工艺参数对熔盐法制备Bi4Ti3O12的影响

为了获得片状粉体用于无铅压电陶瓷晶粒的定向生长,采用NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的片状Bi4Ti3O12粉体,研究了预烧温度和熔盐含量对粉体的显微组织结构和形貌各向异性的影响,计算了粉体径向尺寸与厚度尺寸的比值以表征粉体的各向异性.研究表明:随着预烧温度的升高,粉体尺寸不断增加,各向异性逐渐增大,最佳预烧温度为950℃;采用熔盐法可制备出纯Bi4Ti3O12相粉体,随熔盐含量增加,钛酸铋粉体尺寸及各向异性程度明显增大,并在烧结后的Bi4Ti3O12陶瓷中有织构产生.     

工艺参数对熔盐法制备Bi4Ti3012的影响

为了获得片状粉体用于无铅压电陶瓷晶粒的定向生长，采用NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的片状Bi4Ti3O12粉体，研究了预烧温度和熔盐含量对粉体的显微组织结构和形貌各向异性的影响，计算了粉体径向尺寸与厚度尺寸的比值以表征粉体的各向异性．研究表明：随着预烧温度的升高，粉体尺寸不断增加，各向异性逐渐增大，最佳预烧温度为950℃；采用熔盐法可制备出纯Bi4Ti3O12相粉体，随熔盐含量增加，钛酸铋粉体尺寸及各向异性程度明显增大，并在烧结后的Bi4Ti3O12陶瓷中有织构产生．     

偏化学计量比熔盐法合成Bi4Ti3O12晶化过程研究

用示差扫描量热-热重分析(DSC-TG)、X射线衍射(XRD)、场致发射扫描电子显微镜(FESEM)等表征方法对不同化学计量比熔盐法合成Bi4Ti3O12(BTO)晶化过程进行了分析.结果表明,不同化学计量比熔盐法合成Bi4Ti3O12的晶化过程完全不同:富Bi组分晶化过程中间相为Bi12TiO20、Bi2Ti2O7、Bi2O2.75;化学计量比组分晶化过程中间相为Bi2O2.75、Bi2Ti2O7;富Ti组分晶化过程中的中间相为Bi2O2.75、Bi2Ti4O11.     

熔盐法制备片状氧化铝

片状氧化铝粉体以其优越的性能广泛应用于陶瓷、化妆品、汽车漆料等多种领域.采用熔盐法以γ-Al2O3为原料、复合硫酸盐(分析纯Na2SO4-K2SO4)为熔盐,添加一定量的添加剂,在1200C×3h制得粒径为4～10μm、厚度约0.2μn的片状氧化铝粉体.     

溶胶凝胶-熔盐法制备Cd1-xCoxFe2O4及磁性研究

通过溶胶凝胶-熔盐法以NaCl为熔盐制备了掺杂(Co2+的Cd1-xCOxFe2O4(x=0～0.5)尖晶石型铁氧体.利用XRD、SEM和VSM等手段对样品进行了结构、形貌和磁性表征,并详细讨论了Co2+对Co1-x-CdxFe2O4(x=0～0.5)铁氧体结构和磁性的影响.结果表明:在研究范围内掺杂后仍然能得到单相尖晶石结构铁氧体;样品均为正八面体;比饱和磁化强度随x的增大而增加.     

熔盐法合成ZnTa2O6粉体

以Ta2O5和Zn(NO3)2·6H2O为原料、KCl-ZnCl2为熔盐,采用熔盐法在700℃保温3h合成了ZnTa2O6陶瓷粉体.通过XRD和SEM表征粉体的晶相组成和形貌,研究了不同反应条件(包括温度和熔盐体系中KCl/ZnCl2的物质的量比)对产物粉体的晶相和形貌的影响.结果表明,当KCl/ZnCl2的物质的量比为0.1:1时,在700℃保温3h为制备ZnTa2O6的最优工艺条件.     

熔盐法合成BaFe11Co0.5Ti0.5O19磁性粉体及其性能分析

采用熔盐法制备了六角晶系结构钡铁氧体ＢａＦｅ１１Ｃｏ０．５Ｔｉ０．５Ｏ１９。Ｘ射线衍射和热分析测量表明，合成反应过程在８５０℃下完成。粉料的磁性能测量和粉料的粒度及颗粒形态表明，熔盐法合成的粉料适合作为高性能磁记录材料。     

熔盐法制备片状钛酸铋粉体的研究

采用NaCl-KCl熔盐法制备了生长各向异性的片状Bi4Ti3O12粉体.研究了预烧温度及熔盐含量对粉体形貌及显微结构的影响.结果表明,750℃预烧所得Bi4Ti3O12粉体为单一的钙钛矿型结构,随熔盐含量的增加,Bi4Ti3O12粉粒的尺寸及生长的各向异性程度均有所增大,预烧温度的增加也促进了粉粒的生长,获得明显生长各向异性的钛酸铋粉体的最佳预烧温度为950～1000℃.     

CaCu3Ti4O12高介电材料的研究进展

在介绍CaCu3Ti4O12材料体心立方类钙钛矿结构的基础上总结了CaCu3Ti4O12块材和薄膜的制备方法,综述了CaCu3Ti4O12材料在高介电性能、晶界阻挡层效应引起的非线性特性以及金属离子掺杂改性等方面的最新研究进展.     

