磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究

采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜.分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6 Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108 W.采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18％,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω·cm.     

在未加热基底上反应共溅ITO薄膜的光电特性

采用金属铟和锡作靶材，在Ａｒ－Ｏ２气氛中、未加热基底上反应共溅ＩＴＯ薄膜，在本文中系统地研究了各种工艺参数，如气氛压强、Ｏ２的浓度、退火时间和退火温度对ＩＴＯ薄膜的光电特性的影响。结果表明沉积在未加热基底上的ＩＴＯ薄膜面电阻可达３０Ω／□，在可见光区域透射率达８５％，Ｘ射线衍射结果表明多晶结构Ｉｎ２Ｏ３（２２２）；Ｉｎ２Ｏ３（４００）；Ｉｎ２Ｏ３（４４０）薄膜具有良好的导电性，而非晶结构的薄膜则有较弱的导电性能。     

喷雾热分解法制备ITO薄膜及其光电性能研究

采用自制的喷雾热分解装置在玻璃衬底上制备ITO薄膜,并对实验条件进行了正交设计,以考察制备ITO薄膜的优良条件,结果表明,影响ITO薄膜光电性能的主要因素是基板温度。制备ITO薄膜的优化条件为：基板温度300℃,载气气流速度1L·min^-1,退火温度540℃,溶液配比为铟锡比10：1,喷嘴与基板距离8cm,薄膜沉积时间3．5min,相应的透光率为97％,方块电阻3875Ω／。     

溅射及RTA处理对ITO薄膜特性的影响

采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜(ITO),研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响.结果表明:改变In2-x3 (Snx4 ·e)O3制备过程中的氧含量使Sn4 ·e对电子束缚能力发生变化,过高的氧分压使费米能级EF降低,功函数Ws增大,氧气流量为2 ml/min、退火温度为450℃时薄膜电阻率最低为2.5×10-4 Ω·cm,透过率达88%以上.     

电子束蒸发技术制备ITO薄膜的光电特性和微结构研究

利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜,研究了衬底温度,氧分压以及沉积速率的变化对薄膜光电特性的影响,结果表明在衬底为350℃,氧分压为2.0×10-2 Pa,沉积速率在3 nm/min的条件下制得透过率T81%,电阻率p=1.9×10-3 Ω·cm的ITO透明导电膜.另外我们通过XRD对样品的微结构进行了分析,发现薄膜晶格常数和晶粒大小随制备条件的不同,也有显著的规律变化.     

磁控溅射低温沉积ITO薄膜及其光电特性研究

采用直流反应磁控溅射法低温沉积ITO薄膜,用XRD、SEM和UV—Vis分别表征ITO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,研究了氧分压、溅射功率及薄膜厚度等工艺参数对薄膜光电性能的影响,结果表明,氧分压过大时,ITO薄膜中有大量的位错和缺陷,使薄膜的电阻率变大,导电性变差;氧分压过小时,薄膜中将有大量氧空位产生,导致晶格变形,使电阻率增加。随着溅射功率增大,在相同时间内薄膜厚度增加,方块电阻减小,薄膜电阻率降低。随着薄膜厚度增加,制备的薄膜晶体结构相对完整,载流子浓度和迁移率逐渐增大,薄膜电阻率变小,进而对样品的光电性能产生明显影响。     

氮化处理对ITO薄膜光电特性影响

利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,分别采用两种方法对薄膜进行氮化处理,即:(1)利用氩气溅射在室温下制备薄膜,随后在氮气和氨气气氛下对薄膜进行热处理;(2)利用氩气/氮气共溅射成膜.利用X射线衍射、霍尔效应、UV-vis-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,对比研究了两种氮化处理方法对ITO薄膜光电特性的影响.结果发现对于低温生长的薄膜,两种方法均能明显提高其在可见光区的透过率.氩气/氮气共溅射的方法会降低薄膜的结晶程度,降低载流子浓度,但使得其紫外/可见/近红外光谱发生明显红移;而热处理方法则能增加薄膜的结晶程度,提高其导电能力.     

偏压对ITO薄膜生长模式和光电性能的影响

为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式、光学和电学性能.结果表明:随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积、沉积和扩散、表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁、均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为(222)面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了"蓝移"或"红移".     

甩胶喷雾热分解法制备ITO薄膜及光电性能研究

按In:Sn(物质的量比)=9:1,InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物,采用自制甩胶喷雾热分解制备薄膜装置在普通玻璃衬底上沉积了ITO薄膜,结果表明,采用自制甩胶喷雾热分解制备薄膜新装置成功制备出ITO薄膜。该装置结构简单、操作方便。制备ITO薄膜优化条件为:甩胶转速800r/min、衬底温度250℃、退火温度450℃、载气为空气、流量为7L/min、液体雾化速度0.2ml/min、雾粒速度3.5m/s。薄膜的沉积时间为5min,薄膜厚度约1000nm,最低电阻率为0.75*10-4Ω·cm,薄膜在可见光范围(波长在400-700nm)内平均透光率为87.2%。衬底温度在200℃以上时呈现立方相结构。     

