FC／ZnO杂化材料的制备及结构与性能

采用射频磁控溅射法,分别以聚四氟乙烯(PTFE)和锌为靶,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底上沉积氟碳(FC)膜以及FC/ZnO的有机-无机纳米杂化材料。用SEM、UV、XPS对氟碳膜和杂化材料进行了表征。结果表明,氟碳膜形成了一种由纳米粒子-纳米孔洞组成的双纳米结构,随着ZnO沉积时间的不同,FC/ZnO杂化膜呈现出不同的表面形貌,杂化膜的生长模式是一种依附于有机核的沉积-扩张生长模式;杂化材料的F/C较低,随着氧化锌沉积时间的增加,F/C出现逐渐增大的趋势;杂化膜是一种多重抗紫外线辐射的功能膜。     

溅射沉积ZnO/FC多功能有机-无机杂化膜

详述了ZnO/FC杂化膜的制备方法和基本性质.该杂化膜采用射频磁控溅射法通过二次溅射在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底上沉积而成.所得杂化膜的性质强烈地依赖于制备条件.用AFM、UV、XPS以及静态水接触角表征了杂化膜的形貌、结构和特性.杂化膜的表面起伏不平.静态水接触角大于90°,表现出较好的疏水性,随着放电功率的增大,杂化膜的接触角逐渐增大,压力增加,接触角逐渐减小.杂化膜具有较好的紫外线吸收性能,显示出对紫外光的多重吸收-散射作用.是一种既具有疏水性又具有抗紫外线辐射的多功能有机一无机杂化膜.     

无机/有机杂化材料的制备及商品化

本文概述了用溶胶—凝胶法制备无机 /有机杂化材料的最近进展。     

聚氨酯/沸石杂化材料的制备及性能

首次提出聚氨酯／沸石型有机-无机杂化的新模式，并选用表面富合活泼羟基且合有微孔直径大于0．7nm的沸石分子筛，制备出聚氨酯／沸石分子筛新型杂化材料。结果表明，其性能远优于纯聚氨酯的性能，与聚氨酯／有机蒙脱土纳米复合材料的力学性能和耐热性能相近，但耐溶剂性能和回弹性能优于前者。XRD分析表明分子筛在杂化材料中保持原状，FT—IR证实TDI能够与沸石分子筛表面的硅羟基进行接枝反应。     

环氧树脂/二氧化硅杂化材料的制备与性能表征

溶胶-凝胶法制备环氧树脂/SiO2杂化材料,利用FTIR、SEM和综合热分析仪对杂化材料的结构、显微形态及热性能进行了表征.结果表明,杂化材料中SiO2与环氧树脂两相间存在氢键作用;SiO2质量分数＜7%时SiO2与环氧树脂之间无明显相界面,可获得有机聚合物链段与无机网络互穿的有机/无机杂化材料;SiO2质量分数为11%时材料具有最佳耐热性能.     

环氧树脂/二氧化硅纳米尺度杂化材料的制备

本文通过溶胶-凝胶过程制备了环氧树脂/二氧化硅的杂化材料,材料宏观上皆为透明的块状固体,扫描电镜观察发现无机粒子达到了纳米级的分散.并对材料的热性能和力学性能进行了研究.     

PVA/SiO2杂化材料的制备及表征

采用甲醛、乙醛及正丁醛作为改性剂,分别对 PVA进行改性,研究了改性PVA与TEOS及KH-560制备透明防雾涂层的工艺过程及涂层的性能. 结果表明,综合性能AMPVA＞FMPVA＞n-BMPVA,nBMPVA难以形成透明涂层;通过FT-IR分析证明涂层中有Si-O-Si生成;并讨论了涂层TGA曲线与涂层的透明性的关系.     

环氧树脂/二氧化硅杂化材料的制备与性能

采用溶胶-凝胶技术,以硅酸钠为原料制备聚硅酸/四氢呋喃溶胶,再与环氧树脂（EP）及少量偶联剂3-氨基丙烷乙氧基硅烷（APTES）混合,制备EP/SiO2杂化材料.通过红外光谱、X射线衍射、DSC、TG及扫描电镜（SEM）等测试手段对材料的结构与性能进行了表征.     

溶胶-凝胶法制备无机/有机杂化材料研究进展

本文介绍了溶胶－凝胶法的基本过程,对无机／有机杂化材料进行了分类,描述了溶胶－凝胶法制备无机有机杂化材料的常用方法,对杂化材料进行了评述,并预测了将来的发展趋势。     

溶胶-凝胶法制备有机/二氧化钛杂化材料

采用溶胶-凝胶法同时对钛酸四丁酯(TBT)乙烯基三乙氧基硅烷(ETES)进行水解剥备出能长时间稳定存在的纳米TiO2杂化材料的溶胶体系。探讨了反应体系的pH值、溶剂类型、反应温度以及正丁醇与TBT的体积比对产物稳定性的影响。红外光谱表明该溶胶体系是TBT与ETES反应的产物。透射电镜分析表明：该体系颗粒大小为60nm～80nm左右。此种含TiO2的杂化材料广泛应用于纳米复合材料的增强、耐磨等领域。     

PZT/ZnO薄膜制备及其结构特性研究

利用固相反应制备的ZnO-Li_(2.2%)陶瓷靶和RF射频磁控溅射技术在Si(100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD和电性能分析表明掺杂Li离子改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度对ZnO薄膜结构与取向的影响;然后采用sol-gel前驱单体薄膜制备方法,以ZnO为过渡层淀积PZT薄膜,探讨高度c轴(002)择优取向ZnO薄膜对PZT薄膜结构与性能的影响,实验发现在PZT/ZnO异质结构中,致密、均匀和高度c轴择优取向的ZnO可作为晶核,促进PZT钙钛矿结构转化、晶粒(110)择优取向生长,相应降低PZT薄膜的退火温度.     

