纳米-MnO2的制备及其性能研究

用溶胶－凝胶法制备纳米级α－ＭｎＯ２,并对实验条件进行了讨论．对所得的样品进行了ＸＲＤ、ＩＣＰ、ＴＥＭ、化学分析、恒流放电、循环伏安等一系列测试,并与国际一号样（Ｉ．Ｃ．ＮＯ．１电解二氧化锰）相比较．虽然纳米级α－ＭｎＯ２的单独放电性能并不好,但是当纳米级α－ＭｎＯ２以一定比例与Ｉ．Ｃ．Ｎｏ．１号样混合时,在浅度和深度放电区内的放电容量都比Ｉ．Ｃ．Ｎｏ．１高．     

Li2MnO3的柠檬酸盐溶胶-凝胶法合成及离子导电性

以Ｌｉ２ＣＯ３、ＭｎＣＯ３为原料,用柠檬酸盐溶胶凝胶法合成了Ｌｉ２ＭｎＯ３超微粉．对合成的材料进行了ＤＴＡ、ＴＧ、ＸＲＤ和ＴＥＭ等表征,并应用交流阻抗谱技术测定了样品的电导率．结果表明,６５０。Ｃ以上生成Ｌｉ２ＭｎＯ３纯相超微粉,粒径在５０nｍ以下．在１８～４００。Ｃ温度范围内,产物烧结体的离子导电率为１０－６～１０－３Ｓ·ｃｍ－１,其电导活化能为４４．８７ｋＪ·ｍｏｌ－１．     

激光快速凝固Al—Mn合金的组织选择规律研究

利用５ｋＷＣＯ２激光器对Ａｌ－１．１,３．２和５．６ｗｔ％Ｍｎ合金进行了一系列表面重熔实验,并对微观组织形成规律进行了研究。实验结果表明：重熔区组织较基体组织大大细化;Ａｌ－３．２ｗｔ％Ｍｎ在所有速度范围内没有明显的共晶生长出现,而以α（Ａｌ）胞／枝晶形式生长;随着生长速度的增大,Ａｌ－５．６ｗｔ％Ｍｎ合金的组织由Ａｌ６Ｍｎ枝晶向α（Ａｌ）＋Ａｌ６Ｍｎ共晶、α（Ａｌ）胞／枝晶及完全无偏析固溶体转烃     

新型低压WO3基压敏电阻掺杂及制备条件研究

研究了Ｃｏ２Ｏ３掺杂剂工艺及条件等对低压ＷＯ３基压敏电阻性能的影响,在保持ＭｎＯ２及Ｎａ２ＣＯ３含量不变的前提下,我们发现,对于ＷＯ３－ＭｎＯ２－Ｎａ２ＣＯ３系列,掺入Ａｌ２Ｏ３可以明显改善其电化学稳定,但同时也失去了非线性,而Ｃｏ２Ｏ３的掺入可以明显提高非线性,以１％（摩尔分数）的Ｃｏ２Ｏ３含量为最好,其α值约为５．５（从Ｕ１ｍＡ到Ｕ０．ｍＡ）击穿场强小于１０Ｖ／ｍｍ。最高烧结温度应不低于１１０     

Fe（OH）3中微量金属离子对水热合成α—Fe2O3粒径的影响

本文研究了某些金属离子（Ａｌ＾３＋、Ｍｎ＾２＋、Ｚｎ＾２＋、Ｃｒ＾２＋、Ｎｉ＾２＋、Ｃｏ＾２＋）Ｆｅ（ＯＨ）３凝胶经水热法合成的α－Ｆｅ２Ｏ３微粉颗粒大小的影响。研究结果出现，随着金属离子的浓度在一定范围内（０．０１０－０．０５０ｍｏｌ·Ｌ＾－１）的增加，α－Ｆｅ２Ｏ３颗粒有减小的趋势。其中加入Ｃｏ＾２＋（０．０５０ｍｏｌ·Ｌ＾－１）、Ｍｎ＾２＋（０．１００ｍｏｌ·Ｌ＾－１）可以得到粒径为７５ｎｍ     

