首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
工业 Al—Zn—Mg—Cu 合金包括7075、7076、7178和7079。应用最广泛的是7075,它含有5.6%Zn、2.5%Mg、1.6%Cu 和0.25%Cr。研究7075合金的析出表明,主要强化相可能是 Mg_2Zn,然而也发现有少量的Al_2CuMg 和 CuAl_2相。7076、7178和7079合金的析出尚不一致,但希望能与7075合金一样,虽然对平衡状态的研究表明在7079合金中也可能形成 Al_2MgZn_3化合  相似文献   

2.
3.
快速凝固Al—Fe—Cu—V—Si—Ni—Ce—Zr合金的组织   总被引:1,自引:0,他引:1  
以Al-Cu-Fe和Al-Fe-V-Si两个全金系为基础,对合金成分进行了优化设计,组成了Al-Fe-Cu-V-Si-Ni-Ce-Zr合金。对超音速气体雾化凝固的上述合金粉末进行的研究表明,新的合金中同时形成原来两个合金系中的析出相;在〈61μm的粉末中,没有发现第三种析出相。热分解试验和400℃热处理试样的X射线衍射结果,证明该合金中的析出相在400℃以下具有相当好的稳定性。  相似文献   

4.
Sm—Fe—Co—Ga—N粘结永磁用含0aZ不同的SmZFe;,X*山…一0刀1刀***,1对原料,在真空高频炉中熔炼,铸锭在氮气氛中经1050tx12h处理后,粉碎成30Pm左右的粉末,再于4.gMPa高纯氮气中经475~opoCXI~4h氨化处理...  相似文献   

5.
用固态反应技术制备了几种成份的Bi系样品,研究了成份及烧结制度对Bi系氧化物超导转变温度的影响。在所研究的成份范围内,所有样品都出现超导转变。较高温度、较长时间烧结,有利于高Tc相的生成。用少量Pb替代Bi,使Bi系超导特性明显改善,零电阻温度提高到108K。  相似文献   

6.
随着信息设备驱动装置向小型、节能化的发展 ,正期待着高性能Nd Fe B系各向异性磁体的开发。众所周知粘结永磁体较烧结永磁体密度小 ,磁性差 ,但可制成厚度薄的环形制品。采用各向异性磁粉可使磁体(BH) m 提高 4倍。这种粉可采用HDDR(吸氢 -歧化 -脱氢 -再复合 )方  相似文献   

7.
从宏观和微观断口分析,认为铸钢件呈特大晶粒尺寸的沿原奥氏体晶界断裂的断口应当称之为类石状断口。这种过热效应归烟于浇注温度过高或浇注后的冷却速度过缓,使粗大奥氏体晶粒间界析出大量片状硫化锰,尽可能降低浇注温度,加快浇注后的冷却速率,尽可能减小铸钢件尺寸,可能避免这种过热效应,讨论了采用多重热处理有可能减轻已发生过热的铸钢件的过热效应。  相似文献   

8.
我厂生产的ZQSn—3—7—5—1海水泵体,采用砂型铸造,往往由于疏松、针孔等缺陷,在机加工后水压试验时发生局部渗漏现象。为了挽救因此而造成的废品,我们试验应用了镀—渗锡堵漏工艺,使其承压能力达8 kg/cm~2(水温80℃)而不渗漏。镀—渗工艺如下: 1.镀锡—镀液配比见表1。海水泵作阴  相似文献   

9.
本文主要分析时效温度和时效时间对合金组织和性能的影响;通过研究不同时效条件下电极化曲线图特征,研究了自然时效、峰时效、欠时效、过时效态的Al-Zn-Mg-Mn-Sc-Zr合金的腐蚀形貌及合金的晶间腐蚀敏感性和剥蚀敏感性,分析了合金腐蚀敏感性差异的原因,研究表明,随着时效时间的延长,Al—Zn—Mg—Mn—Sc—Zr合金内部显微组织发生变化,合金晶间腐蚀性能随组织变化,合金的晶间腐蚀敏感性的顺序为:自然时效〉欠时效〉峰时效〉过时效。Al—Zn—Mg-Mn—Sc—Zr合金的剥蚀敏感性与其晶间腐蚀敏感性基本一致,随时效时间的延长,剥蚀性能逐渐提高。极化曲线表明:随时效时间的延长,该合金的腐蚀倾向减小,抗腐蚀性能逐渐提高;峰时效态与过时效态合金的腐蚀敏感性差异不大,但欠时效态合金抗腐蚀性能明显比自然时效态合金有所提高。  相似文献   

10.
Ti-7.5Al-11Zr-1Nb-0.5Mo-0.1Si(BT18)合金是前苏联航空材料研究院(B11AM)于1963年研制成功的一种耐热铁合金,可用于制造500℃~600℃长时工作(6cob以下)的零件.T一65AI-2.SSn-4Zr-1Nb-O.7M0-0.15St田T18p合金是BT18的改型合金.与BT18合金相比,BT18Y的川、Zr含量降低,并以元素Sn进行补充合金化.BT18Y合金被推荐用于BT18铁合金相同的工作条件.由于BTISY合金通过用部分锡代替结并降低其铝错含量,虽然使其在工作温度下的瞬时强度有所降低,但有更好的热稳定性、抗闭变性能和冲击韧性等.BTIS…  相似文献   

