HT—7装置首次超导调试过程中的残气质谱分析

本文给出ＭＸ７３０４Ａ单极质谱计在ＨＴ－７装置首次低温超导调试过程中的应用。介绍进行残气质谱分析的目的，方法和采用的差分抽气质谱分析系统；给出装置调诗过程中常温和低温状态下残气谱图；根据残气成分的分析和真空状况。并利用质谱分析系统作了检漏手段。     

残气质谱分析在LAS—2000上的应用

本文详尽地探讨高真空及超高真空中的残余气体的质谱分析方法，并运用这些方法在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪上进行了应用研究，使我们对ＬＡＳ－２０００的本底真空有所了解，发现其超高真空中含较多的碳氢化合物。     

高压力四极质谱计的设计和特性

介绍了高压力四极质谱计的设计和特性。仪器的工作质量数范围为1～60原子质量单位。质谱扫描采用恒峰宽扫描方式。仪器的最大工作全压力大于0.1Pa,最小可检分压力低于1×10~(-6)Pa,峰强稳定性在20min 内优于1%,在质量数为40原子质量单位处的分辨本领达到250(50%峰高处的宽度)。滤质器杆长为50mm,离子进入四极场的入口孔径为1.5mm。仪器设计小巧,便于安装并耐400℃烘烤,适用于较高压力气氛的原位分析。     

用残气谱研究HT—7超导托卡马克第一壁硼碳膜的吸氧性

硼碳膜吸氧将导致真空室残气中水分压的降低，所以可以通过分析各种情况下真空室残气谱水分压的变化，来研究托卡马克等一壁硼碳膜的吸氧过程，残气谱分析表明硼化过程中，硼碳膜吸氧；各种等离子体轰击过程中硼碳膜吸氧；而没有等离子体轰击时如抽本底真空过程中，硼碳膜不吸氧。了解这些过程对合理使用膜有重要意义。     

残气质谱分析在LAS—2000上的应用

详尽地探讨高真空及超高真空中的残余气体的质谱分析方法。运用这些方法在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪上进行了应用研究。精确地分析了ＬＡＳ－２０００的本底真空，发现其超高真空中含有较多的碳氢化合物，这些碳氢化学物主要影响氢（氘）轰击石墨的化学腐蚀研究的结果分析。     

电真空器件残气质谱分析和贮存寿命的快速测试研究

电真空器件内的残气压强是制管和管子工作过程中管内吸气剂材料吸气后形成的平衡压强,器件击破后质谱分析室本底气体会被吸气剂吸收。因质谱分析室放出的本底气体量一般远小于吸气剂在器件内原吸收的气体量,故器件内的残气压强的新平衡值增量可以忽略,分析室本底不会影响正确的分析结果;大气漏入管内后只表现出该管内惰性气体氩的积累;据此,我们提出了充氩法贮存寿命的快速测试方法。只有吸气剂失效或吸气饱和后管内残气质谱图才反映出漏入的大气成份或分析室本底气体干扰的特征。     

丁辛醇／造气装置DCS改造分析

丁辛醇／造气装置采用的美国霍尼韦尔的TDC-3000系统进行控制,系统于1992年投用,2010年7月装置停工检修期间拆除DCS所有设备更新为霍尼韦尔TPS系统。