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一种新型湿化学方法合成Ba(Mg1/3Ta2/3)O3纳米粉末的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了一种工艺简便且成本较低的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)纳米粉末的湿化学制 备方法.实验过程以Ta2O5作为起始物,通过热碱反应与钽离子浓度控制法合成Ta2O5·nH2O 胶体,然后与Ba、Mg醋酸盐按化学计量比混合,经热处理制得BMT纳米粉末.实验结果表 明该方法制备BMT粉体所需的合成温度仅为800℃;比传统固相反应法合成温度降低400℃ 左右,平均粒径仅为70nm此外所制得的纳米陶瓷材料具有较佳的低温烧结性能和微波介电 特性,比目前报道的醇盐系湿化学制备技术更具有实用性. 相似文献
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Y2O3纳米晶的制备和表征 总被引:12,自引:0,他引:12
采用硬脂酸凝胶法制备了Y2O3纳米晶,用傅立叶交换红外光谱(FTIR),热重-差热(TG-DTA)对制备过程进行了表征。用X射线末衍射(XRD),透射电子显策镜(TEM)及BET比表面吸附对Y2O3纳米晶的粒径和形貌进行一表征。在600℃以上热处理得到立方晶系Y2O3纳米晶,其粒径随热自理的上升而增大,形貌由球形变为立方形。粒径分布窄,无硬团聚现象产生,用傅立叶变换红外光谱(FTIR)对其谱学特性 相似文献
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二氧化硅气凝胶合成新工艺 总被引:4,自引:0,他引:4
以E-40(多聚硅氧烷)为硅源,以HF为催化剂,用溶胶-凝胶法制备出了SiO2气凝胶法时研究了催化剂、溶剂、水等制备因素对其溶胶-凝胶过程的影响,用孔径分布测定仪、透射电镜(TEM)、比表面测试(BET)等方法对其微结构进行了研究。研究结果表明,HF的加入大大加束字溶胶-凝胶反应速度;BET以及TEM测试结果表明所制备的SiO2气凝胶具有大的比表面积和纳米多孔结构(骨架颗粒约为10纳米,孔洞尺政变 相似文献
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SiC-ZrO2(3Y)-Al2O3纳米复相陶瓷的力学性能和显微结构 总被引:10,自引:0,他引:10
本文介绍用非均相沉淀方法制备的纳米SiC-ZrO2(3Y)-Al2O3复合粉体经放电等离子超快速烧得到晶内型的纳米复相陶瓷,超快速烧结的升温速率为600℃/min,在烧结温度不保温,迅即在3min内冷却至600℃以下。 相似文献
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CNT-WO3元件的氨敏性能研究 总被引:14,自引:0,他引:14
以碳纳米管(CNT)为掺杂剂制成CNT—WO3旁热式气敏元件.采用混酸氧化法对碳纳米管进行纯化,化学沉淀法制备了纳米WO3微粉,并用TEM、FT—IR、TG—DSC、XRD等方法进行了表征.测试了元件在室温条件下对NH3的气敏性能.结果表明,碳纳米管掺杂元件在室温下对NH3的灵敏度远远高于纯WO3元件,其中0.8wt%的掺杂元件对NH3具有最高的灵敏度.另外,掺杂元件还具有检测浓度低、检测范围宽、选择性好等优点,是一种较为理想的氨敏元件. 相似文献
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自变频激光晶体Nd3+:GdAl3(BO3)4的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用熔盐法生长出尺寸为30mm的Nd3+:GdAl3(BO3)4优质晶体,进行了吸收光谱和荧光光谱的测定研究,计算得到晶体发射截面为σe1061.9=2.9×10-19cm2和σe1338mm=5.5×10-20cm2.采用染料激光器作为泵浦源,对晶体进行了自变频激光实验研究,在紫外可调谐(378-382nm)、绿光531nm、蓝光(436-443nm)、红光(669nm)和红外可调谐(1305-1365nm)波段实现了激光输出,输出的最大功率分别为:105μJ/脉冲、119.5μJ/脉冲、445μJ/脉冲、19μJ/脉冲和31μJ/脉冲. 相似文献
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(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3)Fex/3)O3体系磁电阻行为的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过系统地测量(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3Fex/3)O3(x=0、0.1、0.2、0.3的体系样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系,发现随x的变化其磁电阻率峰和电阻率峰均发生位移,磁电阻率峰值增大,并伴生磁电阻率峰展宽效应.作者认为由于Fe的替代,引起体系中Mn3 /Mn4 比率及磁矩的变化,加之外场对磁有序结构的调制作用,从而影响了Mn3 -O-Mn4 的双交换作用,最终导致磁电阻行为发生变化. 相似文献
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Ti/SnO2+Sb2O3+MnO2/PbO2阳极的性能研究 总被引:10,自引:0,他引:10
制备了一种非贵金属阳极-Ti/SnO2 Sb2O3 MnO2/PbO2,并用XRD、SEM进行了表征,计算出了电极的分形维数,测定了该电极在硫酸中的使用寿命和动力学参数,把该电极用于处理含酚废水和Pb电极进行对,结果表明,节电33%,转化率达95%,是一种优良的电化学催化剂。 相似文献
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采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的(K0.5Na0.5)0.96Sr0.02Nb1-xMnxO3无铅压电陶瓷.研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响.XRD表明随着Mn含量的增加,体系由正交相过渡到赝四方相;而且,富Na的第二相消失,得到纯净的钙钛矿相结构.在Mn含量为x=0.03和0.04时,观察到了两个温度(200和390℃)处的介电反常,这和晶格畸变引起的复晶胞结构有关.Mn含量为x=0.02时,得到综合性能优良的压电超声换能器用材料:介电常数ε^T33/ε0=479,压电常数d33=121pC/N,机电耦合系数Kp=41%,机械品质因子Qm=298,介电损耗tanδ=1.6%,居里温度Tc=391℃,谐振频率αfr和机电耦合系数Kp随温度的变化率αfr(80℃)和αKp(80℃)分别为-1.85%和1.19%. 相似文献
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GdAl3(BO3)4:Eu3+荧光粉的光致发光特性 总被引:4,自引:0,他引:4
用硝酸盐热分解法合成了单相粉末样品Gd1-xEuzAl3(BO3)4(0≤x≤1),研究了Eu^3 在GdAl3(BO3)4中的紫外和真空紫外光谱性质.GdAl3(BO3)4:Eu^3 中稀土离子占据非中心对称的格位,Eu^3 在其中的特征发射以^5D0→^7F2电偶极跃迁为主,在147nm激发下GdAl3(BO3)4:Eu^3 呈色坐标为(0.645,0.330)的强红光发射,说明是非常有前途的PDP用红色发光材料,在GdAl3(BO3)4:Eu^3 的真空紫外光谱中观察到两个峰,158nm的激发带归属于B03基团的吸收,258nm处的激发带为Eu^3 →O^2-的电荷转移跃迁带.在147nm激发下,GdAl3(BO3)4:Eu^3 的红光发射强度随着Eu^3 浓度的增加而减弱,而在258nm激发下随Eu^3 浓度的增大Eu^3 的红光发射增强,说明它们发光的机理不同。 相似文献
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采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征.制备的(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钦矿结构,室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变,显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异.与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷相比,(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷的烧结温度降低,烧结特性得到改善.(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷表现出优越的压电性能,其中0.94(K0.5Na0.5)NbO3—0.06LiNbO3(x=0.06)陶瓷的压电常数d33达到205pC/N,机电耦合系数kp为40.3%,kt达到49.8%. 相似文献
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