缓冲层对氮化镓二维生长的影响

报道了在射频等离子体（RF-Plasma)辅助的分子束外延（MBE）技术中，使用白宝石（0001）衬底，采用低温缓冲层工艺外延氮化镓（GaN)。通过原子力显微镜（AFM）的表面形貌比较及X射线双晶衍射（XRD）ω扫描摇摆曲线的分析，讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系，确立了缓冲层的三维成核，准二维生长的生长机理，并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长，进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。     

白宝石上生长SiO2薄膜的工艺

用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,在白宝石上制备SiO2薄膜。对影响薄膜生长的工艺参数进行了分析,测试了薄膜的成分,并研究了薄膜的红外光学性能。结果表明,制备的薄膜中Si和O形成SiO2化学键,计算出的O与Si的原子比接近2:1,采用射频磁控反应溅射法在白宝石上能够沉积出SiO2薄膜。制备出的SiO2薄膜对白宝石衬底有较好的增透作用。     

用于彩色交流等离子体显示板的Ne—Ar—Xe混合气体的研究

由氖（Ne)氙（Xe)气体混合组合组成的放电气了体使彩色交流等离子体显示板（AC－PDP）具有着火电压低,亮度,光效高的优点,但激发态氖原子发出的橙红色可见光对荧光粉发光的色纯影响很大,通过对充入Ne-Ar-Xe混合气体（氩气分压强与气体总压强之比从0．02到0．40）的AC－PDP的着火电压,维持电压工作范围,亮度,光效和白场色度的测量,研究了氩气对AC－PDP光电性能的影响,经过综合比较,氩气和氙气分压强与气体总压强之比分别为0．05和0．04时,PDP的白场色度较佳,而且着火电压适中,亮度和光效较高,最后从理论上分析了在Ne-Xe中加入氩气使白场色度变好的原因。     

改进型GaN材料的掺杂工艺研究

采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2—5μm厚度的P-AlxGa1-xN／GaN层（0〈x≤0．4）,在AlxGa1-x划层中的Al浓度为0．2〈x〈0．7。优化了影响P型CaN性质的生长参数：Mg流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比。过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ/Ⅲ比都会降低自由空穴浓度;研究了退火温度对P型GaN空穴浓度和光致发光的影响,获得了最佳退火温度为680～750℃的范围。     

沉积工艺对高 k栅介质 ZrO2薄膜生长行为的影响

采用反应射频磁控溅射法在Si（100）基片上制备了ZrO2薄膜，通过高分辨电子显微镜、原子力显微镜，研究了沉积工艺参数（主要包括氧分压和沉积温度）对ZrO2薄膜的表面形貌和微结构的影响．研究结果显示；氧分压和沉积温度是影响ZrO2薄膜生长行为的重要因素．随氧分压的增大，ZrO2薄膜的表面粗糙度近乎呈线形增加的趋势，ZrO2薄膜微结构演化过程是a-ZrO2（非晶）→a-ZrO2和少量m-ZrO2（单斜）→m-ZrO2和少量t-ZrO2（四方）→m-ZrO2；随沉积温度从室温升高到550℃，ZrO2薄膜微结构演化过程是a-ZrO2（〈250℃）→m-zrO2和少量a-ZrO2（450℃）→m-ZrO2和少量t-ZrO2（550℃）；此外，根据薄膜微结构和表面形貌的研究结果，探讨了沉积温度对薄膜生长行为的影响及其物理机制．     

氮气氛下金刚石薄膜生长过程中的光发射谱研究

利用原位光发射谱对衬底附近的化学气相性质进行了研究．研究表明,氮气的引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化．含氮基团的萃取作用提高了金刚石表面氢原子的脱附速率,从而提高了金刚石膜的生长速率．而含氮基团的选择吸附使金刚石（１００）取向变得化学糙化,这种化学糙化使得（１００）晶面生长速率远大于其它晶面,最终使金刚石薄膜呈现（１００）织构．还利用化学气相沉积方法研究了氮气浓度对金刚石生长的影响,结果与光发射谱分析是一致的．     

泡生法生长掺碳钛宝石激光晶体的研究

钛宝石激光晶体在现代高功率激光领域具有重要的应用价值, 但大尺寸、高品质的晶体生长仍是当前钛宝石应用面临的重大难题. 本文研究了泡生法技术生长大尺寸掺碳钛宝石激光晶体, 结果显示, 泡生法生长得到的直径180 mm、30 kg的钛宝石没有出现应力集中的开裂等宏观缺陷现象, 钛离子在晶体中分布均匀接近理论值, 晶体的FOM值达到200. 该研究对低红外残余吸收, 高品质因素、大尺寸钛宝石激光晶体的生长应用具有重要的现实意义.     

