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PTFE基复合材料表面改性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分别选择物理的、化学的方法对PTFE基复合材料进行了表面放电和粗化处理。实验结果表明,物理的、化学的方法,均能使材料表面润湿性改善,但前者时效短,而采用金属钠-萘溶液腐蚀的有使表面微观结构发生明显的变化。 相似文献
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树脂浸渍法对炭/炭复合材料力学性能的影响 总被引:13,自引:6,他引:7
将炭纤维坯体CVD增密至不同密度,再对其进行树脂浸渍。对自制样品与英国Dunlop公司和美国Ben dix公司产品的力学性能特征进行了对比分析。结果表明:自制样的抗压强度和抗弯强度远远高于国外样品,层间剪切强度也比国外样品高;自制样品在ρCVD不超过1.45g cm3的情况下,随样品中CVD炭含量的增加,样品的抗弯强度和层间剪切强度值都随之增大,抗弯模量在ρCVD为1.06g cm3时达到最大值。同时用扫描电镜(SEM)分析了这几组试样的弯曲与剪切断口,发现除纯浸渍的样品具有明显的脆性断裂特征外,其余材料都呈假塑性断裂,且强度较高,说明树脂由于炭化后产生的树脂炭与纤维粘结太强,不适合在样品增密的初始阶段作浸渍剂。 相似文献
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石墨化处理对炭/炭复合材料磁电阻特性的影响研究 总被引:8,自引:5,他引:3
对不同温度石墨化处理得到的炭 炭复合材料的磁电阻特性进行了研究。结果表明:1)实验材料出现最大磁电阻的位向均为45° 135°,炭 炭复合材料磁电阻—位向关系不受石墨化处理温度、外磁场强度、测量温度等因素的影响。2)在同一磁场强度情况下,样品磁电阻与测量温度(5K~300K)呈线性关系变化,温度越高磁电阻越低。并且较低石墨化温度处理的样品在一定温度以上磁电阻降低为0,不再变化;2880℃石墨化处理的样品在一定温度以下出现"磁阻饱和值"。3)磁电阻—测量温度曲线回归方程的斜率项随热处理温度的增加而降低,而截距项随热处理温度的增加而增加。4)测量温度相同时,磁电阻随外加磁场强度的增大而增大,在低场(小于1.2T)下,呈现二次函数关系,场强高于1.2T后,磁电阻—磁场强度关系为线性。不同磁场强度下,随石墨化处理温度的提高,磁电阻也增大。 相似文献
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表面改性和复合工艺对金属纤维/聚合物复合材料性能的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
以不锈钢纤维为导电填料,分别与ABS和PP复合,制得了电磁屏蔽用导电高分子复合材料。考察了表面改性和复合工艺对金属纤维/聚合物复合材料性能的影响。结果表明,用不同表面处理剂处理不锈钢纤维后,随纤维表面张力增加,复合材料的电阻率增加。使用母料法工艺可以有效地改善金属纤维在聚合物基体中的分散,从而提高复合材料的导电性能和电磁屏蔽性能。 相似文献
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煤焦油沥青对炭/炭复合材料成型和性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
煤焦油沥青对炭/炭复合材料成型和性能的影响0引言用高压、高温浸渍工艺生产沥青基炭/炭复合材料减少了致密化循环次数,也提高了复合材料的最终密度。炭基体的微观结构极大地影响着复合材料的最终性能。反过来炭基体的微观结构又受到沥青前驱体物理—化学特性的影响。... 相似文献
