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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 15 毫秒

1.  C在Ni(111)表面吸附行为的密度泛函理论研究  
   董长青  安璐  杨勇平《可再生能源》,2010年第28卷第1期
   应用密度泛函理论系统地研究C在Ni(111)表面上的吸附能、吸附结构、差分电荷密度、局域态密度及Mulliken布居数,给出了覆盖度在0.167~1.0 ML内,C的吸附特性随覆盖度变化的规律。研究表明,C的稳定吸附位为三重空位(hcp,fcc),化学吸附成键的本质是C2p态和Ni3d态的耦合、杂化,使原本孤立的C原子态耦合杂化为成键态和反键态。随着覆盖度的增加,反键态电子占据增多,成键态电子减少,平均成键电子数减少,C-Ni间的相互作用减弱,吸附能降低。    

2.  Cu(111)-c(2×2)-Cl吸附结构第一性原理研究  
   赵新新  宓一鸣  陈戍  陶向明  谭明秋《上海工程技术大学学报》,2008年第22卷第2期
   密度泛函理论(DFT)总能计算研究了1/2ML覆盖度下氯原子在Cu(111)表面的吸附结构。计算结果表明:在Cu(111)-c(2×2)-Cl吸附结构中两个不同的Cl原子分别吸附于Cu(111)表面的fcc谷位和hcp谷位,每个氯原子的平均吸附能为2.631eV,氯原子的平均吸附高度ZCl-Cu。为0.209nm。Cu(111)-c(2×2)-Cl表面的功函数为5.778eV。    

3.  Cu(111)-c(2×2)-Cl吸附结构第一性原理研究  
   赵新新  宓一鸣  陈戍  陶向明  谭明秋《上海工程技术大学学报》,2008年第22卷第2期
   密度泛函理论(DFT)总能计算研究了1/2ML覆盖度下氯原子在Cu(111)表面的吸附结构。计算结果表明:在Cu(111)-c(2×2)-Cl吸附结构中两个不同的Cl原子分别吸附于Cu(111)表面的fcc谷位和hcp谷位,每个氯原子的平均吸附能为2.631eV,氯原子的平均吸附高度ZCl-Cu。为0.209nm。Cu(111)-c(2×2)-Cl表面的功函数为5.778eV。    

4.  F-在γ-Al2O3(110)表面吸附的密度泛函理论研究  
   张亚楠  薛济来  庄卫东  李想  朱骏  朱鸿民《计算机与应用化学》,2015年第2期
   采用密度泛函理论广义梯度近似平面波赝势法结合周期平板模型,研究 F-离子在γ-Al2O3(110)非极性表面的吸附行为,分析了 F-离子在其表面不同吸附位以及不同覆盖度下吸附构型和电子特性。结果表明:表面配位不饱和的 Al 为 F-离子活性吸附位,F-离子在γ-Al2O3(110)表面化学吸附后形成 F-Al 键促使 F-离子活化;F-离子在 AlI I(1)桥位吸附时最稳定。随着覆盖度增加,吸附能增大,F-离子与表层原子的距离(dF--surf)缩短;同时表面吸附F-离子引起表层及次表层原子层间距发生不同程度偏移,最大幅度为10.07%。差分电荷密度与电子态密度分析指出,F-离子在γ-Al2O3(110)表面吸附主要是由F-离子2s和2p轨道与γ-Al2O3基底Al的3p轨道相互作用所致。    

