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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
对Pb(Ni1/3Nb2/3O3-PbZrO3-PbTiO3,即xPb(Ni1/3Nb2/3)O3-(1-x)Pb(ZrδTi1-δ)O3(0.2≤x≤0.6,0.2≤δ≤0.5)三元系固溶体的压电性能进行了研究,结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界(MPB)附近,压电常数d31值可达260×10-12C/N.讨论了结构相变对压电性能的影响.  相似文献   

2.
Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO3系陶瓷压电性及弛豫相变研究   总被引:30,自引:1,他引:29  
系统研究了(1-x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBaTiO3(x=0.02、0.04、0.06、0.08、0.10)无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能、驰豫特性及相变。这个系统的陶瓷材料具有Kt/Kp较大,频率常数比较高等特点,X-ray衍射结构分析发现此系统的相界在0.04〈x〈0.06之间;材料的一些主要性能在相界附近达到极值。利用介电系数-温度曲线,并结合热激电流曲线对此系统的驰豫性进  相似文献   

3.
Pb(Zn1/3Nb2/3)O3基复相陶瓷的结构与介电性能研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
岳振星  王晓莉 《功能材料》1997,28(2):157-161
在Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-BaTiO3-PbTiO3系统中选用两种具有不同居里温度的固溶体为起始组元,按对数混合法则对Pb(Zn1/3Nb2/3)O3基温度稳定电容器陶瓷的组成和介电性能进行设计的基础上,采用混合烧结法制备了(1-x)LTC-xHTC温度稳定电容器陶瓷。  相似文献   

4.
Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO3系陶瓷压电性?及弛豫相变研究   总被引:10,自引:0,他引:10  
系统研究了(1-x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBaTiO3(x=0.02、0.04、0.06、0.08、0.10)无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能,弛豫特性及相变.这个系统的陶瓷材料具有Kt/Kp较大,频率常数比较高等特点.X-ray衍射结构分析发现此系统的相界在0.04<x<0.06之间;材料的一些主要性能在相界附近达到极值.利用介电系数-温度曲线,并结合热激电流曲线对此系统的弛豫性进行研究和分析;初步研究了各配方组成的铁电-顺电的相变过程,发现在一定的组成范围内,材料在由铁电相向顺电相的转变过程中经历了一个过渡相区.  相似文献   

5.
姜胜林  周东祥 《功能材料》1998,29(3):293-295
对(1-x)PbTiO2+xPb(Cd1/3Nb2/3)O3系压电陶瓷进行了研究实验结果指出 ,当x=0.14时掺入适量的改性加物NiO2,MnO2,WO3,经过适当的工艺过程,可得到压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料,其中,材料的居里温度TC〉400℃,机械品质因数Qm〉2000,机电耦合系数Kt可达0.45,介电常数ε小于210,是一种很有前途和高温同频压电陶瓷材料。  相似文献   

6.
夏峰  姚熹 《功能材料》1999,30(3):293-294
将位于同型相界附近的固溶体系9.91PZN-0.09PT作为一个组元,与同样位于准同上界的另一个组元Pb(Zr0.53Ti0.47)复合形成新的压电陶瓷体系(1-x)(0.91PZN-0.09PT)-xPb(Zr0.53Ti0.47)O3,实验结果表明新体第具有更好的压电,介电性能,对样品退火处理后,发现压电,介电性能有较大提高,Kp最高达到73%,d33最高达到570pc/N。  相似文献   

7.
复相弛豫铁电陶瓷的相组成与介电性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用两相混合烧结法在Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-BaTiO3-PbTiO3系统中制备了弛豫铁电陶瓷材料,相组成研究表明,该陶瓷具有两相共存的复相结构,对复相陶瓷的介电性能进行了研究,结果表明,复相结构可有效地改善弛豫铁电陶瓷的介温特性、频率特性和介质老化性能。  相似文献   

8.
如果在PbTiO3(PT)粉末中添加适量的Pb(Sn1/3Nb2/3)O3(PSN)粉末,可以制成高温PT-PSN系陶瓷,并可以把此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器。本文主要报导PT-PSN系压电陶瓷的制备工艺、性能参数和试验结果。  相似文献   

9.
如果在PbTiO3(PT)粉末中添加适量的Pb(Sn1/3Nb2/3)O3(PSN)粉末,可以制成高温PT-PSN系陶瓷,并可以此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器,本文主要报导PT-PSN系压电陶瓷的制备工艺,性能参数和试验结果。  相似文献   

10.
高Tc铋层状压电陶瓷结构与性能   总被引:31,自引:2,他引:29  
综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究,铋层状压电陶瓷的(Bi2O2)^2+层和钙钛矿层(Am-1BmO3m+1)^2-按一定规则 排列而成,上A为适合于12配位的离子;B为适合于八面体配位的离子,m为一整数,其值一般为1 ̄5,与钛酸钡(BaTiO3)或锆钛酸铅(PZT)陶瓷相比,铋层状压电陶瓷具有以下特点:低介电常数、高TC、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等。  相似文献   

11.
PMN-PT单晶与陶瓷在性能及相变方面的特点   总被引:5,自引:0,他引:5  
着重介绍了用Bridgman方法生长的(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT)固溶体单昌在介电,压电、热释电性能及相应方面的一些特点;①异常高的电常数d33(高达3000pC/N以上),耦合系数kg(在0.6以上),k33(达0.90),高的介电常数ε(高达500甚至更高),低的Qm值(约60),热释电系数也较高。②强烈的各向异性。③随着PT含量的增加,系统的弛豫行为逐渐减弱,在x=0.33时,材料在室温下成为正常铁电体,但PE-FE相变并非正常铁电相变,表现在T>Tm时,ε-T关系不遵守居里-包斯定律,而是遵守Smolenskii的关系。该相变也明显地与弥散相变不同,这种行为可用无场的观点加以解释。  相似文献   

