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相似文献
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1.
在(NH4)2SO4/NH4F电解液中,采用阶段升压至预定电压,然后恒压阳极氧化在Ti6A14V表面制备出纳米多孔氧化膜.利用SEM、XRD对纳米多孔氧化膜进行表征.研究表明,电解液pH值和外加电压对纳米多孔氧化膜形成和形貌影响非常大.电解液的pH值=4.O,恒压为20V时,形成孔均匀规整的纳米多孔氧化膜,孔内径约为85nm.纳米多孔氧化膜形成机理是:首先钛合金表面钝化,在F-作用下钝化表面发生孔蚀而形成原始胚胎孔,然后胚胎孔处氧化膜在电场支持下发生场致溶解而成大孔.  相似文献   

2.
王炜  陶杰  陶海军  王玲 《功能材料》2004,35(Z1):2959-2962
分别在氢氟酸和硫酸两种电解液体系下对纯钛(TA1)试样进行阳极氧化,在钛的表面获得TiO2纳米多孔膜.利用膜的颜色的不同来判断膜的厚度的变化,用FESEM观察了孔的形貌和结构并用XRD测试了TiO2膜的晶型,进而研究了阳极氧化电压对孔径和多孔膜晶型的影响并对多孔膜的形成机理进行了阐述.  相似文献   

3.
在(NH4)2SO4/NH4F电解液中,采用阶段升压至预定电压,然后恒压阳极氧化在Ti6Al4V表面制备出纳米多孔氧化膜。利用SEM、XRD对纳米多孔氧化膜进行表征。研究表明,电解液pH值和外加电压对纳米多孔氧化膜形成和形貌影响非常大。电解液的pH值=4.0,恒压为20V时,形成孔均匀规整的纳米多孔氧化膜,孔内径约为85nm。纳米多孔氧化膜形成机理是:首先钛合金表面钝化,在F-作用下钝化表面发生孔蚀而形成原始胚胎孔,然后胚胎孔处氧化膜在电场支持下发生场致溶解而成大孔。  相似文献   

4.
刘馨  李玉海  张勤 《材料保护》2014,(7):42-44,47,8
为了在2024铝合金表面获得结合力好、耐候性好及黑色纯正的阳极氧化膜,首先在硫酸电解液中对2024铝合金进行阳极氧化,之后在Sn-Ni-Cu-Co电解液中进行电解着黑色,采用SEM,XRD,EDS分析膜层的表面形貌、截面特征、成分及膜中的元素分布,优选了阳极氧化、电解着色电解液的成分;从金属颗粒沉积、氧化还原方面分析了电解着色的机理。结果表明:最佳阳极氧化液配方为100.0 g/L H2SO4,5.0 g/L H3BO3,2.0 g/L(NH4)2SO4,2.0 g/L苹果酸,2.0 g/L MgSO4,1.5 g/L Al2(SO4)3;最佳着色液配方为15 g/L SnSO4,10 g/L NiSO4,10 g/L CuSO4,10 g/L C4H6O4Co,3 g/L FeSO4;在Sn-Ni-Cu-Co电解着色液中,Sn2+,Co2+,Cu2+等通过还原反应以单质的形式沉积于氧化膜层的孔隙或底部,通过多重散射使氧化膜颜色加深,从而得到了黑色的氧化膜;最佳氧化膜颜色为石墨黑,结合力及耐候性均较好。  相似文献   

5.
李星  陈俊英  黄楠 《功能材料》2007,38(12):2052-2054
探讨了在不同电流、电解液浓度下,对钛表面进行阳极氧化所制得的氧化膜的结构与工艺参数之间的关系.然后,在硫酸电解液中添加聚四氟乙烯(PTFE)乳液,从而在钛表面制备TiO2-PTFE复合薄膜.用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)等对薄膜的微观特征进行表征.扫描电镜结果显示,所获得的氧化物为多孔结构薄膜,孔径为200~300nm,有利于电解液中超细颗粒的填充.添加PTFE乳液后,钛阳极氧化膜的孔隙部分或全部被PTFE微粒填充. XPS分析结果表明氧化膜内含有F元素.  相似文献   