5.  Cl~-在Al(100)表面吸附的密度泛函理论研究  被引次数:1
   张蓉  黄开有  张攀  陈书涵《粉末冶金材料科学与工程》,2010年第15卷第5期
   通过第一性原理的密度泛函理论,研究Cl-离子在Al(100)表面的吸附行为,获得了不同覆盖度下Cl-离子在Al(100)表面吸附后的能量、结构参数和电子特性。计算结果表明,Cl-离子在Al(100)表面的顶位(T)和桥位(B)的吸附较稳定,而洞位(H)是能量上最不稳定的吸附位,吸附能随着覆盖度的增大而减小。同时,表面吸附Cl-离子,还引起靠近表面的多层Al原子发生不同程度的收缩;随着覆盖度的增加,被吸附的Cl-离子之间的距离变短,使得它们之间的静电排斥和静电能增大,并导致表面吸附能和吸附的Cl-离子与最外层Al原子间的垂直距离逐渐减小。通过对清洁的Al(100)表面及Cl-离子在不同位置的吸附表面的态密度分析,得到如下结论:Cl-离子在Al(100)表面的吸附主要是由于Cl-的2s和2p轨道与基底金属的3p轨道相互作用的结果。    

6.  水冷壁镍涂层Na盐结渣的密度泛函理论研究  
   江健  杜梅芳  李明强  周磊  乌晓江  张忠孝《材料导报》,2014年第10期
   通过第一性原理(First principles)的密度泛函理论,利用Material studio的CASTEP模块,计算了不同覆盖度下Na盐在NiO涂层表面不同吸附位的吸附结构、吸附能、差分电荷密度及局域态密度,从原子层面研究通过铁基材料表面Ni涂层减轻结渣的机理。由表面吸附的分析可知,Na在涂层NiO(111)面的吸附稳定位为洞位;由差分电荷密度分析可知,涂层水冷壁表面发生的煤灰粘结过程主要是物理吸附过程;由洞位局域态密度分析可知,计算模型越接近实际模型,Na3s轨道和Ni3d轨道反键态电子越多,成键态电子越少,平均成键电子数越少,Na与Ni之间的相互作用越弱,导致吸附能数值减小,从而说明通过Ni涂层技术可以大大减轻Na盐结渣。    

7.  用密度泛函理论研究粒子在Cu(110)表面的吸附行为  
   陈双扣  朱建芳  郭莉萍  何柏  梁华民  罗光《计算机与应用化学》,2011年第28卷第2期
   采用量子力学的密度泛函理论计算电路板生产图形电镀后Cu(110)的表面和吸附了Cu~(2+)、Sn~(2+)与Pb~(2+)及其相应原子的Cu(110)c(2×1)表面的原子结构,得各种参数。再计算上述离子或原子在Cu(110)表面的穴位位置吸附后的吸附能量,并求出吸附后各吸附体系的轨道布居数和态密度分析。结果表明:比吸附原子,3种离子的吸附能都较低,易吸附在Cu(110)表面,都是电路板中引起电迁移的主要因素。同时态密度计算表明:在Cu(110)c(2X1)表面的吸附结构下,吸附的Cu~(2+)和金属衬底之间的结合,是由于最表层Cu价电子和Cu~(2+)的3p态电子的相互作用;吸附的Pb~(2+)和金属衬底之间的结合,是由于最表层Cu价电子和Pb~(2+)的5p态电子的相互作用。    

8.  密度泛函理论研究NO在CuO(1 1 1)的表面吸附  
   杨秀荣  张驰  高红旭  赵凤起  牛诗尧  马海霞《火炸药学报》,2019年第2期
   为了深入研究纳米CuO与含能材料分解产生的NO间的相互作用,采用密度泛函理论研究了NO在CuO(1 1 1)表面的吸附行为,同时在NO吸附的最稳定位点研究NO_2在Cu表面的吸附及其对NO的影响;通过DMol~3模块中广义梯度密度泛函理论(GGA)的Perdew-Burke-Ernzerh (PBE)方法对吸附构型进行了计算。结果表明,NO以分子形式吸附在CuO(1 1 1)表面,较为稳定的吸附构型为NO的N原子与CuO表面的Cu、O原子相互作用,均为化学吸附;最稳定的吸附构型为NO吸附在Cu1位点上,吸附能为-0.89eV;HOMO-LUMO轨道能隙值和态密度图分析均表明NO和CuO表面有强烈相互作用;Mulliken电荷布局分析显示,电荷从NO转移到Cu表面,NO带部分正电荷;在含能材料分解过程中,NO气体稳定吸附在CuO表面,但当存在NO_2时,NO的吸附位点可能会被吸附能力更强的NO_2占据。    

