Bi对Ba（Sn0．1Ti0．9）O3陶瓷介电性质的调节作用

采用传统的固相反应烧结工艺制备出了Ba1．3xBi2x（Ti0.9Sn0.1）O3（x=0,0．1％，0．2％，0．4％，0．6％，0．8％，1．0％，1．2％，1．4％）9种铁电陶瓷，利用XRD和介电温谱对陶瓷的物相结构与相变特性进行了研究。结果表明，产物为单相钙钛矿结构，Bi的A位轻量替代可以对陶瓷的介电性质和相变温度产生很大影响，随Bi元素在A位替代量的增加陶瓷从一般铁电体向驰豫铁电体转变，且弥散相变特征加重。     

高性能无铅压电材料Ba（Ti0．8Zr0．2）O3-x-（Ba0．7Ca0．3）TiO3单晶和薄膜的制备

具有三相点准同型相界附近成分的Ba（Ti0．8Zr0．2）O3-x-（Ba0．7Ca0．3）TiO3无铅压电材料,具有优异的铁电、压电性能,作为一种具有潜在应用前景的无铅压电材料得到广泛关注。利用溶胶一凝胶法制备了该成分的薄膜以及尝试了利用浮区单晶炉的单晶生长工艺。利用XRD对薄膜和生长的晶体样品进行了物相鉴定;用AFM表征了薄膜的表面形貌;用TFAnalyz-er2000HS铁电测试系统测试了其电滞回线;还分析了气氛对晶体生长和紫外一可见透过光谱的影响。     

熔盐法制备Ba1-xKxBiO3超导体及Ba0.6K0.4BiO3的稳定性

利用熔盐法在260℃的低温下制备出了单相Ba1-xKxBiO3(BKBO,0.315≤x≤0.6)样品.磁性测量结果表明,在x值整个范围内的BKBO样品都表现出超导电性,x=0.4时,超导转变温度达到最高值(Tc=30.6 K):粉末X射线衍射结果表明,所有样品中均含有少量的BaCO3杂相,它是由于反应过程中Ba(OH)2·8H2O和空气中的二氧化碳反应造成的;扫描电镜观察BKBO微观形貌为片状.为与熔盐法作比较,利用溶胶.凝胶法制备Ba0.6K0.4BiO3,发现此法难以制备出单相BKBO样品.利用热分析和退火处理来研究熔盐法制备Ba0.6K0.4BiO3的热稳定性,发现样品大约在400℃开始分解,表明Ba0.6K0.4BiO3在400℃以上是不稳定的.     

尖晶石型LiCo0．05Ni0．05Mn1．9O3．9F0．1的合成与表征

以阴阳离子复合掺杂为基础，采用超声共沉淀法、Pechini法和高温固相法合成尖晶石型掺杂锰酸锂前驱体，使用3段热处理方式，即650℃预烧、780℃烧结、550℃回火制备得到掺杂尖晶石LiCo0．05Ni0．05Mn1.9O3．9F0.1。通过化学容量分析测定Mn含量和平均价态，用粒度分布、电镜扫描（SEM）、X射线衍射（XRD）、电化学性能测试对产物进行表征。结果表明产物的Mn含量和平均价态与理论值吻合。3种合成方法相比，超声共沉淀法产物的粒径最窄，比表面积最小（14919cm^2／cm^3），晶型完整，衍射强度最大，结晶性能最佳，晶格常数为0．821nm，晶粒尺寸为57．48nm：经装配电池电化学性能测定，超声共沉淀法产物的比容量更高，循环性能更稳定，经30次循环后容量衰减仅7．2％。     

微波固相烧结制备La0．7Sr0．3-xCaxCo0．9Fe0．1O3-δ阴极材料及性能表征

以碳酸盐和氧化物为原料，采用微波固相烧结法制备了La0．7Sr0．3-xCaxCo0．9Fe0．1O3-δ（简称：LSCCF，x=0．05，0．10，0．15和0．20）粉料。用XRD和sEM对LSCCF粉料的晶体结构和颗粒形貌进行了研究。结果表明：微波固相反应在1200℃下烧结0．5h便可以形成密度为5．366g／cm^3，晶粒尺寸小于500nm钙钛矿结构的粉料。而常规固相反应法在1300℃下烧结7h只形成了密度为3．426g／cm^3，晶粒尺寸小于2000nm钙钛矿结构的粉料。电导率测量结果表明：随着烧结温度的升高和Sr^2＋含量的增加，LSCCF样品的电导率变大，600℃～800℃范围内微波烧结制备的La0．7Sr0．3-xCaxCo0．9Fe0．1O3-δ样品的电导率最小值为672S／cm。且高于常规固相烧结制备的相同组成样品的电导率最小值425S／cm。LSCCF粉料与Ce0.8Sm0.2O2电解质的混合物在800℃下烧结10h后没有新相生成，表明LSCCF粉料与Ce0.8Sm0.2O2电解质具有良好的化学相容性。     

