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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 265 毫秒

1.  乙酰丙酮钯(II)的热分解行为  
   梁广  高文桂  刘伟平  普绍平  闫革新  侯英《稀有金属材料与工程》,2006年第35卷第1期
   采用热重-差热(TG-DTA)与气-质联用(GC-MS)研究了CVD技术制备钯膜材料的前驱体乙酰丙酮钯[Pd(acac)2]的热分解行为。通过对比其在空气和氩气两种气氛、不同温度下的热裂解产物,认为在以乙酰丙酮钯为前驱体通过CVD技术制备钯膜时,空气比氩气更适合做载气。    

2.  乙酰丙酮铑(Ⅲ)的化学性质  被引次数:4
   梁广  刘伟平  高文桂  普绍平  闫革新  侯英《中国有色金属学报》,2004年第14卷第11期
   合成了乙酰丙酮铑, 并采用紫外、红外、核磁和质谱等手段研究了乙酰丙酮铑(Ⅲ)的化学结构特征. 结果表明: 乙酰丙酮铑属于低自旋的惰性配合物; 由于配合物中离域π键的形成, 配体羰基已不具备典型的羰基特征; 在快原子的轰击下, 乙酰丙酮铑的配位键逐一断裂, 释放出游离的乙酰丙酮, 最后形成103Rh , 同时伴随共价键的断裂与重排; 在磁场中, 由于Rh3 的强吸电子效应以及螯合环的环电子流效应, H核化学位移向低场移动. 通过TG-DTA和GC-MS分析并探讨了乙酰丙酮铑的热分解行为, 为其应用提供了热学依据和理论参考, 并建议以300.℃作为以乙酰丙酮铑为前驱体的CVD铑沉积工艺的沉积温度.    

3.  用乙酰丙酮钯作前驱物制备Pd/C催化剂的研究  
   张曙东  雷远进  刘小荣  顾永万  潘再富《贵金属》,2006年第27卷第2期
   分别采用乙酰丙酮钯、氯化钯和硝酸钯作前驱物,用浸渍-还原法制备了一系列Pd/C催化剂,以松香歧化反应评价其活性,研究了活性炭类型、载体预处理、溶剂、还原方法及温度等因素对Pd/C催化剂活性的影响.结果表明,采用具有较大比表面积和孔容的活性炭作载体有利于钯在其表面的均匀分布和催化剂活性的提高;以Pd(acac)2作前驱体,以及使用极性较强的溶剂与用无机配合物前驱体相比,制备的Pd/C催化剂活性较高;TG-DTA分析表明Pd(acac)2在350℃下完全分解,基于此结果,作者在350℃条件下采用氢气干法还原,制备出活性略高于从日本进口的Pd/C催化剂.    

4.  前驱体加热温度对Pt-Ir合金薄膜的成分与沉积速率的影响  被引次数:1
   陈力  胡昌义  蔡宏中  王云《贵金属》,2010年第31卷第1期
   以乙酰丙酮铱和乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上沉积了PtIr薄膜。研究了前驱体加热温度对PtIr薄膜结构、成分和沉积速率的影响。结果表明,MOCVD的PtIr薄膜为合金膜,Pt-Ir合金薄膜成分、沉积速率随前躯体加热温度变化而变化,并存在极值点。    

5.  载钯硅藻土复合材料吸/放氢循环性能和抗粉化性能研究  被引次数:1
   吉亚莉  刘晓鹏  吕芳  米菁  蒋利军  王树茂《稀有金属》,2011年第35卷第2期
   采用乙酰丙酮钯为前驱体通过浸渍-热分解法制备了钯含量为45.3%的载钯硅藻土(Pd/K)复合材料,并通过冷/热循环、PCT,XRD及SEM对其进行吸/放氢循环性能和抗粉化性能分析。循环性能分析表明:40℃时Pd/K材料在30 s内已基本吸氢饱和,最大吸氢量为0.689%(质量分数)。初始250~380μm的Pd/K复合材料在2000次40℃吸氢/180℃放氢的吸放氢循环过程中,吸氢平衡压、吸氢量及吸氢速率均没有明显的衰减;但是,2000次循环后,复合材料150μm以下的样品占17.6%。物相和微观形貌分析表明:Pd/K复合材料由Pd和SiO2组成;复合材料的表面钯含量较高,经过热处理,其表面钯长大,形成钯膜,但该钯膜存在较多裂纹,致使其在吸/放氢过程中容易从复合材料颗粒表面脱落;Pd/K复合材料粉化主要是由其表面富钯层的脱落引起的。    