ZnO陶瓷靶制备及其薄膜 RF溅射工艺研究

利用固相反应制备了直径为70mm,厚度为10-15mm高质量掺杂Li2CO2的ZnO陶瓷靶材,实验了不同摩尔浓度的Li+掺杂对靶材性能的影响,确定了最佳Li+掺杂量为2．2mol％,同时通过在不同温度烧结实验、不同成型压力实验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并采用所制备的ZnO-Li2.2％陶瓷靶和RF(射频磁控)技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)／Ti／SiO2／Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向的ZnO薄膜,其绝缘电阻率ρ为4．12×108Ω·cm,达到了声表面波器件(SAW)的使用要求．     

掺氮ZnO薄膜的制备及其光电性能

在保持氩气流量一定,通过改变O2与N2的流量比,以高纯锌为靶材,通过射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上生长氮掺杂ZnO薄膜。采用XRD、荧光光谱、扫描电镜及皮安表对薄膜的晶体结构、光学性能、表面和截面形貌及电学性能进行了表征。结果表明：氮掺杂ZnO薄膜仍具有高度的c轴择优取向;氮以受主杂质形式存在可有效降低薄膜的电阻率;薄膜中氮含量的相对变化是影响ZnO薄膜晶体质量和光电性质的重要因素。     

ZnO 薄膜包装材料溅射制备工艺与阻隔性能研究

目的为了解决普通聚合物包装塑料对水、氧的阻隔能力不足,以及包装内容物货架时间短等问题,研究氧化锌(ZnO)沉积复合薄膜制备工艺与阻隔性能之间的关系,探索其应用于包装材料的可行性。方法采用射频磁控溅射技术(RF),以ZnO为靶材,在PET塑料表面沉积制备氧化锌薄膜包装材料,并详细分析射频溅射功率、沉积时间与工作气压对ZnO复合薄膜微观形貌、沉积速率以及阻隔性能的影响。结果当溅射功率为150 W,沉积时间为30 min,工作气压为0.8 Pa时,ZnO薄膜均匀且致密,阻隔能力最强,其氧气透过率(OTR)降低为1.23 m L/(m2·d),水蒸汽透过率(WVTR)降低为0.382 g/(m2·d)。与相同厚度下的PET原膜相比,所制备的ZnO高阻隔薄膜的透氧率降低了49.5倍,透湿率降低了17.6倍。结论射频溅射参数通过影响复合薄膜的微观形貌、致密程度、沉积速率以及沉积层厚度等方面对其阻隔能力会产生较大影响。     

磁控溅射MoO_3半导体功能薄膜的制备与结构性能研究

采用射频磁控溅射技术分别在Si(100)和玻璃衬底上通过调整不同的溅射功率和退火温度成功制备了MoO3薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜、紫外可见光分光光度计、接触角测量等进行了表征和分析。X射线衍射表明400℃以上沉积的MoO3结晶薄膜属正交晶系,沿(0k0)(k=2n)取向择优生长,衍射峰强度和薄膜的结晶度随溅射功率的提高逐渐增强;利用扫描电镜观察表面形貌,发现结晶的薄膜表面发生了不同程度的变化,由初期均匀分布的纳米细长状颗粒长大成二维片状结构;紫外可见光分光光度计测试表明,薄膜在可见光区具有良好的光学透过性,平均透过率达60%以上;接触角测量发现薄膜呈明显亲水性,通过后续的表面氟化改性热处理,实现了薄膜亲水-疏水的润湿性能转换。     

不同衬底上ZnO薄膜的射频磁控溅射制备及结构

利用射频磁控溅射镀膜的方法,在c面蓝宝石、石英玻璃和载破片衬底上成功制备了ZnO薄膜。用x射线衍射和扫描电子显微镜进行了结构分析并观察了样品的表面形貌。结果表明：制备的ZnO薄膜具有良好的C轴择优取向结晶度,并在石英玻璃和载玻片衬底上的ZnO薄膜表面发现了[101]取向的“米粒状”晶粒。     

Structural and optical properties of nitrogen doped ZnO films

Zinc oxide is getting an enormous attention due to its potential applications in a variety of fields such as optoelectronics, spintronics and sensors. The renewed interest in this wide band gap oxide semiconductor relies on its direct high energy gap (E_g ∼ 3.437 eV at low temperatures) and large exciton binding energy. However to reach the stage of device production the difficulty to produce in a reproducible way p-type doping must be overcome.In this study we discuss the structural and optical properties of ZnO films doped with nitrogen, a potential p-type dopant. The films were deposited by magnetron sputtering using different conditions and substrates. The composition and structural properties of the films were studied combining X-ray diffraction (XRD), Rutherford backscattering (RBS), and heavy ion elastic recoil detection analysis (HI-ERDA). The results show an improvement of the quality of the films deposited on sapphire with increasing radio-frequency (RF) power with a preferentially growth along the c-axis. The ERDA analysis reveals the presence of H in the films and a homogeneous composition over the entire thickness. The photoluminescence of annealed samples evidences an improvement on the optical quality as identified by the well structured near band edge recombination.