6.
采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列,研究电解液成分、阳极氧化电压、阳极氧化时间、电解液温度及氧化次数对纳米管阵列微观结构及形貌的影响,探讨了TiO2纳米管阵列生长机理,并采用SEM、表面粗糙度仪、接触角测量仪对所得TiO2纳米管阵列的形貌、粗糙度、亲水性及表面能进行了表征和分析。结果表明,阳极氧化后Ti表面活性增加,相比于其他阳极氧化工艺参数,电解液成分对样品表面粗糙度、接触角及表面能的影响更大。  相似文献   

7.
赵延亮  王志义 《材料导报》2011,25(16):79-81,107
TiO2纳米阵列(纳米管、纳米棒)结构具有良好的力学性能、化学稳定性以及抗腐蚀性能,在许多技术领域具有广阔的应用前景。采用阳极氧化法在工业纯钛片表面制备出高度有序的TiO2纳米管阵列和纳米棒阵列,研究了电解液浓度和阳极氧化时间对TiO2纳米阵列结构的影响,并对其形成机理进行了初步探讨。结果表明,低浓度的HF酸电解液有利于制备纳米管阵列,高浓度的HF酸电解液有利于制备纳米棒阵列。  相似文献   

8.
本文采用5%H2SO4和10%H3PO4电解液在钛合金表面通过微弧氧化方法制备多孔氧化膜。利用体外培养成骨细胞MG63的方法,评估了细胞在不同膜层上的早期附着能力。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)研究了不同电解液中微弧氧化工艺的适用电压范围、膜层形貌、膜层的物相类型和膜层成分。研究结果表明:随着电压的增加,在两种电解液中的膜层孔洞尺寸逐渐变大,但孔洞数量减少;H2SO4中最佳氧化电压为120V,H3PO4中最佳电压为270V;H2SO4与H3PO4中制得的氧化膜在最佳电压下的平均孔隙直径分别为263.6nm和1.736μm。在H2SO4中的氧化膜层中出现锐钛矿和金红石相,H3PO4处理的氧化膜层中为无定型的氧化钛相。不同氧化膜内P与S的原子分数都随着电压升高而增大,最大原子分数分别为21.8%和4.13%。体外细胞培养过程中,在H2SO4电解液中不同电压下制得膜层上的细胞数量增长大于H3PO4,而在H3PO4中制得膜层上的细胞形态优于H2SO4。  相似文献   

9.
采用阳极氧化法以HF水溶液为电解液制备二氧化钛(TiO2)纳米管阵列,用场致发射扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对纳米管阵列的表面形貌、断面结构及元素组成进行表征,并使用场发射测试系统测试其场发射性能,研究了HF水溶液的pH值对TiO2纳米管阵列形貌(管径及管长)的影响。结果表明:调节电解液的pH值可改变TiO2纳米管阵列的形貌,从而提高其场发射性能。当电解液pH值为2.0时TiO2纳米管阵列的场发射开启场强降为2.52 V/μm,且具有较好的电流稳定性。  相似文献   

10.
通过中频脉冲磁控溅射的方法,在玻璃基底上沉积得到了表面均匀性好、致密度高的钛薄膜。在NH4F/乙二醇+H2O电解液体系中对该钛膜进行电化学阳极氧化。结果表明:30V恒电压下,当NH4F浓度从0.5%(质量分数,下同)增加到1%时,阳极氧化后形成的TiO2膜层逐渐从纳米孔结构转变成纳米管结构;当NH4F浓度低于0.75%时,随阳极氧化电压的增加,形成的TiO2膜层不会出现从纳米孔到纳米管结构的转变。  相似文献   