6.  溶胶凝胶法制备PbTiO3薄膜的研究  
   朱涛 韩高荣《硅酸盐通报》,1998年第17卷第1期
   利用IR、DTA、TG、XRD及Raman光谱等测试手段,研究了乙酰丙酮改性的Pb-Ti系统的溶胶凝胶过程。结果表明通过乙酰丙酮的改性可以得到稳定的溶胶前驱体,由此溶胶制备的薄膜在600℃即形成完全晶化的钛酸铅薄膜。    

7.  玻璃衬底上钯多晶膜的制备  
   李庆  陈志谦  胡金柱《功能材料》,2004年第35卷第Z1期
   在乙二醇和乙酰丙酮混合溶剂中将钯多晶膜沉积在玻璃片上.钯膜表面平整,由球形钯晶小颗粒密堆积而成,颗粒均匀,形状规则,直径约为130nm.对混合溶液进行了研究,给出了制备均匀的钯膜的最佳反应条件.颗粒大小和膜层厚度可以通过改变反应条件加以控制.探讨了溶剂所起的作用,提出了混合溶剂中钯膜沉积的可能机理.    

8.  一种氨基吡啶铈(Ⅲ)配合物的合成及其应用研究  
   仲银鹏  杜立永  丁玉强《广东化工》,2018年第11期
   合成了氨基吡啶铈(Ⅲ)配合物并通过核磁和元素分析对其进行了表征;通过热重分析(TGA)对其热稳定性,挥发性和蒸汽压等热性质进行了研究,以期适用于化学气相沉积(CVD)技术的应用。最后,通过热型CVD技术制备出了Ce O2薄膜,表明氨基吡啶铈(Ⅲ)配合物可以作为一种新型的CVD前驱体。    

9.  含锆、硅有机陶瓷前驱体的制备及其陶瓷化研究  
   杨明泽  周权  彭峥强  宋宁  倪礼忠《玻璃钢/复合材料》,2019年第3期
   以正丙醇锆、乙酰丙酮,1,2-丙二醇为原料,制备主链为-Zr-O-CH2-CH-,侧链含有不饱和基团的含锆聚合物(ZMP)并作为锆源。将主链为-Si H、-C≡C-的硅炔树脂(PTSA)作为硅源。将二者以质量比2∶5进行复配,制得陶瓷前驱体(PMS)。采用FT-IR和NMR对ZMP结构进行表征,EDS分析了ZMP的元素组成;利用原位红外分别探讨了PMS的固化行为,运用TGA研究了PMS的耐热性能; TGA测试表明,陶瓷前驱体具有良好的耐热及热稳定性能,在氮气和空气气氛下1000℃时的质量保留率分别为90. 24%和88. 53%。通过XRD、SEM、TEM和Raman研究了PMS的陶瓷化演变。陶瓷化演变结果表明,PMS在1600℃下的陶瓷转化率高达57. 4%,且陶瓷产物中含高结晶度的Zr C、Si C晶体。    

10.  MOCVD法制备碳-氧化铝太阳能选择吸收涂层的研究  
   侯玉芝  蒋利军  王树茂  郝雷  李岩《表面技术》,2009年第38卷第3期
   目前,普遍采用射频溅射制备以氧化铝为介质基体的太阳能选择吸收涂层,但射频溅射成本高、效率低.以乙酰丙酮铝为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法,在不锈钢基体上制备碳一氧化铝太阳能选择吸收涂层,大大降低了涂层成本.研究了栽气成分、沉积时间对膜层成分和吸收率的影响.结果表明:在沉积温度为600℃、载气氧含量为3%、沉积时间4h时获得了吸收率α为0.91的涂层.    