晶内型Al2O3—SiC纳米复合陶瓷的制备

研究了沉淀法制备Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ纳米复合陶瓷的工艺过程，利用Ａｌ２Ｏ３从γ相到α相的蠕虫状生长过程，使大部分纳米ＳｉＣ颗粒位于Ａｌ２Ｏ３晶粒内，用沉淀法制得的、含有５ｖｏｌ％ＳｉＣ的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ纳米复合陶瓷，其强度为４６７ＭＰａ，韧性为４．７ＭＰａ．ｍ＾１／２，与一般的Ａｌ２Ｏ３陶瓷相比有较大的提高，显示了沉淀法制备Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ纳米复合陶瓷的优点。     

纳米ZrO2/(1-n)SiO2-nAl2O3介孔复合作的制备与光致发光

采用溶胶－凝胶法和超临界干燥技术制备了（１－ｎ）ＳｉＯ２－ｎＡｌ２Ｏ３（ｎ＝０、０．０１、０．１）混合气凝胶体系，并以此作为载体，成功地将纳米ＺｒＯ２粒子组装到（１－ｎ）ＳｉＯ２－ｎＡｌ２Ｏ３介孔体系中，而形成纳米ＺｒＯ２／（１－ｎ）ＳｉＯ２－ｎＡｌ２Ｏ３介孔复合材料。光致发光光谱研究表明，室温下以３１６ｎｍ（３．９２ｅＶ）波长激发时，纳米ＺｒＯ２粒子５４０ｎｍ（２．３０ｅＶ）荧光峰，在介孔复合体     

CuO－SnO_2纳米晶粉料的Sol－Gel制备及表征

不用金属醇盐而以无机盐为起始物质，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｋ法得到了平均晶粒尺寸为２１～２２ｎｍ，ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ_２粉料；运用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热—失重分析（ＤＴＡ－ＴＧ）、透射电镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面（ＳＡ）测定等分析手段对粉料进行了表征．实验表明，ＣｕＯ的掺杂抑制了ＳｎＯ_２晶粒的生长；以无机盐为原料，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制取ＳｎＯ_２（ＣｕＯ）纳米级晶料是切实可行的，将有利于产业化．     

移相器材料Zn、Ti、Sn替代锂铁氧体

为了研制高性能自动跟踪同步通信卫星相控天线阵中的移相器材料,采用普通陶瓷工艺,并加入微量杂质：Ｂｉ２Ｏ３,ＮｉＯ,Ｃａ２Ｏ３和ＭｎＣＯ３,且利用氧气氛烧结制备了目前尚未见报道的铁氧体Ｌｉ０．６２５Ｚｎ０．１Ｔｉ０．２５Ｓｎ０．１Ｆｅ１．９２５Ｏ４。结果表明,该材料具有较高的居里温度和较低的介电损耗。并对锂铁氧体Ｌｉ０．５（１－ｙ）ＺｎｙＦｅ２．５（１－０．２ｙ）Ｏ４的微波特性进行了讨论。     

La1-xCaxMn1.03O3外延薄膜的巨磁电阻效应

研究了用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法在ＬａＡｌＯ３（１００）衬底上制备的Ｌａ－１ｘＣａｘＭｎ１．０３Ｏ３外延薄膜的磁电阻效应。ｘ在０．２～０．６２１范围内变化,外延薄膜的电阻率与温度的关系从类半导体行为向金属导电行为转变。在ｘ≥０．５的４个样品中没有发现电荷有序绝缘体（ＣＯＩ）和反铁磁绝缘体（ＡＦＩ）现象。ｘ＝０．２样品在１．５Ｔ磁场下磁电阻率ＭＲ的最大值为１０＾４％、磁转变温度为２３０Ｋ。