11.
12.
Cu—Ce—O,Cu—Ce—S,Cu—Ce—O—S溶液体系热力学及其沉淀图   总被引:2,自引:0,他引:2  
杜挺  李国栋 《金属学报》1993,29(7):78-84
本文采用铜液与反应产物直接平衡法,并用固体电解质氧浓差电池和低温无水电解分离反应产物等技术,在1200℃研究了Cu—Ce-O,Cu—Ce-S,Cu—Ce-O—S溶液体系热力学得到了铜液中铈的脱氧、脱硫,脱硫氧常数和平衡产物Ce_2O_3,CeS,Ce_2O_2S的Gibbs标准生成自由能,Ce与S的活度相互作用系数以及Ce的标准溶解自由能和自作用系数与温度的关系式绘制了铜液中[Ce]-[S]-[O]平面沉淀图,确定了铜液中Ce_2O_3,CeS,Ce_2O_2S稳定存在的热力学条件,为预测Ce的夹杂物生成的先后次序及类型提供了理论依据  相似文献   

13.
围绕给Bi系超导材料研究提供必要的信息,综述了1991年以来Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系相关系研究的最新结果。主要包括Ca-Cu-O三元系,Sr-Cu-O三元和纱,Bi2O3-CuO伪二元系,(Bi,Pb)2Sr2CuOx-CaCuO2伪二元系,Bi2O3-CaO-CuO伪三元系,Bi2O3-SrO-CaO伪三元系,Bi2O3-SrO-CuO-MO(M为Ca,Pb)伪四元系。此外,还讨论了与  相似文献   

14.
研究了添加不同量的Li对Al-Mg-Ag-Zr合金时效组织和机械性能的影响。通过时效硬度、拉伸强度和延伸率的测试,以及X射线衍射分析和TEM观察,证明在Al-Mg-Ag-Zr合金中加入Li可使合金得到显著的时效硬化和强化,但仅当Li的在1.75%时,该合金才具有优良的综合力不性能;在含Li量较低的Al-Mg-Li-Ag-Zr合金中生成T相,且T相的生成有利于该合金综合性能的提高。  相似文献   

15.
采用电弧离子镀技术在DZl25和DSM11两种镍基高温合金基材上沉积Ni—Co—Cr—Al—Y—Si—B涂层,研究了高温合金基材及其Ni—Co—Cr—Al—Y— Si—B涂层在900℃的75%Na2SO4 25%K2SO4熔盐中的热腐蚀行为.结果表明,Ni—Co—Cr—Al—Y—Si—B涂层在热腐蚀过程中生成了连续致密的α—Al2O3氧化膜,有效地保护了合金基材免受腐蚀破坏,合金基材的热腐蚀性能对体系后期的热腐蚀行为影响很大.  相似文献   

16.
介绍了AlCuBiPb合金圆棒的生产工艺及T3、T8状态下机械性能,得到了T3状态下合金强度与变形程度之间的定量关系。  相似文献   

17.
Fe—W—Co和Fe—W—Co—Ni合金的时效硬化   总被引:4,自引:0,他引:4  
《金属热处理学报》1998,19(3):51-55
  相似文献   

18.
NL—Ni—Co—Mn—Al合金吸氢动力学   总被引:5,自引:0,他引:5  
林勤  李蓉  叶文  陈宁  刘人敏 《金属学报》1996,32(6):624-628
应用特制双层水恒温反应器和动力学机理函数计算机拟合的方法,在303—343K温度范围内研究了ML—Ni—Co—Mn—Al五元系和ML—Ni—Co—Mn—Al—Cu六元系(ML为富镧混合稀土金属)在α+β相区恒温吸氢动力学.研究结果表明,五元系贮氢合金吸氢初期受化学反应控速,后期受氢在合金氢化物中的扩散控速,动力学规律不受氢初压的影响.由于Cu的加入,六元系贮氢合金吸氢机制初期转变为β相形核长大控速,后期仍为氢在合金氢化物中的扩散控速.  相似文献   

19.
《金属热处理》编辑部:我在北京石油机械厂从事材料热处理技术工作。贵刊已成为我的良师益友,对我担负的专业工作帮助极大。十几年来贵刊一直是我必读的重要刊物。从去年起,我便个人订阅贵刊,更方便了经常阅读和利用贵刊提供的文献和信息。1993年我厂承接了一批美国定购的井下较孔器零件的制造任务。其中有一种叫割刀的零件,每件重40kg。渗碳淬火件通常内孔热处理后发生缩孔,而这种零件热处理后孔径却胀大并超出了公差范围。若重新投料既费钱也来不及,我想到能否在《金属热处理》中获得启发。经一番查找果然在1984年第二期的“孔径胀…  相似文献   

20.
董寅生  沈军 《铸造》1999,(12):8-11
对气体雾化快速凝固AlFeCuVSiNiCeZr 铝合金不同尺寸粉末的组织和显微硬度进行了研究, 在细粉末中有球状弥散相形成, 基体无明显的组织特征, 随着粉末尺寸的增大, 组织从显微胞晶转变到片状共晶组织, 在> 97 ~125μm 的粉末中有大量针状平衡相形成。测定了不同尺寸粉末的显微硬度, 并对粉末的组织和硬度之间的关系进行了研究, 粉末的显微硬度主要受三种强化机制的影响, 不同尺寸的粉末, 起主要作用的强化机制不同。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号