11.  Fe3O4/Ag复合纳米材料的制备及SERS研究  
   施建珍  王玮  金永龙  宋德江  徐宜泽  方靖淮《中国材料科技与设备》,2012年第6期
   采用乙酰丙酮铁作为有机前驱体盐,在二苄基醚溶液中,以油酸、油胺为表面活性剂,十六醇作为“分解促进剂”,分解前驱体乙酰丙酮铁,制备四氧化三铁纳米颗粒。以四氧化三铁纳米颗粒为“种子”,加入醋酸银,以油胺为还原剂,制备Fe3O4/Ag复合磁性纳米材料。利用透射电子显微镜对纳米材料的形貌进行了表征,通过紫外~可见吸收光谱和拉曼光谱仪对纳米材料的表面增强拉曼散射光谱进行表研究,采用铷硼磁铁对磁性纳米材料的磁性进行初步研究。实验结果表明:FelO2/Ag复合磁性纳米颗粒既具有磁性又具有贵金属光谱特性;相对Fe304而言,Fe3O4/Ag复合纳米粒子具有更好的s隙S增强效果。    

12.  热处理气氛对制备氧化锆连续纤维的影响  被引次数:1
   刘贵双  刘和义  裴石光  陈炎  刘金强《材料导报》,2011年第25卷第24期
   以氧氯化锆、乙酰丙酮等为原料合成聚乙酰丙酮合锆纺丝液,经干法纺丝和水蒸气气氛热处理制备氧化锆连续纤维.通过DSC-TGA、FT-IR、GC-MS、SEM等手段,研究了纤维在空气和水蒸气气氛热处理中的热解转变机制.结果表明,在空气气氛热处理过程中,聚乙酰丙酮合锆前驱体纤维中所含有机物以脱氢碳化和碳氧化方式被去除,产生的应力使氧化锆纤维结构出现裂纹,纤维强度低;而在水蒸气气氛热处理过程中,有机物在水蒸气水解作用下直接以分子整体挥发的方式被去除,所得氧化锆纤维结构致密均匀、强度高.    

13.  控制反应沉淀法合成BaMgAl10O17球形粉体材料  
   郑永生  沈湘黔  景茂祥《矿冶工程》,2005年第25卷第6期
   利用控制反应沉淀技术,以硫酸铝铵、硝酸镁、硝酸钡、无水碳酸钠为原料,在室温下制备出球形前驱体,此前驱体在空气气氛中于1300℃焙烧3h后得到晶粒小的类球形纯相BaMgAl10O17粉体。利用SEM、XRD表征了球形前驱体及其焙烧产物的形貌、结构及组成;利用TG-DSC分析了前驱体的热分解过程。实验结果表明:溶液pH、颗粒在反应器平均停留时间及原料中金属离子摩尔比是影响前驱体及其焙烧产物组成的主要因素。    

14.  煅烧气氛对共沉淀法制备超细Co-V-Cr复合粉末形貌与结构的影响  
   肖海波  李詠侠  邹丹  刘艳军  姚锐  阳东方  郑峰《粉末冶金材料科学与工程》,2014年第6期
   以Co、V、Cr的可溶性氯盐和草酸铵为原料,采用草酸盐共沉淀法制备Co、V、Cr的复合粉末的前驱体,热分解后获得Co-V-Cr复合粉末。通过DSC/TG分析对该前驱体在不同气氛(真空、氩气与氮气)中的热分解过程进行研究,通过扫描电镜观察与比表面积测试,对Co-V-Cr复合粉末的性质进行分析与表征。结果表明,不论在什么气氛下锻炼,所得Co-V-Cr复合粉末的粒径都达到纳米级,分散较均匀,V和Cr完全固溶在Co相中。前驱体合理的煅烧温度为450℃。在氩气气氛下前驱体粉末在421℃时直接分解成Co-V-Cr复合粉末;而在空气中的DSC-TG曲线在366℃出现放热峰,原因是此温度下发生氧化反应,前驱体先分解成Co-V-Cr然后被氧化。在氩气气氛下煅烧得到的Co-V-Cr复合粉末比表面积最大,为41.50 m2/g,粒径最小,平均晶粒尺寸为11~12 nm。    