ITO薄膜的制备以及性能的研究

在室温条件下通过直流磁控溅射法在普通玻璃基体上制备了光电性能优良的ITO薄膜。靶材为ITO陶瓷靶,其中In2O3与SnO2的质量比为9∶1。运用UV-2550紫外可见光光度计测量样品的透光率,采用SZT-2四探针测试仪测量样品表面的电阻率,用扫描电镜(SEM)对样品进行表征。研究了溅射压强、溅射功率等参数对薄膜光电性能的影响。研究表明,ITO薄膜的电阻率随着溅射功率的增大而减小,在溅射功率为110W时ITO薄膜的透光率有相对好的数值。溅射压强为1.0Pa时既能保持ITO薄膜低的电阻率又能保证高的透光率。     

氧化铟锡(ITO)膜的光学及电学性能

在基片加热状态下，利用直流平面磁控反应溅射技术制备重掺杂In2O3：Sn薄膜，研究其光学及电学性能。从光谱测量出发计算了膜的折射率及消光系数，并确定了膜的有效禁带宽度为4．25eV，比未掺杂的In2O3有更宽的禁带宽度。测量In2O3：Sn．膜的霍耳系数，并从介电常数的计算获得了膜的电子浓度约1020／cm3。     

TO与ITO透明导电薄膜光学性质研究

研究了非标准配比SnO_x(TO)及In_2O_3重掺杂锡(ITO)的透明导电薄膜的光学性质,采用透-反射法及透射法确定了它们的光学常数n与k,讨论了透-反法中的多值问题。俄歇电子分析表明ITO中Sn原子浓度约6.5%。     

电色膜和电色器件的光电特性

介绍了电子束蒸发沉积WO3膜在0．5mol/LH2SO4溶液和NiOx膜在1molKOH溶液中的电色性能；介绍了沉积到玻璃片上的ITO膜作透明导电电极、光学上活性的WO3阴极变色膜作工作电极、光学上活性的NiOx阳极变色膜作反电极（贮存电荷试样的贮存器）和1molLiClO4丙酮溶液的电解质作锂离子导体组成的互补型电色器件的光电特性。     

ITO透明导电薄膜XPS深度剖面分析

介绍了镀制SiO2的ITO透明导电薄膜的性能特点,描述了用X射线光电谱仪对典型产品深度剖面的分析过程,给出了实验结果.     

Ti1-xVxO2薄膜的制备及光电性能

用溶胶凝胶法制备了Ti1-xVxO2薄膜，用X射线衍射分析了Ti1-xVxO2的结晶性能，用Lambda紫外－可见光光度计测量了吸收光谱，用ZC36高阻仪测量了Ti1-xVxO2薄膜样品的电性能，结果表明，钒含量的增加导致Ti1-xVxO2薄膜光学吸收限红移，在形成固溶体后薄膜的电阻率随钒含量增加而下降，在x=0.15时，V2O5相的出现使Ti1-zVxO2薄膜的电阻出现一峰值，Ti1-xVxO2薄膜电阻率的这种变化规律是由于V的3d电子的引入和薄膜结晶性的变化。     

电子束法沉积ITO膜的XPS研究

采用电子束蒸发法制备了均匀、致密、透明导电的ITO膜。讨论了其光电性能,并用XPS技术研究了ITO膜的表面组成、结构和状态。     

REVERSE OPTICAL CHANGE AND RECORDING CHARACTERISTICS OF LANGMUIR-BLODGETT FILMS OF PHTHALOCYANINE COMPOUNDS

报导了酞菁化合物的吸收光谱随中心金属离子的有机基团的替代而产生的变化，以及酞菁铜（ＴＮＰｃＣｕ）和酞菁锌（ＴｎＰＰｃＺｎ）的单分子薄膜的吸收光谱随温度的变化。发现酞菁铜薄膜在７４０ｎｍ波长的光吸收的滞后回旋现象以及酞菁锌的可逆光吸收变化。报导了利用上述现象的可擦重写的光存储特性。     

离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性

对离子束增强反应磁控溅射低温沉积 AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细小,薄膜 AIN 是呈(002)择优取向的密排六方结构。由于Al-N 键的形成,使 Al 的2p 轨道电子结合能发生2.6eV 的化学位移。薄膜在可见光区域有很高的透射率,在紫外区域300nm 处有很强的吸收峰,在红外600—800cm~(-1)处有个吸收带,通过计算得到了 AIN膜的折射率,禁带宽度和晶格振动力学常数。     

酞菁LB薄膜及其旋涂膜光学性质的研究

制备了四新戊氧基酞菁锌的ＬＢ膜和旋涂膜,测定了这两各大不同温度退火后的吸收光谱,采用ｐ－ｗ偏振双面反射法测定了两种薄膜在不同温度退火后的折射率ｎ和消光系数ｋ,发现这两种薄膜不仅具有相似的光学常数的数值,而且表现出相似的随温度变化的趋势。     

聚合物复合材料的电导率研究

总结了经典的微粒填充复合材料体积电导率的计算公式,并针对分散相填充浓度较高的情况从串、并联电路角度进行了分析,指出这些模型各有一定的适用范围.用作者得到的存在界面电荷积累时的电导电流可以解释无机填料填充的复合材料电导率随填料浓度变化的特殊规律.