11.
TC4钛合金表面阳极氧化制备TiO_2多孔膜的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以硫酸为电解液,钛合金(TC4)为阳极,不锈钢片为阴极,采用恒压的氧化方式在钛合金表面获得TiO2多孔膜。通过扫描电镜(SEM)观察了多孔膜的微观形貌并用X射线衍射(XRD)对覆在钛合金基体上的氧化膜进行了物相分析,研究了氧化工艺参数电压、阳极氧化时间和硫酸浓度对TiO2多孔膜相组成的影响。结果表明:TC4钛合金阳极氧化获得的氧化膜为非均一平面的TiO2多孔膜,且膜的孔径分布在90~240nm,XRD分析表明在不同的氧化工艺参数下氧化膜均由锐钛相和金红石相双相晶型组成。在0.5mol/L硫酸溶液中,电压高于100V或氧化时间长于5min即出现锐钛相和金红石相TiO2,随着电压的升高和时间的增长金红石相TiO2的含量逐渐增加;在恒压120V时,硫酸溶液浓度为0.3mol/L即出现锐钛相和金红石相TiO2,随着硫酸浓度的提高金红石相TiO2的含量先增加后减少。  相似文献   

12.
磷酸盐溶液中碳纤维表面电化学改性   总被引:2,自引:4,他引:2       下载免费PDF全文
对比研究(NH4)2HPO4和NH4H2PO4两种不同电解质对碳纤维电化学改性效果的影响。通过拉丁方试验,研究了各改性参数对纤维表面改性效果的影响程度,采用XPS、AFM、BET技术对纤维表面化学组成、形貌及其比表面积的变化进行了表征分析。结果表明:以(NH4)2HPO4为电解质处理时改性效果主要受相对电流密度的影响,而以NH4H2PO4为电解质时电解液浓度是最主要的影响因素;在(NH4)2HPO4电解液中,纤维表面氧化刻蚀温和,改性效果显著,层间剪切强度可提高到79.8MPa,而在NH4H2PO4电解液中,纤维表面受到较强烈氧化刻蚀,本体强度损失较大,复合材料层间剪切强度仅能提高到70.8MPa。  相似文献   

13.
应用电化学阳极氧化法在Ti表面构筑不同的TiO2纳米管阵列膜。采用XRD、SEM、XPS表征薄膜的结构、形貌和组成。通过电化学阻抗谱及电位随时间变化的测试,考察TiO2薄膜的光生阴极保护效应。结果表明薄膜主要由锐钛矿型的TiO2纳米管阵列组成,当304不锈钢耦连于紫外光照下的TiO2薄膜电极时,其界面反应电阻变小,电极电位显著降低,说明TiO2纳米管薄膜能够对不锈钢产生良好光生阴极保护效应,特别是掺Fe的TiO2薄膜在光照时可使不锈钢电位降低约450mV,而且在暗态时也能较长时间保持对不锈钢的阴极保护作用。  相似文献   

14.
采用NH4F-乙二醇-H2O溶液体系的电化学阳极氧化法,在金属钛基板上形成厚度为0.9~36μm的TiO2纳米管阵列。研究了阳极氧化电压、氧化时间及电解液的组成对TiO2纳米管阵列结构的影响。结果表明,当醇水体积比为39∶1时,60V电压下氧化2h,TiO2纳米管顶部的氧化层在缺陷处发生二次击穿溶解,产生自组装的孔核,场助溶解驱动力使纳米管顶部在孔核处沿管轴向垂直劈裂,形成直径20nm、长度可达几微米的TiO2纳米线。  相似文献   

15.
钛合金着色技术的研究   总被引:4,自引:1,他引:4  
利用正交试验法研究了在磷酸-冰乙酸体系中磷酸、冰乙酸、添加剂、氧化电压、电解液温度、氧化时间等对钛阳极氧化膜的影响,确定了最佳工艺条件.结果表明,在采用以Ce作为添加剂的电解液中处理后所得到的钛合金着色膜呈蓝色、光亮美观,具有优良的耐蚀性、耐磨性和良好的附着力.  相似文献   

