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1.
利用溶胶凝胶工艺在Pt电极上沉积了PZT薄膜,选用传统退火及其快速退火工艺制备两种Pt基底(CTA-Pt和RTA-Pt),并采用X射线衍射广角及其ù扫描技术分别研究了Pt电极退火工艺对溶胶凝胶PZT结构及其织构演化的影响.研究结果显示:在传统退火工艺制备Pt电极上沉积的薄膜为(111)择优取向,而在快速退火工艺制备Pt电极上沉积的薄膜表现为(100)织构;分析表明PZT薄膜的织构演化可能与Pt电极在不同退火工艺下的内应力差异有关. 相似文献
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以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜.研究了氧气流量及沉积温度对Ir/C簇膜成分和结构的影响.研究发现,少量氧气的加入(4mL/min)大幅度地降低了Ir/C簇膜中碳元素的含量;沉积温度对薄膜中碳含量的影响规律则比较复杂:未通氧气的情况下,在实验温度范围内碳含量随着温度的升高而增大,而在通入氧气的情况下碳含量呈现出先升后降的复杂变化趋势.大量碳的沉积宽化了Ir的衍射峰,使其具有非晶衍射的特征.当沉积温度为650℃,未通氧气沉积的Ir/C簇膜中铱晶粒粒经约为3nm. 相似文献
3.
碳载Pd-Co-Au合金纳米粒子的制备及其电催化性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用乙二醇还原法并进一步热处理制备碳载Pd-Co-Au(Pd-Co-Au/C)三元合金纳米电催化剂,通过旋转圆盘和环盘电极等技术评价催化剂对氧气还原反应的电催化活性,并分析氧气还原的机理.结果表明:合成Pd-Co-Au/C催化剂中Pd和Au两相面心立方(fcc)结构共存,且随着热处理温度的提高,对应于Au的衍射峰强度减弱,而Pd衍射峰强度增强:当温度高于800℃时,形成具有Pd单相fcc结构的三元合金纳米催化剂.氧气还原反应的动力学表明:氧气在Pd-Co-Au/C三元合金催化剂上按4e路径还原为水.电化学表征表明,在酸性介质中,经800℃热处理的Pd7Co<<2>Au1/C催化剂对氧气还原的电催化活性最高,接近于商业化Pt/C的性能;而在含甲醇的酸性介质中,Pd-Co-Au/C催化剂电催化氧气还原的活性显著高于Pt/C.因此,Pd-Co-Au/C是一种高抗甲醇的新型氧气还原反应电催化剂. 相似文献
4.
(Pb,La)TiO3/LaNiO3异质结薄膜的漏电流特征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28 mol%,简称PLT)薄膜.经过600℃快速退火.从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜.薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/INO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制.这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故. 相似文献
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以N2、O2作载气,采用催化增强化学气相沉积(CECVO)法,于250~300℃和减压/常压下制得沉积于聚酰亚胺(PI)上的Pt,Pd/Pt和Pt/Pd金属双层薄膜.当使用Pd(hfac)2和Pt(COD)Me2为前驱体,在同一反应器内共沉积时只有Pt被沉积(钯配合物起催化剂作用),金属铂、钯顺序沉积可形成双层膜.经XPS和SEM分析了所得沉积膜的表面结构与相组成.结果表明:所有沉积层与PI衬底的粘附性能良好;沉积速率为70~80nm/h,钯、铂粒径分别为100nm和100~150nm. 相似文献
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9.
采用大气等离子喷涂(APS)在高温合金表面制备一层Ni Co Cr Al Y粘结层,然后采用阴极等离子电解沉积(CPED)制备一层弥散Pt微粒的8YSZ涂层。通过在电解液中加入陶瓷微珠,促使阴极表面发生均匀的等离子微弧放电,实现了在大面积样品上沉积8YSZ涂层。获得的涂层厚度到达120μm,具有多孔结构,由立方相和四方相8YSZ以及Pt组成。1100℃空气中循环氧化的结果表明,随着涂层中Pt含量的的增加,涂层的抗高温氧化和抗剥落性能得到明显提高。Pt微粒对8YSZ涂层的增韧作用主要为:Pt微粒塑性变形吸收裂纹扩展的能量,钝化裂纹尖端,减小裂纹尺寸,提高涂层的临界断裂应力。 相似文献
10.
离子束溅射制备Pt及Pt合金催化电极材料的电化学活性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
Pt(Pt合金)/C催化电极是燃料电池及电解法制氢的关键部件,提高Pt(Pt合金)/C电极的催化活性一直是研究的热点。本文采用离子束溅射技术(IBS),以石墨纤维布为基底,制备了Pt/C、PtRu/C、PtTi/C和PtNi/C催化电极材料。在2电极电解槽中测试了电极的电化学活性。结果表明,PtRu/C电极比纯铂及其它合金电极具有更好的催化活性。用于间接电解H2S制备H2中试,反应温度从20℃提高到30℃时,电流密度增加约80%;连续运转52lh,电流下降仅2.8%。 相似文献