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骨架表面改性对SiC/Al复合材料性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用挤压铸造法制备了SiC/Al双连续相复合材料,并对增强体SiC泡沫陶瓷骨架进行了表面改性处理,研究了网络骨架的表面粗化和表面涂覆K2ZrF6对骨架和双连续相SiC/Al复合材料性能的影响.结果表明:随着粗化时间的增加,SiC陶瓷骨架表面的粗化程度增大.粗化时间为12 min时骨架表面粗化最佳,而且保持了骨架的致密结构.SiC陶瓷骨架表面粗化增加了骨架筋的表面积,加强了界面的机械结合;SiC陶瓷骨架表面涂覆K2ZrF6,提高了基体纯铝对SiC陶瓷骨架的润湿,改善了复合材料中增强体与基体间界面的结合,增强了材料的三维连续性,提高了复合材料的力学性能.骨架表面涂覆K2ZrF6的复合材料的界面结合得最好,复合材料的强度最高,为纯铝基体的5倍. 相似文献
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为通过快速增密和低设备成本降低C/C复合材料的成本,采用中压浸渍、炭化多次循环的工艺制备了快速增密的C/C复合材料。该工艺以Z向增强的层叠炭布为增强体,不同软化点的中间相沥青和改性沥青为浸渍剂。考察了浸渍工艺,并研究了所得C/C复合材料的力学性能和断裂形貌。结果表明,中间相沥青及改性沥青等高残炭收率沥青是C/C复合材料极佳的浸渍剂,有利于快速增密。8次循环后(约2周时间),复合材料的密度从0.84g/cm^3增至1.76g/cm^3。炭布层叠Z向增强的C/C复合材料有良好的力学性能,而且其性能随着密度的增加而提高。所得复合材料的密度达到1.76g/cm^3时,拉伸强度为87.03MPa,弯强为113.56MPa,压缩强度为199.49MPa。 相似文献
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在1000℃,0.5 kPa丙烯分压条件下,以N2、H2为载气和无载气情况下于热梯度CVI炉中制备了C/C复合材料,研究了载气特别是氢气对材料基体热解炭显微结构的影响。通过偏光显微镜测定材料不同区域CVI热解炭的消光角,分析热解炭显微结构在试样中的分布规律。结果表明: N2在CVI过程中充当惰性角色,不影响热解炭的显微结构; H2可以调节热解炭沉积时的微环境气氛,更有利于得到粗糙层结构热解炭。试样增密延长炭源气滞留时间,引起带状结构热解炭中显微结构的突变。借助氢气作为载气,可以实现对C/C复合材料中热解炭显微结构的更优控制。 相似文献
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CLVD法制备2D C/C复合材料 总被引:1,自引:1,他引:0
化学液气相沉积法 ( CL VD)是快速低成本制备 C/C复合材料的一种新型工艺。通过叙述该工艺快速制备 C/C复合材料的根本原因 ,并以 1 .5mm/h的速度制备了炭布层叠 2 D C/C复合材料 ,同时对该材料进行了力学性能测试和金相分析。实验结果表明材料性能优越 ,说明该工艺是制备 C/C复合材料的理想工艺。采用 GC/MS质谱对煤油沉积回收物进行了成份分析 ,并对用 CL VD法制备 C/C复合材料的设备提出了一些改进建议。 相似文献
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研究了针刺毡预制炭/炭复合材料 (C/C) 经不同温度石墨化处理后的磁电阻特性。结果表明:实验材料磁电阻于各位向 (0°~180°) 均相等,且石墨化处理温度越高,材料的磁电阻越大,外磁场强度、测量温度等因素不影响磁电阻-位向关系;在同一磁场强度下,石墨化处理温度高的材料磁电阻为正值,石墨化处理温度低时磁电阻为负值,且磁电阻与测量温度 (5~300K) 呈线性关系变化,高于一定测量温度后,磁电阻稳恒为0;磁电阻-测量温度曲线回归方程的斜率随热处理温度的增加而降低,且斜率-热处理温度的变化曲线与材料的晶面间距d(002)随热处理温度的变化曲线形状类似;测量温度相同时,磁电阻随外加磁场强度的增大而增大,在低场强 (低于1.2×107A/m) 下,呈现二次函数关系,当场强高于1.2×107A/m,磁电阻-磁场强度关系为线性;不同场强下,随石墨化处理温度的提高,磁电阻也增大。 相似文献