共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
2.
TiO2-SiO2复合半导体气凝胶制备及光催化活性研究 总被引:6,自引:0,他引:6
TiO2-SiO2复合半导体气交是一种新型纳米光催化氧化剂。本文以正硅酸乙酯、钛酸丁酯为原料,用溶胶-凝胶法经超临界干燥制备出了TiO2-SiO2复合半导体气凝胶。研究了TiO2:SiO2不同配比对溶胶-凝胶过程的影响;用BET、XRD、SEM、TEM等测试方法对其结构进行了表征;以苯酚为探针考察了TiO2-SiO2复合半导体气凝胶的光催化氧化活性,并与普通锐钛矿型钛白粉光催化剂进行了对比结果表明 相似文献
3.
4.
CuO—SnO2纳米晶粉料的Sol—Gel制备及表征 总被引:23,自引:2,他引:21
不用金属醇盐而以无起始物质,采用Sol-Gek法得到了平均晶粒尺寸为21-22nmCuO掺杂的SnO2粉料;运用X射线衍射(XRD),差热-失重分析(DTA-TG),透射电镜(TEM)及BET比表面(SA)测定等分析手段对粉料进行了表征,实验表明,CuO的掺杂抑制了SnO2晶粒的生长,以无机盐为原料,采用Sol-Gel法制取SnO2(CuO)纳米级晶料是切实可行的,将有利于产业化。 相似文献
5.
Al2O3—SiO2—TiO2复合陶瓷薄膜的制备与结构 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用Sol-Gel法制备了Al2O-SiO2-TiO2复合陶瓷薄膜,讨论了主要内容是体系成分(Al:Si:Ti摩尔比)对落膜制备过程及结构的影响。通过分步水解法可以得到稳定的Al2O3-SiO2-TiO2复合溶胶,进而制备复合陶瓷薄膜。组分间的静电作用是溶胶凝结的原因。三组分中,Si/Ti摩尔比是决定溶胶稳定性的主要因素。通过XRD对薄膜的相组成进行了分析,表明复合薄膜由Al4Ti2SiO12 相似文献
6.
7.
8.
9.
有机染料掺杂的凝胶基质的制备及其性能 总被引:3,自引:0,他引:3
论述了适合于有机染料掺杂的凝胶基质TiO2-MMA-GLYMO的制备过程,并将7种染料掺入此ORMOSIL基质中,用Z扫描的方法测试了样品的光学非线性折射率,在这些材料中获得了较大的n2数值,将DCM染料掺杂到TiO2-MMA-GLYMO基质中,在532nm激光泵浦下获得了590.7-654.3nm的连续可调谐激光输出,实验发现,TiO2-MMA-GLYMO基质具有较好的机械性能,热性能及光学性能 相似文献
10.
11.
超临界流体干燥法制备纳米级TiO2的研究 总被引:10,自引:0,他引:10
本文以廉价无机盐为原料,采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)结合超临界流体干燥(SupercriticalFluidDrying简称SCFD)制备了纳米级TiO2,并采用XRD、DTA-TG、TEM技术研究了Sol-Gel过程中溶液的pH值、浓度、陈化时间及SCFD技术等条件对TiO2粒径大小的影响,实现了干燥晶化一步完成.用该方法制得的TiO2超细粉体,粒径大都在3~6um之间,呈球形微粒,粉体晶型为锐钛矿型,并具有纯度高、热稳定性好、失重小和粒度分布均匀等特性. 相似文献
12.
采用化学共沉淀─超临界干燥技术制备CaO-ZrO2纳米粉体,并详细考察了主要制备参数──共沉淀过程的pH值对产品粉体性能的影响。实验表明,超临界流体干燥法能很好地保留初始湿凝胶的结构,有效地防止凝胶干燥过程中粒子间硬团聚现象的发生,该法合成的纳米粉体具有粒径小、粒度分布范围窄、比表面大等特点;此外,实验还发现,水合凝胶体系的pH值会很大程度上影响产品粉体的性能,在实验范围内,随着体系pH值的增大,粉体的粒径逐渐减小,粉体中单斜相(m)的含量降低,四方相(t)及立方相(c)的含量逐渐升高。 相似文献
13.
本文采用胶体 超临界流体干燥法合成CaO稳定化ZrO2 纳米粉体 ,并对粉体的烧结性能进行研究。研究结果表明 ,该法合成的粉体具有粒径小、粒径分布范围窄、比表面积大等特点 ;将粉体作为ZrO2 基陶瓷起始粉料 ,具有很高的烧结活性 ,可以有效地降低烧结温度 ,缩短烧结时间。此外 ,粉体中稳定剂的含量会很大程度上影响其性能。 相似文献
14.
超临界流体干燥理论、技术及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
超临界流体干燥法是制备具有很高比表面和孔体积及较低堆密度、折光指数和热导率的块状气凝胶或粉体的重要途径之一。本文详细评述了超临界流体干燥理论和技术的历史背景与研究现状,简要介绍了气凝胶在催化剂、热绝缘材料、高能物理粒子探测器、超细材料、玻璃和陶瓷等诸方面的应用和发展前景。 相似文献
15.
16.
17.
碳化硅超细粉的制备新法 总被引:3,自引:0,他引:3
用一种新的方法———双重加热法制备了直径在 5 0~ 6 0nm范围内的SiC超细粉 ,用化学分析方法、X射线衍射、透射电子显微镜等手段对SiC超细粉进行了表征。研究结果表明 ,用双重加热法制备SiC超细粉的最佳温度为135 0℃ ,恒温时间为 6 0min ,SiC超细粉的产率可达 98% (质量分数 )左右 相似文献
18.
19.
20.
化学气相淀积制备Si3N4超细粉末 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了SiCl4-NH3-N2-H2系统平衡热力学,确定了Si3N4合成的最佳热力学条件。采用电阻炉化学气相淀积法制备了Si3N4超细粉末,并考察了工艺条件对颗粒形貌的影响。 相似文献