原位热压制备Ti3Si0．8Al0．4C1．95固溶体陶瓷

以Ti、Si、Al和C（石墨）元素粉为原料，采用原位热压烧结法制备了高纯度的Ti3Si0．8Al0．4C1．95层间固溶体陶瓷块体材料，研究了合成温度对产物纯度的影响，测试分析了制备材料的相组成及显微结构，测试了制备材料的密度、抗弯强度及电阻率等特性。结果表明，适当的热压烧结温度为1550℃左右，偏高或偏低都导致TiC及Ti5Si3等杂相的生成；微观结构为典型的板状晶，晶粒内部的层状结构清晰可见；材料的密度、抗弯强度和电阻率均介于Ti3SiC2和Ti3AlC2两者之间。     

等温时效对Cu－9Ni－6Sn－0．3Ce合金相结构的影响

用透射电镜、Ｘ射线衍射、ＤＳＣ分析和某些物理性能研究了等温时效对Ｃｕ－９Ｎｉ－６Ｓｎ－０．３Ｃｅ合金相结构的影响。研究表明：合金等温时效发生调幅分解的同时导致生成一种具有ＤＯ２２（Ａｌ３Ｔｉ型）结构的化合物，该化合物不具有超点阵结构，其数量随时间增加而增加，同时还有短程有序现象，短程有序参数随时间增加而减小。     

Effect of （Ba＋Sr）/Ti ratio on dielectric and tunable properties of Ba0.6Sr0.4TiO3 thin film prepared by sol-gel method

Ba0.6Sr0.4TiO3 （BST） thin films were fabricated on Pt coated Si （100） substrates by sol-gel techniques with molar ratio of （Ba＋Sr） to Ti changing from 0.76 to 1.33. The effect of （Ba＋Sr）/Ti ratio deviating from the stoichiometry on microstructure, grain growth, dielectric and tunable properties of BST thin films were investigated. TiO2 and （Ba,Sr）RTiO4 were found as a second phase at the ratios of 0.76 and 1.33, respectively. The variation of the ratio reveals more significant effect on the grain size in B-site rich samples than that in A-site rich samples. The dissipation factor decreases rapidly from 0.1 to 0.01 at 1 MHz with decreasing （Ba＋Sr）/Ti ratio. The tunability increases with decreasing ratio from 1.33 to 1.05, and then decreases with decreasing ratio from 1.05 to 0.76. The film with （Ba＋Sr）/Ti ratio of 1.05 has a maximum tunability of 32% and a dissipation factor of 0.03 at 1 MHz.     

Preparation and dielectric properties of compositionally graded （Ba, Sr）TiO3 thin film by sol-gel technique

Compositional graded BaxSr1-xTiO3 （x=0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0） （BST） thin films （less than 400 nm） were fabricated on Si and Pt/Ti/SiO2/Si substrates by sol-gel technique. A special heating treatment was employed to form the uniform composition gradients at 700 ℃. The microstructures of the films were studied by means of X-ray diffraction, atomic force microscope and field emission scanning electron microscopy. The results show that the films have uniform and crack-free surface morphology with perovskite structure phase. The small signal dielectric constant （εr） and dielectric loss （tanδ） are found to be 335 and 0.045 at room temperature and 200 kHz. The dielectric properties change significantly with applied dc bias, and the graded thin film show high tunability of 42.3% at an applied field of 250 kV/cm. All the results indicate that the graded BST thin films prepared by sol-gel technique have a promising candidate for microelectronic device.     

熔盐法制备单相Co2W六角铁氧体及电磁性能研究

采用熔盐法制备单相BaCo_2Fe_(16)O_(27)(Co_2W)六角铁氧体,探讨烧结温度、保温时间及熔盐与反应物质量比(R)对产物物相的影响,研究了Co_2W铁氧体的静磁性能及微波吸收性能.结果表明,单相Co_2W合成条件的温度为1250℃,保温时间为4 h,熔盐与反应物质量比R=3.Co_2W铁氧体比饱和磁化强度、剩余磁化强度和矫顽力分别为60.76(A·m~2)/kg、3.78(A·m~2)/kg和70.7×79.6A/m.与溶胶-凝胶法相比,熔盐法制备的Co_2W铁氧体具有更好的吸波性能.利用熔盐法制备铁氧体是提高以铁氧体为吸收剂的复合材料吸波性能的潜在途径.     

