无机盐会促进老化过程。浸涂液的水解－凝胶过程对薄膜的透过率、表面形貌有显著影响，随Ce/Ti比增大，浸涂液的成膜能力变坏，而薄膜的紫外吸收增大。     

溶胶—凝胶法制备的Al2O3感湿膜及其性质

用溶液－凝胶方法，采用电泳工艺在Ａｌ基片上制成Ａｌ２Ｏ３薄膜，膜物质主要是非晶态，但含有少量微晶。随着热处理温度的升高，微晶含量增加。这种湿敏膜在中、高湿区有良好的感湿性能。     

微乳液法制备ZnS:Mn纳米晶及性能的表征*

利用微乳液法制备出3－5nm ZnS:Mn纳米晶,并用TEM和Brus有效质量模型进行确定。在紫外吸收光谱中,ZnS:Mn纳米微粒的吸收峰发生蓝移,且颗粒越小,蓝移量越大。用微乳液法制得纳米微粒尺寸可控,粒径均一。利用激发光谱和发射光谱对纳米微粒的光学性能进行表征。     

H2C2O4稳定剂对SOl-Gel法制备LiNbO3薄膜的影响

研究了分别以H2C2O，HNO3，HCOOH和CH3COOH作稳定剂的LiNbO3薄膜先驱液的稳定性，发现H2C2O4作稳定剂的先驱液的稳定性最好，用sol-gel法在Si(110)基板上制备了以H2C2O4作稳定剂的LiNbO3薄膜，并对LiNbO3薄膜进行了IR，XRD和SEM表征，结果表明，生成的LiNbO3为多晶，与HNO3相比，以H2C2O4作稳定剂制备的LiNbO3薄膜形貌较差。     

In2O3纳米棒的制备与表征

以非离子表面活性剂作为形貌控制剂，采用溶胶-凝胶法制备In2O3纳米棒前驱物，经500℃煅烧1h，成功制备了长约120nm，直径20nm的In2O3纳米棒。根据综合热分析（TG—DSC）结果，前驱体是In（OH）3部分脱水的In2O（OH）4干凝胶；计算表面活性剂分子的几何排列参数P在1／3～1／2之间，确定体系形成的是棒状胶团，并对其影响因素和机理进行了讨论。     

Sol-gel法制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜的性能研究

用sol-gel法成功制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜,XRD结果表明制备的BNT薄膜具有(117)和(00l)的混合取向,FE-SEM显示薄膜表面光滑致密,颗粒均匀.剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为29.5μC/cm2和100kV/cm,经过109次循环后几乎无疲劳.     

自组装单层膜表面的Bi2Ti2O7薄膜制备与表征

以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料,以三氯十八烷基硅烷(OTS)为模板,采用自组装单层膜(self-as-sembled monolayers,SAMs)技术,在玻璃基板上成功制备了Bi2Ti2O7晶态薄膜。借助X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线能谱(EDS)及原子力显微镜(AFM)等测试手段对Bi2Ti2O7薄膜进行了表征。结果表明,以OTS为模板利用自组装技术,经540℃煅烧2h可成功制得立方相Bi2Ti2O7晶态薄膜,且薄膜表面平整光滑,均匀致密。     

Sol-Gel制备Ba1-x Srx TiO3系铁电薄膜的介电、调谐性能*

用sol-gel工艺制备Ba1-xSrxTiO3系铁电薄膜（1－x=0.3,0.5-0.9)。实验证实,在制备溶胶过程中,提高加热温度能有效增加BST薄膜的介电调谐百分率。室温下,100kHz,各组分薄膜的介电常数（ε）和介电调谐百分率（Tunability%)均呈现较高的值。其中,Ba0.8Sr0.2TiO3的介电常数和调谐百分率达到最大分别为：678和39％,比国际上同类文献报道的数据高。BST的ε－E曲线呈良好的单值函数关系。介电温谱出现明显宽化,调谐曲线峰值点对应的温度较居里温度低20－30℃,本文并对上述现象作出解释。     

钛酸镧铅薄膜的介电、铁电性能研究

采用溶胶－凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试，研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响，结果发现在600℃下退火1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构；常温下，薄膜的矫顽场和剩余极化强度都随着掺镧量的增加而降低，其介电常数和介质损耗却随掺镧量的增加而增大。     

Li-Cu共掺杂ZnO纳米薄膜的溶胶凝胶法制备

采用溶胶-凝胶法,通过调整氯化锂和氯化铜的摩尔比在不同基片上制备了不同Li-Cu共掺杂浓度的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、紫外可见光分光光度计和伏安特性测试等表征了薄膜的结晶状况、表面形貌及光电特性.结果表明:所得Li-Cu共掺杂ZnO薄膜为六角纤锌矿多晶结构,有CuO杂质相生成.随Li和Cu摩尔比增加,共掺杂ZnO薄膜结晶度增强,晶粒长大,样品表面不平整度增加.CuO颗粒的出现,使得共掺杂ZnO薄膜透射率降低,透光性较差.Li与Cu摩尔比为1∶1时,共掺杂ZnO薄膜的综合导电性最好.