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相似文献
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1.
金刚石声表面波器件的研究与进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
高频无线通讯系统的迅速发展推动了对高频声表面波(SAW)器件需求的不断增大。金刚石具有最高的声速和许多优于其他材料的特性,因此金刚石声表面波器件受到了越来越多的关注。本文介绍了金刚石声表面波器件的构成、制备方法,讨论了金刚石声表面波器件近年来国际上的研究进展,包括理论研究与实验进展的概况,并讨论了金刚石声表面波器件的未来发展趋势。  相似文献   

2.
高频无线通讯系统的迅速发展推动了对高频声表面波 (SAW)器件需求的不断增大。金刚石具有最高的声速和许多优于其他材料的特性 ,因此金刚石声表面波器件受到了越来越多的关注。本文介绍了金刚石声表面波器件的构成、制备方法 ,讨论了金刚石声表面波器件近年来国际上的研究进展 ,包括理论研究与实验进展的概况 ,并讨论了金刚石声表面波器件的未来发展趋势  相似文献   

3.
声表面波器件的研究进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
声表面波器件作为一种新型的电子器件,近年来引起了人们极大的关注,在科学研究领域有了较大的进展,在现代无线通讯领域的应用范围日趋广泛。本简述了目前国际上出现的声表面波器件的制备方法、性能研究及其应用,展望了其今后的发展趋势。  相似文献   

4.
声表面波器件作为一种新型的电子器件,近年来引起了人们极大的关注,在科学研究领域有了较大的进展,在现代无线通讯领域的应用范围日趋广泛.本文简述了目前国际上出现的声表面波器件的制备方法、性能研究及其应用,展望了其今后的发展趋势.  相似文献   

5.
一般的声表面波器件是由与外电路相联接的两个叉指换能器组成,其中所要处理的信号都要经受电 - 声和声 - 电两次转换。又指换能器的结构和外电路的特性对这些转换的效率和相位变化有着密切的联系。本文从声表面波又指换能器交叉场等效电路模型出发,较详细地讨论了声表面波器件中输入、输出又指换能器的设计参数(中心频率和叉指电极对数等)及外电路负载和匹配网络对信号的转换效率和相移(或延迟时间)的影响。本文还针对某些又指换能器的实际例子,给出了详细的计算数据。文中所给出的公式和计算结果,可作为设计声表面波延迟线和振荡器的参考。  相似文献   

6.
声表面波器件在通信、传感、射频识别等领域有着广泛的应用.以有限元方法为基础,利用有限元软件COMSOL对声表面波器件进行了仿真.从器件的模型建立入手,按由浅入深的顺序对无电极压电基片、压电基片表面沉积叉指换能器、叉指换能器表面溅射薄膜、薄膜上负载液体的4种结构进行了仿真分析.仿真研究表明:叉指换能器的电极效应会产生正、反特征频率,并且两种频率都随着叉指电极的敷金比与高度增加而向低频偏移;薄膜厚度的增加同样会导致器件频率向低频变化;当器件负载液体用于液体密度检测时,可通过器件频率变化对液体密度的灵敏程度来对薄膜厚度进行优化.其研究结果可以为声表面波器件的设计制作提供依据.  相似文献   

7.
为了提高薄膜声表面波器件工作频率,并增强功率承受能力,采用过滤阴极真空电弧技术制备四面体非晶碳(ta-C)薄膜,用作IDT/ZnO/Si结构的增频衬底。通过解析层状结构声表面波传播状态方程,对IDT/ZnO/ta-C/Si声表面波器件进行优化设计,计算表明,随着ta-C层厚的增加,其增频作用愈加明显,且在层厚较薄时增幅较大,当膜厚超过一定程度,增幅趋缓。利用网络分析仪测试频率响应特征,利用纳米压痕测试薄膜硬度,并利用可见光Raman和XPS表征薄膜的结构。实验表明,ta-C膜层对IDT/ZnO/Si结构声表面波滤波器起到了明显的增频作用,膜厚越大,增幅越高,测试规律与计算结果吻合良好,ta-C能够代替化学气相沉积多晶金刚石用作薄膜声表面波器件的增频衬底。  相似文献   

8.
介绍了声表面波(SAW)气体传感器的工作原理及器件制作,提出了1种表面波SO2传感器,它采用三乙醇胺(TEA)覆盖薄膜,分辨率可达70×10-9。还讨论了SAW气体传感器的稳定性、可靠性、灵敏度及选择性等问题,并给出了有关的实验结果。  相似文献   

9.
声表面波单电子输运器件的频率响应研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为减少样品盒的电磁效应对声表面波单电子输运的影响,需要优化器件的样品盒结构.我们用全波法模拟不同样品盒的声表面波单电子输运器件的频率响应,同时测试该频率响应.模拟结果与测试结果较为一致.二者表明,电磁馈通效应对声表面波单电子输运器件的频率响应影响显著.通过适当改进器件的样品盒可以较有效地抑制电磁馈通效应.这将有助于提高量子化声电电流的精度.  相似文献   

10.
陈延峰 《材料导报》2001,15(2):34-34
声学超晶格理论是我国独创,具有国际先进水平。基于声学超晶格理论和效应的声电子器件,是一类全新的元器件。在863计划的支持下,我们不断地将器件的性能提高到更高的频率(大于1000MHz)和更大的带宽(大于 500MHz)。与此同时,我们进一步开拓了基于声学超晶格的光波与声波和光波与格波耦合的多功能声电子和光电子原形器件(声光器件和离子型声子晶  相似文献   

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