9.  H原子在γ-U(100)表面吸附与扩散的密度泛函研究  
   曹坤  廖俊生  李赣《原子能科学技术》,2012年第46卷第8期
   采用密度泛函理论方法研究了H原子在γ-U(100)表面的吸附和扩散。结果表明:H原子在γ-U(100)表面的最佳吸附位依次为穴位、桥位和顶位,吸附能分别为2.696、2.597和2.017eV;H原子在γ-U中的最佳间隙位为四面体间隙,其次是八面体间隙,吸附能分别为1.534eV和0.991eV;H原子在铀表面以及近表面层的不同吸附位之间的扩散需克服不同的势垒,相比于间隙位,H原子更倾向于在γ-U(100)表面吸附聚集。    

10.  HCN在Ni(111),Ni(100)和Ni(110)面吸附的密度泛函理论研究  
   辛振东  李巧玲  任君  贾秀梅《中北大学学报(自然科学版)》,2012年第6期
   针对乙腈加氢反应机理的研究,采用密度泛函方法计算了HCN在Ni(111),Ni(100)和Ni(110)表面上的吸附,并在1/4覆盖度的基础上讨论了表面吸附结构及吸附能.结果表明:在Ni(111)面,最稳定的吸附构型为HCN分子中C-N键,几乎平行吸附在表面上,其吸附结构为f-η3(N)-h-η3(C),吸附能为1.369eV.在Ni(100)上,最优吸附构型为HCN吸附在表面上的fcc位,其中C-N键与4个相邻的Ni原子成键,吸附能为1.932eV.在Ni(110)上,HCN吸附构型与其它两个表面相类似,位于两个long-bridge位,其吸附能为1.780eV.同时,也通过电子电荷及态密度分析了HCN在Ni(111),Ni(100)和Ni(110)表面上的成键机理,表明吸附的HCN在表面上已重新杂化,形成了非线性弯曲的吸附结构,这更有利于加氢反应的发生.    

11.  Pd掺杂ZnO(0001)表面的气敏机理  
   邓 霄  程 鹏  张 琳《微纳电子技术》,2014年第4期
   利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理研究了O原子与Pd掺杂前后ZnO(0001)表面的相互作用机理。通过对模型表面六个高对称位吸附能的计算,发现O原子最有可能吸附于Pd掺杂表面的间隙位。从表面的态密度(density of states,DOS)及分波态密度(partial density of states,PDOS)分析结果可以看出,掺杂体系中费米能级附近出现的杂化峰是由O原子的p轨道电子和Pd原子的d轨道电子杂化引起的。掺杂表面的差分电荷密度反映出O原子与Pd原子之间存在大量电荷转移,说明掺入催化剂Pd有助于提高ZnO材料的气敏性能。最后,通过对挥发性有机化合物(VOC)气体的气敏测试验证了理论计算的结论。    

12.  茂金属化合物Cp2ZrCl2与硅胶表面相互作用分子模拟  被引次数:2
   郝小明  周涵  刘伟  代振宇  景振华  汪燮卿《计算机与应用化学》,2006年第23卷第5期
   利用分子力学、分子动力学和基于密度泛函理论的量子力学从头计算方法对茂金属化合物Cp_2ZrCl_2与含有不同基团的硅胶表面之间的相互作用进行了研究,发现茂金属化合物Cp_2ZrCl_2在双羟基表面的物理吸附最强,在单羟基表面的吸附强度次之,在硅氧烷基表面的吸附最弱。Cp_2ZrCl_2在双羟基作用下,中心金属原子与茂环之间的距离增加,导致茂环脱落,这是茂金属化合物直接负载到硅胶表面后活性较低的主要原因。    