15.  焙烧处理对甲醇合成催化剂结构的影响  
   郭平均  赵正康  杨菊群《煤化工》,2012年第40卷第1期
   采用共沉淀法制备甲醇合成催化剂,研究了沉淀前驱体的制备过程。XRD表明沉淀前驱体主要为(Cu,Zn,Al)的碱式碳酸盐物相。采用TG/MS分析沉淀前驱体的热分解行为,发现其失重过程主要发生在250℃左右。提高焙烧温度会促进前驱体分解完全,导致比表面积的显著变化和Cu晶粒的长大。    

16.  双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ)的制备及成膜性能  
   蔡宏中  易健宏  胡昌义  常桥稳  魏 燕  郑 旭  刘伟平  陈 力《稀有金属材料与工程》,2014年第43卷第5期
   以二氯化钯和2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮为原料,在甲醇中合成了一种新的β二酮前驱体-双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ)。通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱及单晶X射线衍射等技术对合成的前驱体进行了结构表征。热重-差热分析表明,在N2气氛中,当温度升到291℃时,前驱体基本挥发完全。采用合成的前驱体通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在石英上沉积制备钯薄膜,利用XRD和AFM分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征。结果表明,所得到的薄膜纯净,无其他杂质存在,薄膜表面连续、致密。    

17.  双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ)的合成及其晶体结构  
   陈高芳  胡昌义  谌喜珠  叶青松  刘伟平  常桥稳《贵金属》,2012年第33卷第2期
   以二氯化钯和2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮为原料,在甲醇中合成了一种新的β二酮前驱体—双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ)。通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和单晶X射线衍射技术对其进行了表征,确定了配合物的结构组成。用热重法分析了配合物在氮气气氛中的热分解行为,当温度升到295℃,前驱体基本挥发完全,表明双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ)是一种理想的MOCVD前驱体。    

18.  氧化铟纳米立方块的合成及其自组装膜  
   王明峰  张敬  李福平  刘国栋《纳米科技》,2013年第4期
   以乙酰丙酮铟为前驱体,在不同的有机溶剂中进行溶剂热反应,得到棱角规则清晰、尺寸可控的立方相氧化铟纳米立方块,通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等对产品进行详细表征,采用层层自组装技术,将氧化铟纳米立方块自组装戍厚度可控的薄膜,UV-vis吸收光谱强度的线性增长为多层膜组装提供了证据,且对氧化铟纳米立方块及其自组装薄膜的光致发光光谱进行了测试。    

19.  铂薄膜化学气相沉积动力学规律探讨  被引次数:6
   胡昌义  尹志民  王云  万吉高  邓德国  高逸群《贵金属》,2003年第24卷第1期
   以乙酰丙酮铂为沉积源物质,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法在Mo基体上制备了Pt薄膜,研究了Pt薄膜的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铂的加热温度和运载气体(氩气)流速等沉积参数的关系。Pt的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程:沉积速率与绝对温度的倒数呈现抛物线关系,当温度为550℃时,Pt的沉积速率达到最大值,随着乙酰丙酮铂加热温度的升高,Pt的沉积速率直线增加,而氩气流速的增大则显著减少Pt的沉积速率,SEM波谱成分分析表明,Pt薄膜中含有少量的氧。    

20.  ALD沉积HfO2薄膜生长行为及其调控  
   聂祥龙  马大衍  徐可为《稀有金属材料与工程》,2015年第44卷第11期
   采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO2高介电质薄膜。系统研究了前驱体流量、反应气压、反应温度等工艺参数对HfO2薄膜生长质量的影响。通过工艺调控,发现存在两种薄膜生长模式:类CVD(化学气相沉积)生长模式和ALD生长模式。发现薄膜的生长模式主要依赖于制备工艺参量:脉冲参量M和冲洗参量Q,通过优化工艺参数,可实现薄膜生长由类CVD生长模式向ALD生长模式的转变,并获得了0.1 nm/周次的最优薄膜生长速率。同时,薄膜微结构与表面形貌的表征结果表明:薄膜的非晶晶态转变受温度和膜厚两个因素共同控制。    

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