K改性的BNT-BZT压电陶瓷制备与性能研究

无铅压电陶瓷是压电材料中一个重要的研究方向，为了能够取代目前广泛应用的含铅材料，需要进一步提高无铅陶瓷材料的各项性能，尤其是压电性能。BNT-BZT系陶瓷是钛酸铋钠（BNT）和锆钛酸钡（BZT）两相形成的固溶体，在BNT-BZT陶瓷体系中，富BNT和低Zr含量的区域存在准同型相界，在相界附近可以得到性能优良的无铅压电陶瓷，其性能以3大约150pC/N，居里温度在240℃左右，介电常数大约900。在BNT-BZT相界点处掺杂K离子，研究了K改性的BNT-BZT体系陶瓷的微观结构与性能。实验结果表明，以3达到165pC／N；居里温度达到270℃；烧结中出现了玻璃相，预烧温度和烧结温度相对于原体系都有适当降低。     

熔盐法制备NaNbO_3纳米粉体的研究

以Na2CO3和Nb2O5为反应物,NaCl为熔盐,在800℃温度下熔盐反应4h成功获得了纯钙钛矿结构NaNbO3(NN)纳米粉体。利用XRD对合成粉体的物相进行表征,利用TEM和SEM观察合成粉体颗粒的微观形貌,并与固相法合成的粉体进行比较。结果显示,熔盐法所合成的粉体为无团聚的立方块状的单晶NaNbO3颗粒,其平均尺寸约200nm。NaNbO3形成机制为溶解-析出机制。     

溶胶-凝胶法制备的钛酸锶钡超细粉体的结构与性能

采用溶胶-凝胶法制备了不同Ba／Sr比的BST粉体，研究了粉体的热处理制度，粉体及其烧结体的微观结构，烧结体的介电性能以及居里温度与组成的关系等。研究结果表明用溶胶．凝胶法制备的BST超细粉体，由于其尺寸细小，粉体的比表面积很大，因而烧结活性更高，在1350℃烧成4h可获得结构致密的单一钙钛矿相的瓷体。     

石墨表面TaC涂层的熔盐法制备及表征

目的 以K₂TaF₇和Ta粉为主要原料,在石墨材料表面制备TaC涂层。方法 反应物在1200℃的熔盐体系中保温3h,反应生成碳化物,经后续2300℃真空保温1h后,得到TaC涂层材料。采用XRD和SEM对涂层的组成结构进行表征,采用拉开法对涂层的和石墨基体的结合强度进行测量,采用纳米压痕对涂层的硬度和弹性模量进表征,最后对TaC涂层的抗腐蚀性能进行模拟测试评估和实际的SiC长晶测试。结果 熔盐法制备的TaC涂层连续地覆盖在石墨表面,保持了原始石墨的形貌,其物相组成为TaC,呈现出亮黄色,厚度为20～40μm,涂层的晶粒无择优取向生长,呈现出无序堆积的状态。TaC涂层与石墨基体的结合强度为9.49 MPa,硬度和弹性模量分别为14.42 GPa和123.32 GPa。TaC涂层样品于2 300℃的SiC腐蚀气氛环境下保温3 h,质量损失率仅为0.01 g/(m²·h),远低于同测试条件下无涂层石墨样品的质量损失率4.67 g/(m²·h)。在2 300℃氩气气氛下保温3 h的SiC粉包埋TaC涂层的接...     

BaFe_(12)O_(19)/BaTiO_3复合材料的制备及微波性能

采用溶胶凝胶法制备了钛酸钡(BaTiO_3, BTO)和钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19), BFO)复合粉体.研究了该粉体的结晶情况、相结构、形貌及吸波性能.XRD结果表明,复合粉体的相结构与BFO粉体的相结构接近,但与BTO含量和烧结温度密切相关.SEM结果表明,复合粉体由微米晶粒和纳米晶粒组成,随着烧结温度的升高颗粒尺寸增大.吸波性能测试表明,粉体在500 MHz～18 GHz频率范围有多个吸收峰,BTO的加入明显改善了材料的吸波性能.     

Y掺杂BST薄膜介电性能研究

用改进溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si上制备了钇(Y)掺杂Ba_0.6Sr_0.4TiO_3 (BST)薄膜,研究了Y掺杂对BST薄膜表面结构和介电性能的影响.XPS结果表明,Y掺杂有利于薄膜钙钛矿结构的形成,但对氧空位没有明显的抑制作用.SEM和AFM结果表明,Y掺杂能缓解薄膜应力、减少薄膜裂纹、细化晶粒,进而改善薄膜的表面结构.在进行Y掺杂后,薄膜的介电性能得到明显提高,40 V外加电压下的介电调谐率大于40%及零偏压下介电损耗为0.0210,优化因子大于20.     

退火温度对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜晶化及介电性能的影响

用改善的溶胶凝胶(Sol-Gel)法制备了钛酸锶钡(Ba_0.6Sr_0.4TiO_3, BST)薄膜,研究了退火温度对薄膜晶化及介电性能的影响.X射线衍射表明,由于薄膜较薄,各温度下衍射峰强度均微弱,但呈(110)择优取向,随温度的升高峰强度逐渐增加,也出现其他晶向的衍射峰.扫描电镜和原子力显微镜表明,改善的BST薄膜表面形貌光滑致密、无裂纹、无缩孔,随温度的升高薄膜晶化增强、晶粒逐渐长大、粗糙度增加.40 V外加电压下的介电性能大幅度提高,介电调谐率大于30%,介电损耗约0.02,其中,650 ℃对应介电调谐率45.1%和介电损耗0.0187.同时,就有关结构、介电性能及退火温度的关系进行了讨论.