13.  SrO分子在GaN(0001)表面吸附的密度泛函理论研究  
   黄平  梁晓琴  杨春《功能材料》,2014年第20期
   建立了SrO/GaN(0001)2×2表面吸附模型,采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法对SrO分子的吸附生长进行了计算,详细研究了SrO分子在表面的吸附位置、吸附能及表面化学键特性。计算发现,SrO分子在GaN(0001)表面吸附不会发生分解,最稳定吸附位为Ga桥位,吸附能达到7.257~7.264 eV。通过电荷布居数和态密度分析,SrO分子吸附后O与表面的一个Ga原子形成的化学键表现出共价键特征,电子由SrO转移给表面部分Ga原子,GaN(0001)仍存在表面态。    

14.  MgO(111)弛豫表面氢的吸附问题研究  
   吴广新  张捷宇  吴永全  李谦  周国治《包头钢铁学院学报》,2008年第27卷第1期
   针对氢在MgO(111)表面的吸附问题,结合基于密度泛函理论的第一性原理方法,对氢在MgO(111)表面的势能面和4种可能吸附位置及2种不同吸附方式的能量进行了计算,并对吸附H原子过程中的电荷转移情况进行了研究.研究表明,H2分子在MgO(111)表面垂直吸附时均为物理吸附,最优吸附位置为fcc,而平行吸附时均为化学吸附;H原子在Mgo(111)表面的hcp和on-top吸附位置处的吸附能相差不超过0.1 eV;电荷密度计算观察到吸附H原子后,与H原子最近邻的Mg原子表面发生了电荷转移.    

15.  纳米非晶碳膜表面氢吸附对其场致电子发射特性的影响  
   鲁占灵  王昶清  贾瑜  姚宁  张兵临《真空电子技术》,2006年第1期
   采用微波等离子体化学气相沉积系统在陶瓷衬底上制备了具有sp^2键价结构的纳米非晶碳膜。用Raman谱、XPS谱、SEM和XRD等手段分析了薄膜结构。样品经过多次场发射测试后I—U曲线趋于稳定,然后用氢等离子体处理使碳膜表面重新吸附氢。可以发现氢吸附后场发射电流增加,相应的F—N直线的斜率减小。根据F—N理论,F—N直线的斜率正比于Ф^(3/2)β,其中Ф是表面功函数,β是取决于形貌的场增强因子,由SEM观察可知氢吸附后样品的形貌没有变化,F—N直线的斜率减小意味着功函数的降低,即氢吸附可降低sp^2碳膜表面的功函数从而提高了场发射电流。为了验证以上推论,采用密度泛函理论计算了氢原子和氢离子吸附对sp^2碳表面功函数的影响。作为近似,用石墨(0001)面来代表sp^2非晶碳,计算了氢原子和氢离子在石墨(0001)表面不同的位置以1/2覆盖度化学吸附后石墨(0001)表面的真空能级、费米能级和表面功函数。计算结果显示氢原子和氢离子吸附后石墨(0001)表面的功函数可降低0.6和2.5eV左右。这和从实验中得到的结论基本一致。    

16.  纳米非晶碳膜表面氢吸附对其场致电子发射特性的影响  
   鲁占灵  王昶清  贾瑜  姚宁  张兵临《真空电子技术》,2006年第1期
   采用微波等离子体化学气相沉积系统在陶瓷衬底上制备了具有sp^2键价结构的纳米非晶碳膜。用Raman谱、XPS谱、SEM和XRD等手段分析了薄膜结构。样品经过多次场发射测试后I—U曲线趋于稳定,然后用氢等离子体处理使碳膜表面重新吸附氢。可以发现氢吸附后场发射电流增加,相应的F—N直线的斜率减小。根据F—N理论,F—N直线的斜率正比于Ф^(3/2)β,其中Ф是表面功函数,β是取决于形貌的场增强因子,由SEM观察可知氢吸附后样品的形貌没有变化,F—N直线的斜率减小意味着功函数的降低,即氢吸附可降低sp^2碳膜表面的功函数从而提高了场发射电流。为了验证以上推论,采用密度泛函理论计算了氢原子和氢离子吸附对sp^2碳表面功函数的影响。作为近似,用石墨(0001)面来代表sp^2非晶碳,计算了氢原子和氢离子在石墨(0001)表面不同的位置以1/2覆盖度化学吸附后石墨(0001)表面的真空能级、费米能级和表面功函数。计算结果显示氢原子和氢离子吸附后石墨(0001)表面的功函数可降低0.6和2.5eV左右。这和从实验中得到的结论基本一致。    