16.
在添加乙酸铜、乙酸镁的磷酸-氟锆酸钾电解液中对纯钛TA2基体进行微弧氧化处理,制备出颜色均匀的浅棕色陶瓷膜层。通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微分析(SEM)及附带的能谱(EDS),研究了陶瓷膜的表面和截面形貌、元素分布、相组成;用分光光度计测量了膜层的颜色,根据热震试验和三点弯曲法评价了膜层与基体的结合强度。结果表明:随着微弧氧化时间的延长,膜层中铜镁元素的含量增加,膜层的颜色随之发生变化,膜层与基体的结合强度降低。热震实验结果表明,膜层与基体有较高的结合强度。  相似文献   

17.
水解沉积--阳极氧化法形成Al-Ti复合氧化膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
通过含钛无机盐的水解沉积及高温热处理,铝电极箔表面形成高介电常数氧化物———TiO2 膜层,然后在己二酸铵溶液中恒电流阳极氧化,形成 Al Ti复合氧化膜。AFM观测了含钛无机盐水解沉积过程中,铝电极箔表面形貌的变化。在铬酸和磷酸的混合溶液中测试了氧化膜的耐电压随溶解时间的变化。通过SIMS检测了复合氧化膜中 Al3 、Ti4 的强度随溅射时间的变化。膜溶解试验及 SIMS 检测结果表明Al Ti复合氧化膜由 3 层组成,外层和中间层为 Al、Ti、O不同配比的混合物,内层则为纯的 Al2O3。铝电极箔比容随氧化膜耐电压的变化关系曲线表明,60V耐电压下,Al Ti复合氧化膜的比容提高率为51%。  相似文献   

18.
添加Fe3+对二氧化钛薄膜吸收光谱及光催化活性的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
用阳极氧化法制备多孔状的纳米晶二氧化钛薄膜,通过往阳极氧化的电解液中添加Fe3 ,使其进入二氧化钛薄膜中,研究了掺杂Fe3 对二氧化钛薄膜吸收光谱和光催化活性的影响.在阳性氧化时通过往电解液中添加不同含量的Fe3 可以制得掺杂Fe3 浓度不同的薄膜,研究了掺杂Fe3 浓度不同对薄膜吸收光谱和光催化活性的影响.用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见吸收光谱仪和X光电子能谱对薄膜进行了表征.实验发现掺杂Fe3 使二氧化钛薄膜对入射光的吸收带边发生红移,讨论了其作用机制.  相似文献   

19.
采用硫酸溶液浸渍TiO2干凝胶的方法制备了硫酸改性的TiO2粒子, 并组成了具有显著电流变性能的电流变材料. 用FT-IR、XRD、比表面积分析仪等表征了样品结构, 并测试了其电流变性能. 结果表明:由于硫酸根对晶粒生长的阻碍作用, 与纯TiO2粒子相比, 硫酸改性的TiO2粒子的晶粒尺寸降低, 比表面积提高, 并含有大量的强极性键SO. 当电场强度为3kV/mm时, 纯TiO2粒子电流变液的场致剪切应力与零场剪切应力之比(τE/τ0)仅为80, 而硫酸改性TiO2电流变液的τE/τ0高达500. 产生这些现象可归因于硫酸改性TiO2粒子带来的结构改变赋予其明显的界面极化能力.  相似文献   

20.
The anodically treated and untreated (control sample) Au/-Cu/n-GaAs Schottky diodes have been prepared. The anodic oxidization process has been made on the n-GaAs substrate in aqueous electrolyte with pH=2.02. The anodic treatment has increased the barrier heights. We have obtained the laterally homogeneous barrier heights of approximately 0.79 and 0.91 eV for the anodically untreated and treated Au/n-GaAs SBDs, respectively, and 0.67 and 0.91 eV for the Cu/n-GaAs SBD eV respectively when accounting for the image-forge effect only. Thus, the barrier height has been increased by at least 110 and 240 meV for Au/n-GaAs and Cu/n-GaAs SBDs, respectively.  相似文献   

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