两步熔盐法合成片状SrTiO3

以SrCO3和TiO2为原料,采用两步熔盐法合成出片状SrTiO3.首先在助熔剂NaCl中,1300℃保温6h合成出片状中间体;然后以片状中间体为模板晶粒,在助熔剂KCl中,1200℃保温4h制备出片状SrTiO3.所得产物过筛后,采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析粉体的相组成和显微结构,结果表明:中间体是由各向异性的Sr3Ti2O7、Sr4 Ti3O10、Sr2TiO4和各向同性的SrTiO3晶粒组成,而且各向异性晶粒的(001)和(200)峰均增强,片状晶粒为长方形,边长为40～60μm.SrTiO3粉体的相组成为纯钙钛矿相,其它杂相组分未曾检出,而且＞5μm粉体的(200)峰增强,说明该粉体为片状晶粒,呈正方或长方形,边长约为50μm.     

温度及升温速率对熔盐法合成钛酸铋形貌可控的探讨

采用熔盐法合成单一Bi4Ti3O12(BTO),研究了温度及升温速率对熔盐法合成钛酸铋形貌的影响,结果表明,合成的BTO为板状结构,颗粒尺寸为0.2～8μm;BTO晶体的{010}晶面族晶面沿b轴有明显的择优取向.当温度为850～950℃时,升温速率对{010}晶面族晶面择优取向程度的影响大于温度对其的影响.相同升温速率下,温度对{010}晶面族晶面相对衍射强度值最高为1.153倍;而相同温度下,升温速率对{010}晶面族晶面相对衍射强度值最高为12.404倍.通过研究工艺参数(温度、升温速率等)对{010}晶面族晶面择优取向程度的影响,可以实现BTO晶体形貌的可控.     

Nd掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的结构与性能研究

采用固相合成法制备了不同Nd掺杂量的Bi4-xNdxTi3O12(x=0～1.0)陶瓷.采用XRD分析了陶瓷样品的物相结构,采用SEM观察了陶瓷样品的显微结构特征,系统地评价了陶瓷样品的铁电性能.研究结果表明,经1100℃烧结样品结构致密、晶粒均匀.不同Nd掺杂量并未引起物相结构的改变,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构.适量的Nd掺入会提升Bi4-xTi3O12陶瓷样品的铁电性能.     

非化学计量Bi2O3对制备Bi4Ti3O12粉体影响的研究

制备晶粒形貌生长各向异性的中间化合物Bi4Ti3O12粉体是采用流延成型和模板晶粒生长(TGG)等工艺方法制备(Na0.5Bi0.5)TiO3基无铅压电织构陶瓷的关键技术.以NaCl-KCl熔盐法制备了生长各向异性的Bi4Ti3O12粉体,利用X射线衍射和扫描电子显微镜研究了非化学计量Bi2O3对粉体相结构和微观形貌的影响,优化了制备Bi4Ti3O12粉体的工艺参数,并探讨了Bi4Ti3O12粉体在熔盐中的生长机理.研究表明,随着Bi2O3过量程度的增加,所得Bi4Ti3O12粉体颗粒的平均尺寸和均匀程度均增加,当Bi2O3过量7.5%时达到最佳值,其平均粒径为8～10 μm.     

溶胶—凝胶技术制备Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究

采用溶胶－凝胶技术在Ｓｉ单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２ｘ铁电薄膜，讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响，Ｘ射线衍射分析表明，经７００℃和７００℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜，该薄膜的电滞回线测试呈出剩余极化强度Ｐｒ＝５μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场Ｅｃ＝１３０ｋＶ／ｃｍ。     

Nb掺杂Bi4Ti3O12层状结构铁电陶瓷的电行为特性研究

采用固相烧结工艺制备了Nb⁵⁺掺杂的Bi₄Ti₃O₁₂层状结构铁电陶瓷.运用XRD 和AFM对Bi₄Ti_3-xNb_xO_12+x/2材料的微观结构进行表征,发现所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构,抛光热腐蚀表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.通过对材料直流电导率与温度关系的Arrhenius拟合,分析丁Bi₄Ti_3-xNb_xO_12+x/2的导电机理. Nb⁵⁺掺杂提高了材料的介电常数,但居里温度随掺杂含量的增加呈线性下降趋势.DSC结果显示Bi₄Ti_3-xNb_xO_12+x/2材料在居里温度处经历了一级铁电相变.样品的铁电性能测试结果表明, Nb⁵⁺掺杂Bi₄Ti₃O₁₂提高了材料的剩余极化Pr,这主要是由于^_Nb5+取代Ti⁴⁺大大降低了材料中氧空位的浓度,使得氧空位对畴的钉扎作用减弱的缘故.     

退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构影响研究

采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度对Si基Bi4Ti3O12薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响。研究表明，退火温度低于450℃时Bi4Ti3O12薄膜为非晶状态，退火温度在550-850℃范围内均为多晶薄膜，而且随退火温度升高，Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c轴取向的生长；而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大，但在较高温度下增长速度趋缓。     

Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的制备及其C-V特性研究

为制备符合铁电存储器件要求的高质量铁电薄膜,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺,制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜及MFS结构的Ag/Bi4Ti3O12/P-Si异质结,对Bi4Ti3O12薄膜的相结构特征及异质结的C-V特性进行了测试与分析.XRD图谱显示,Si基Bi4Ti3O12薄膜具有沿c-轴择优取向生长的趋势,而Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结顺时针回滞的C-V特性曲线则表明,该异质结可实现电极化存储.此外,对该异质结C-V特性曲线的非对称及向负偏压方向偏移的产生原因也进行了分析.在此基础上,为提高铁电薄膜的铁电性能及改善其C-V特性提出了合理的结构设想.