17.  O2在NiTi合金(100)表面吸附的理论研究  
   刘新  孟长功  刘长厚《金属学报》,2006年第42卷第4期
   采用密度泛函方法应用赝势基组对NiTi合金(100)表面的电子结构以及氧分子(O2)的吸附和解离过程进行了系统研究.结果表明,Ti原子裸露表面比Ni原子裸露表面反应活性高,02吸附为活化解离吸附,顶位吸附结构最不稳定,易向桥位或洞位吸附转化,桥位吸附对应的吸附结构最为稳定.态密度分析和结构分析表明,氧原子与表面的相互作用主要是由氧原子价轨道和NiTi合金杂化表面轨道贡献.    

18.  氧原子在δ-Pu(111)表面的吸附结构和电子态  被引次数:1
   魏洪源  宋宏涛  熊晓玲  王关全  胡睿  罗顺忠《计算机与应用化学》,2009年第26卷第7期
   采用周期性密度泛函理论研究氧原子在δ-Pu(111)表面的吸附行为,方法为广义梯度近似(GGA),考虑了自旋极化和自旋限制不同情况.结果表明O在δ-Pu(111)面的吸附属于较强的化学作用,吸附稳定性为心式1≈心式2>桥式>顶位.2种心式位的吸附能和平衡结构几乎没有差别,化学吸附能为-6.153 eV(自旋极化)和-7.454 eV(自旋限制),O都距离表面0.131 nm.与O配位的Pu原子数目是决定化学吸附过程的主要因素,配位的数目越多,化学成键越稳定.Mulliken电荷布局分析表明,Pu和O的作用主要发生在第1层,另外2层没有影响.O原子的吸附使钚金属表面功涵增加.O的吸附为较强的离子键作用,电子相互作用主要为O2p与Pu5f、Pu7s、Pu6d杂化轨道相互作用.    

19.  δ-Pu(111)表面CO吸附位的第一原理研究  
   熊晓玲  魏洪源  胡睿  王关全  罗顺忠《计算机与应用化学》,2010年第27卷第3期
   采用密度泛函理论(DFT)结合周期模型方法研究了CO分子在δ-Pu(111)面的吸附行为。计算结果表明,CO/Pu(111)最稳定的吸附方式为C端hcp心式垂直吸附,其吸附能为-1.764 eV(自旋极化)和-1.791(无自旋极化)。fcc心式垂直吸附为次稳定吸附态,吸附能与hcp心式垂直吸附相差很小。CO与Pu配位数目是决定化学吸附的主要因素,配位的Pu原子数目越多,化学成键越稳定,两者间的相互作用主要源于CO分子杂化轨道和Pu原子杂化轨道的贡献。在较低温度下CO在Pu(111)表面倾向于以分子态吸附。    

20.  O2分子在Al(110)表面选择吸附性的对比研究  
   陈 倩  炎正馨  闫东芝  龚 安  廖 谦  王永胜《材料导报》,2015年第29卷第16期
   采用密度泛函理论中广义梯度近似(GGA)计算方法对比分析了 O2分子在 Al(110)面3个不同吸附位(顶位、桥位和穴位)的吸附性质,通过吸附能的比较,桥位的吸附能高于顶位和穴位,是最佳的吸附位。吸附质的态密度、吸附物 O2分子轨道电荷分布的变化以及金属表面原子轨道电荷分布的变化揭示了吸附过程中电荷的转移趋势。计算结果表明,通过分析吸附质的原子轨道电荷分布和电子态密度,发现 O2在 Al(110)表面吸附的过程中,主要是 O 原子的2P 轨道和 Al 的3S 轨道的电子相互作用,并展示出较强的化学吸附。    

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