固体可调谐激光晶体

介绍了掺钛宝石、金绿宝石、石榴石、镁橄揽石、YLF和LCAF等几种典型的固体可调谐激光晶体,综合评述了它们的激光性能、生长方法、晶体的缺陷特征及其影响,报道了Bridg-man方法生长LCAF晶体的研究进展。     

闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究

用提拉法生长了Lu2Si2O7：Ce晶体，讨论了晶体生长过程中的几个问题；（1）熔体挥发；（2）晶体开裂；（3）层状包裹．生长过程中LPS和SiO2均存在挥发，其中后者占主导；LPS挥发不会造成组分偏析，因此对生长过程没有负面的影响．接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因．层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄，熔体容易出现组分过冷，以及生长设备的温控系统精度不高等造成的．     

硼白口铸铁的研究

本文研究硼、铜、钼对白口铸铁（合碳３％左右）的硬度、冲击韧性及抗冲刷磨损性能的影响；不同热处理规范对组织、冲击韧性和抗冲刷磨损性能的影响；比较硼白铸铁和高铬自口铁的抗冲刷磨损性能．     

蓝宝石单晶的气孔形成研究

采用冷心放肩微量提拉法(SAPMAC法)生长的蓝宝石晶体, 气孔是其主要缺陷. 本文探讨了影响气孔形成的工艺因素, 从晶体生长动力学角度分析了气孔形成机理. 结果表明, 通过优化温场、选择合适的生长速度及控制微凸固/液界面形状, 可有效降低晶体中气孔的数量.     

用于连续激光器的磷酸钛氧钾晶体的制备和性能

采用掺杂生长了一系 列用于大功率LD泵浦连续激光器倍频的磷酸钛氧四（KTiOPO4,KTP）,如：Nb:KTP、Na:KTP、Ce:KTP及Rb：KTP、Cs：KTP等,虽然其中一些具有比普通KTP晶体高的效率和抗光损伤阈值,并在4%Nb:KTP中实现了NCPM,但是在大部分掺杂晶体中生长条纹、包裹体均较严重,影响了晶体的均匀性,不适于大功率连续激光器应用,为提高KTP晶体均匀性和抗光损伤阈值,采用特制原料和改进工艺生长了优质KTP晶体,可用于大功率LD泵浦的Nd:YVO4连续激光器倍频,最大的连续绿光输出功率达到5W。     

A:Al2O3（A=Cr,Fe,Ni）晶体生长及其缺陷研究

报道了A:Al2O3(A=Cr,Fe,Ni)晶体光学浮区法生长工艺,研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,制备出了φ6~8 mm、长度为60~80 mm的A:Al2O3晶体.A:Al2O3晶体的生长方向为<001>方向,X射线双晶摇摆曲线表明A:Al2O3晶体具有良好的晶体质量.通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究,结果表明,A:Al2O3晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹.研究了A:Al2O3晶体的光谱性能,并对A:Al2O3晶体的介电性能进行了测量,室温下1000 kHz时A:Al2O3晶体表现出较高的介电系数εr(12.1~15.7)和较小的介电损耗tanδ(0.0020~0.0002).     

大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展

介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展,综述了大尺寸ZnTe单晶不同生长技术的特点及其对单晶性能的影响,重点分析了为解决ZnTe生长过程中存在的蒸汽压过高的问题,通过控制提高Te的比例,实现低温低压生长,对比了不同生长方法的生长机理差异及其对单晶尺寸、缺陷和性能的影响,为寻求解决大尺寸单晶生长面临的问题提供了参考。     

新型高效非线性光学晶体ZCTC宏观缺陷的研究

研究了采用蒸发法生长的新型高效紫外非线性光学晶体ZnCd(SCN)4（简称ZCTC）中的溶液包裹物、负晶、开裂、生长条纹、扇形界及直线管道等宏观缺陷的形成。利用光学显微镜观察和分析了这些缺陷的形态、分布规律和形成原因，讨论了消除或抑制ZCTC晶体中缺陷产生的措施。     

CdZnTe晶体中微米级富Te相与PL谱的对应关系

采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒.结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化.通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态,以及晶体的结晶质量,并测试了相应晶体的电阻率.归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10 K温度下PL谱中特征...     

锥头籽晶对DKDP晶体生长和损伤阈值的影响

籽晶是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。采用传统降温法,分别利用Z片和锥头作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分样品进行3倍频光损伤阈值测试。实验证明,DKDP晶体可以在不同籽晶下基本实现稳定生长,锥头籽晶所得DKDP晶体对晶体损伤阈值提高有积极作用且能有效缩短生长周期。     

Growth and Characterization of Organic NLO Crystal:β-Naphthol

Single crystals of β-Naphthol(βN),an organic nonlinear optical(NLO) material was successfully grown by temperature lowering method using chloroform as solvent.The initial compound was purified by repeated recrystallization process.As-grown crystals were characterized by single crystal X-ray diffraction(XRD) studies to ascertain that βN crystal crystallized in the monoclinic system with a noncemtrosymmetric space group.Vibrational frequencies of various functional groups in the crystals were derived from Fourier transform infrared(FTIR) spectroscopy and proton nuclear magnetic resonance(NMR) spectrum.Optical characterization was done using UV-Visible near-infrared(NIR) spectroscopy.The thermal behaviour of the material was studied by thermo gravimetric and differential thermal plots.Scanning electron microscopy(SEM) study was carried out on the surface of the grown crystals to investigate the nature of defects in the crystal surface and the NLO property of the crystal was tested by Nd:YAG laser as a source.