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一次烧成SrTiO3复合功能陶瓷中掺杂Ag+离子的行为及其机制 总被引:7,自引:0,他引:7
采用一次烧成工艺制备掺施主杂质Nb2O5和受主杂质Ag2O的SrTiO3电容-压敏复合功能陶瓷,分析了Ag2O掺杂对SrTiO3电容-压敏复合功能陶瓷,分析了Ag2O掺杂对SrTiO3陶瓷电学性能的影响,采用XPS和EPMA分析方法确定了Ag的结构状态。研究结果表明,Ag^ 离子存在于烧结助剂形成的晶界非晶相中,对SrTiO3晶粒的半导化状况未产生显著影响,吕Ag^ 离子低价取代晶粒表面的Sr^2 离子而形成晶界受主态,是产生晶界Schottky势垒及复合功能效就原重要原因。 相似文献
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采用真空烧结替代气氛烧结制备SrTiO3陶瓷材料,获得了既具有电容效应又具有良好压敏效应性能的SrTiO3复合功能陶瓷元件.在此基础上探讨了Nb2O5和La2赴O3作为单、双施主掺杂对SrTiO3功能陶瓷半导化、电性能及显微结构的影响.研究结果表明,双施主掺杂不仅可以促进SrTiO3功能陶瓷半导化,而且对显微结构有重要的影响.在x(Nb2O5);x(La2O3)0.6:0.2时可获得性能较好的半导体材料.相比于气氛烧结工艺,真空烧结同样可以得到性能优良的SrTiO3功能陶瓷材料. 相似文献
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SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷致密化及脉冲电流耐受特性 总被引:1,自引:0,他引:1
实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响.研究结果表明,TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化,根据XRD图谱分析结果,Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相,TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化;复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力.获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品,其压敏电压VImA约为350V/mm,非线性系数α达到50,漏电流小于5μA,并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,φ14mm的样品能够经受2kA的脉冲峰值电流. 相似文献
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为改善Si3N4陶瓷的抗氧化性能以提高该材料使用寿命和可靠性,以Sc2O3和SiO2为添加剂,用真空热压烧结法制得Sc-Si-Si3N4陶瓷,并对该陶瓷在高温下的氧化行为及力学性能的变化进行了研究.采用X射线衍射、扫描电子显微镜和重量分析法研究了不同温度下的恒温热处理对陶瓷的表面相、氧化后形貌及陶瓷重量的影响;用三点弯曲法测量了抗折强度.结果表明,在1200~1400℃保温,陶瓷的氧化符合抛物线规律,其活化能为521kJ/mol,显示了较好的抗氧化性能.氧化过程主要由晶界添加剂离子及少量杂质离子和氧的双向扩散控制,氧化产生的表面裂纹和空洞使抗折强度明显降低. 相似文献
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介绍了SrTiO3系电容-压敏复合功能陶瓷的制备方法及其复合功能效应的机理,综述了当前有关研究的进展,评述了晶粒特性和晶界特性对复合功能效应的影响。 相似文献
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为了提高MLCC内电极材料用镍粉的抗氧化性,本研究进行了镍粉的表面改性研究.采用化学沉淀法在镍粉表面包覆CaC2O4-Zr(C2O4)2混合物前驱体后,通过高温热处理使镍粉表面的前驱体转变成了致密的CaZrO3.考察了制备条件,如包覆试剂加入方式、搅拌速度与时间、反应温度及前驱体热处理温度等对Ni/CaZrO3复合粉体抗氧化性的影响.利用扫描电镜(SEM)对样品的形貌进行了观察.结果表明,在最佳条件下制得的Ni/CaZrO3复合粉体具有良好的抗氧化性,在400℃,空气气氛中煅烧30分钟的氧化率约为4%. 相似文献