12.
采用固相合成法制备了(1-x)SrCaBi_4Ti_5O_(18-x)BiMeO_3(SCBT-xBMe,Me=Ga,Mn;0≤x≤0.02)铋层状压电陶瓷,研究了BiMeO_3掺杂对SrCaBi_4Ti_5O_(18)系陶瓷微观结构及电性能的影响。结果表明BiMeO_3掺杂并未改变SCBT陶瓷的晶体结构,所有样品均为单一的铋层状结构陶瓷;适量引入BiMeO_3能促使SCBT的晶粒长大且趋于均匀,并有助于SCBT电性能的优化。当BiMeO_3掺杂量为0.005(Me=Ga)和0.02(Me=Mn)时,材料的压电常数d33分别为18pC/N和20pC/N,同时材料具有高的居里温度(Tc=550℃)和低的介电损耗(tanδ0.15%)。此外,SCBTxBMe材料具有良好的压电稳定性,适合于制备高温高频压电器件。  相似文献   

13.
Lead-free piezoelectric ceramics (1-y)Bi0.5(Na1-xLix)0.5TiO3-yBaTiO3 with x=0-0.125 and y=0.02-0.12 were fabricated by a solid-state reaction process, and their dielectric, piezoelectric and ferroelectric properties were investigated. The results show that the addition of Li+ significantly improves the sintering performance and piezoelectric properties of the ceramics. X-ray diffraction (XRD) patterns indicate that the ceramics possess pure perovskite structure. At room temperature, the ceramics provide hig...  相似文献   

14.
采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征.制备的(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钦矿结构,室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变,显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异.与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷相比,(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷的烧结温度降低,烧结特性得到改善.(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷表现出优越的压电性能,其中0.94(K0.5Na0.5)NbO3—0.06LiNbO3(x=0.06)陶瓷的压电常数d33达到205pC/N,机电耦合系数kp为40.3%,kt达到49.8%.  相似文献   

15.
1.IntroductionRecent progress of microwave telecommunication de-mands the development and application of a variety ofmicrowave dielectric materials.The materials with highdielectric constant(ε),high quality factor(Q)and smalltemperature coefficient of resonant frequency(TCF)haveattracted the greatest interest of researchers.The com-pounds Ba(B'1/3B"2/3)O3(B'=Mg,Zn,Ni,etc.B"=Ta,Nb,etc.)with complex perovskite structure exhibit veryhigh Q value at microwave frequencies greaterthan10GHz.…  相似文献   

16.
采用固相合成法制备了Sm2O3掺杂的(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BCZT)无铅压电陶瓷.借助XRD、SEM等手段对该陶瓷的显微结构与电性能进行了研究.结果表明,Sm2O3的掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度点Tc从85℃提高到95℃.当Sm2O3掺杂量为0.02wt%~0.1wt%时,样品具有典型ABO3型钙钛矿结构.Sm2O3掺杂量为0.02wt%时,所得陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因子Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为590 pC/N、0.52、43、1.3%和3372.  相似文献   

17.
本文采用固相反应法制备了xSrTiO_3/(1-x)CaCu_3Ti_4O_(12)(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)复合陶瓷,研究了复合材料的物相、微观结构和宽温度宽频率范围内的介电性能。结果表明:在1348~1600K的温度范围内烧结能够得到致密性良好的xSrTiO_3/(1-x)CaCu_3Ti_4O_(12)(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)复合陶瓷。频率为100kHz时,样品的室温介电常数随SrTiO_3含量的增加而减少,从71358(x=0)单调减少至270(x=1),其变化规律遵循Lichtenecker法则。介电损耗随SrTiO_3含量的增加先增大后减少。当x=0.2时,样品与CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能相似,存在低温的介电弛豫和巨介电常数平台。随着SrTiO_3含量的增加,复合陶瓷的低温介电弛豫激活能增大,介电响应被抑制,而高温介电响应由于高温电导的影响而增强,使得CaCu_3Ti_4O_(12)特有的巨介电常数平台随着SrTiO_3的增加逐渐消失,xSrTiO_3/(1-x)CaCu_3Ti_4O_(12)复合材料的温度依赖性增强。  相似文献   

18.
铌酸钠钾基压电陶瓷的结构与性能研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
采用传统的固相反应合成法制备了结构较为致密的0.9(K0.5Na0.5)NbO3-0.1LiSbO3(KNN-LS)无铅压电陶瓷,研究了其相结构、压电、介电、损耗以及铁电性质.常温下的压电陶瓷具备四方钙钛矿结构,具有较高的压电系数d33=131pC/N和低的介电损耗tanδ=0.09(10kHz)等优点.另外,常温下的KNN-LS陶瓷存在着较为饱满的电滞回线,其剩余极化率Pr为16.1μC/cm2,矫顽场为EC=14.8kV/cm.性能较KNN压电陶瓷有了较大的提高.  相似文献   

19.
从不同含量的PbO初始粉体出发并在烧结时维持铅气氛的情况下,用二次合成法制备了0.75Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.15BaTiO3-0.10PbTiO3三元系固溶体陶瓷,研究了初始粉体中不同的氧化铅含量对在铅气氛条件下烧结的该体系陶次的介电性能的影响。实验表明在富铅气氛的作用征,微量氧化铅欠缺的初始粉体所制备出的陶瓷具有较好的介电性能,尤其是当初始粉体中氧化铅欠缺5%时的陶瓷具有最大的峰值介电常数。  相似文献   

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