关于水声换能器设计中的技术参数之推敲

本文给出了多基元扇形柱面基阵指向性函数,分析了其比较复杂的相位特征。详细阐述了通过合理选取基元数目,加后挡以及振幅权重等方法有效的抑制旁瓣,以实现对声信号方位跟踪及目标定位。 合理选取基元数目是在满足声呐设备总体性能指标前提下,基元数目应减到最少。比较保守的设计是基元间距为λ/2,如被检测声信号频率比较高,需要的基元数目就相当的多,从而产生一系列问题,如基阵结构复杂,处理设备庞大,耗资昂贵等等。本文计算证明,基元间距可以放宽,特别是安装在实际基阵中的单个基元,形成独特指向性,对声基阵旁瓣,“后辐射”有明显的抑制能…     

美国声学专利述评选译

圆柱型声纳基阵 此换能器基阵与潜艇的圆柱壳体共形,并用使之易于形成许多不同方向波束的方法安排其基元。在此之前人们认为这样的基阵只能由一些弯曲的弧段组成;但本专利证明,只要成对地对称使用,这些弯曲弧段也可以是平直的。因为每对的声轴是径向的,所以那些单个基元的声轴非径向无关紧要。这种结构简化了每个基元的中心须置于正圆柱体上的波束形成问     

三轴压电电阻型加速度传感器

三轴压电电阻型加速度传感器冈田和广最近开发出一种能检测加速度在Ｘ、Ｙ、Ｚ方向３个分量（ＡＸ，ＡＹ，ＡＺ）的三轴压电电阻型加速度传感器。这种传感器是应用了半导体技术和微切削加工技术制作的，在硅片表面上形成用来检测３个轴向加速度分量的检测电阻。在硅片背面...     

一种测量线列阵基元相位一致性的方法

0引言近场中对本舰噪声源定位识别可以采用声全息技术,即利用干涉原理来获取被观察物体声场的振幅分布和相位分布的声成像技术。以压电陶瓷水听器为基元组成的基阵能接收到声压幅度信息和相位信息,声全息技术对基元间本身的相位一致性要求很高。在测试系统不变的情况下,常规的比较法测量相位,其误差主要来源于被测水听器与标准     

基于压电传感器的管道泄漏信号可靠性识别技术研究

管道泄漏检测的可靠性主要取决于泄漏信号的信噪比，泄漏信号信噪比的提高主要由传感器和对信号的处理方法决定。在定量分析的基础上，得出了基于压电传感器的管道泄漏检测方法具有比基于压力传感器的负压波法更高的泄漏信号信噪比。通过信号分析，论证了平滑滤波对于提高泄漏信号信噪比的必要性，提出了用区间信号能量来突出泄漏信号的方法。分析比较了实际检测信号幅值、区间信号能量和区间信号平均能量的平方3种方法下泄漏信号的信噪比，提出了用基于区间信号平均能量平方的顺序能量比率法进行管道泄漏信号识别的方法。结果表明该方法可以极大地提高泄漏信号信噪比和泄漏检测可靠性。     

加层压电层硬币型裂纹断裂分析

研究粘接着弹性层的压电层内硬币型裂纹的断裂问题。压电层与弹性层均为横观各向同性材料,r轴方向无限长,z轴方向有限厚度。压电层沿z轴方向极化。考虑电不导通裂纹表面条件,利用Hankel积分变换将问题化为求解积分方程组,导出了场强度因子与能量释放率的表达式。给出了数值计算结果,并分析了弹性层厚度对场强度因子与能量释放率的影响。     

一种自由溢流式压电圆环阵

文章介绍一种研制成功的自由溢流式质量负载压电圆环阵，该圆环阵由数个短圆环同轴布阵而成。圆环阵的基元(短圆环)是一种开口的切向极化短圆环，短圆环由质量件和压电组件嵌拼而成，这种结构可以有效降低圆环的径向谐振频率；通过调节圆环阵的径长比，可以获得合适的液腔谐振频率，从而有效降低圆环阵的下限频率，拓宽圆环阵的工作带宽，减小发送电压响应起伏。该圆环阵具有低频、宽带、高发送电压响应和大工作深度等优点。     

主分量分析在激励源识别中的应用研究

本文直观地解释了主分量分析（Principal component analysis, PCA）的求解原理及去相关能力，引入邻阶分量信噪比作为数据压缩和分量截断的依据，分析了混合矩阵条件数对PCA的影响。当PCA应用于机械系统时，分析了激励点位置与测点位置以及激励源自身的特性对识别结果的影响。分别采用相关白噪声与不相关白噪声对简支梁结构进行激励，进行了不相关激励源数目识别的实验研究。结果表明：在多输入多输出系统，当测点数目等于与高于激励源数目时，应用PCA并引入邻阶分量信噪比（signal noise ratio，SNR），能够准确地识别不相关激励源的数目。以此为基础的预处理过程，能够确保盲源识别更加可靠。     

轴向运动压电纳米板的非局部热-力-电耦合振动

基于非局部理论结合基尔霍夫压电薄板模型,研究了轴向运动压电纳米板的热-力-电耦合振动响应。考虑压电纳米板受到双向轴力、外部电压和温度变化等作用并做轴向运动,应用哈密顿原理推导了系统的控制方程组,利用伽辽金法数值求解轴向运动压电纳米板横向振动固有频率,进一步讨论小尺度参数、轴力、外部电压以及温度变化等因素对固有频率及亚临界区域的影响。结果表明:双轴压力、外部正电压、温度升高以及小尺度参数的存在使得压电纳米板的等效刚度降低,从而导致固有频率和亚临界区域的减小,而双轴拉力、外部负电压、温度降低则引起纳米结构等效刚度提高。     

非铁电压电极性微晶一维生长驱动力分析

利用熔融法制备了BaO—SrO—TiO2—SiO2玻璃，并在温度梯度条件下制备了极性微晶Ba2—xSrxTiSi2Os沿c轴一维取向的压电玻璃陶瓷。用X—ray衍射分析和扫描电镜对极性微晶的取向生长结构进行了分析，建立了极性微晶沿c轴取向生长的模型，其结果与实验结果相一致，结果表明在光滑的表面，温度梯度方向和偶极子电场方向都是沿c轴晶格能大的方向，其共同作用的结果使极性微晶沿c轴一维取向生长。