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对ZrB2-Sic(ZS)材料和碳短纤维,ZrB2-SiC(ZSC)材料的断裂韧性、室温至900℃弯曲强度进行了测试和研究。结果表明:短纤维的加入可以显著提高材料的断裂韧性、从4.25MPa.m^1/2提高到6.56MPa.m^1/2,纤维拔出和脱粘以及裂纹的桥接和偏转是材料断裂韧性提高的原因;ZS和ZSC材料弯曲强度从室温到900℃经历了不同的过程,但都是两种因素共同作用的结果,即温度升高,晶界软化所带来的对裂纹的愈合作用与温度升高所带来的界面结合强度下降的作用。 相似文献
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选用AIN作烧结助剂,采用热压烧结技术制备了ZrB2+20%SiC+η%AIN陶瓷基复合材料。利用SEM等手段对其组织进行了分析,并对其力学性能和高温烧蚀性能进行了分析测试。 相似文献
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对ZrB2-SiC(ZS)材料和碳短纤维/ZrB2-SiC(ZSC)材料的断裂韧性、室温至900℃弯曲强度进行了测试和研究.结果表明:短纤维的加入可以显著提高材料的断裂韧性、从4.25 MPa·m1/2提高到6.56 MPa·m1/2,纤维拔出和脱粘以及裂纹的桥接和偏转是材料断裂韧性提高的原因;ZS和ZSC材料弯曲强度从室温到900℃经历了不同的过程,但都是两种因素共同作用的结果,即温度升高,晶界软化所带来的对裂纹的愈合作用与温度升高所带来的界面结合强度下降的作用. 相似文献
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选用AIN作烧结助剂,采用热压烧结技术制备了ZrB2+20%SiC+η%AIN陶瓷基复合材料.利用SEM等手段对其组织进行了分析,并对其力学性能和高温烧蚀性能进行了分析测试. 相似文献
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以国产连续SiC纤维和聚碳硅烷(PCS)为原料,采用先驱体转化法(PIP)制备了系列SiC_f/SiC陶瓷基复合材料(SiC_f/SiC-CMC).采用激光导热仪、扫描电镜(SEM)等分析手段初步研究了热处理温度、纤维铺排方式、碳涂层、纤维体积含量、孔隙率等因素对SiC_f/SiC-CMC结构和导热性能的影响.结果表明:热处理温度越高,SiC_f/SiC-CMC导热性能越好;纤维铺排方式对于导热性影响不大,而与热流传递的方向有关.增加纤维体积含量可以提高复合材料的导热性能,但碳涂层引入后SiC_f/SiC-CMC导热性能明显降低.应尽量提高SiC_f/SiC-CMC的致密化程度,以提高其导热性能. 相似文献
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利用纯铝和NaOH制备陶瓷基复合材料的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
运用DIMOX工艺,利用纯A1和NaOH制备了AI2O3/A1陶瓷基得合材料,进行了SEM,TEM热重分析,定量金相等观察和测试,并分析了材料的生产机制。结果表明,纯A、+NaOH制备的复合材料比由Al-Mg-Si合金制备的Al2O3/Al复合材料组织理致密,力学性能更高,生产速度更快。 相似文献
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液态机械搅拌法制备陶瓷颗粒增强铝基复合材料 总被引:9,自引:0,他引:9
对陶瓷颗粒进行预处理之后,在非真空感应炉中,利用预制件法,无旋涡机械搅拌法和半固态机械搅拌法制备了颗粒增强铝基复合材料,结果表明,3种方法都能成功的解决颗粒与基体金属之间润湿性差的难题,但是预制件法制备的复合材料的颗粒体积分数有限,无旋涡机械搅拌法的制备温度高,故这两种方法均不适合制备体积分数高(大于20%),颗粒尺寸小的复合料,而利用半固态机械搅拌法,能够将颗粒尺寸为3.5μm,体积分数为40%的SiC颗粒加入到金属Al中,但是当颗粒体积分数大于30%时,机械搅拌方式不能将颗粒均匀地分散在基体金属中。 相似文献
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ZrB_2-SiC陶瓷基复合材料抗氧化性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
将C纤维增强不同成分配比的ZrB_2-SiC复相陶瓷在1400 ℃下进行静态抗氧化实验,研究了成分配比及氧化时间对材料氧化过程的影响.通过分析氧化后材料的氧化增重率、氧化试样的背散射电子照片,研究氧化过程中ZrB_2-SiC陶瓷微观结构的变化,在此基础上探讨该温度下材料氧化的微观机制.结果表明,氧化初期形成的玻璃相在试样表面形成了一层有效的保护层,这层氧化膜保护层使得该复相陶瓷的氧化机制由反应控制向扩散控制转变,并阻止了材料内部被进一步氧化,且随氧化时间的延长这种保护作用更为明显. 相似文献
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PreparationofAluminumMatrixCompositebyPresurelesInfiltrationProcesLiChongjun,MaBoxinandWangKangli(李崇俊)(马伯信)(王抗利)The43rdResear... 相似文献
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纤维强化陶瓷复合材料的电火花加工 总被引:1,自引:0,他引:1
陶瓷基复合材料密度低,在高温下仍保持高强度,被认为是下一代先进的航空航天材料,但对其加工却十分困难。采用电火花方法加工一种连续陶瓷纤维强化陶瓷基复合材料,并比较排屑条件对加工性能的影响。为深入研究加工工艺,使用正交试验研究了极间电压、峰值电流、脉宽和占空比等工艺参数对材料去除率的影响,同时进行了方差分析。通过分析预测了最优加工条件,并通过试验进行验证。结果表明:采用电介质深冲的电火花加工可促进排屑,材料去除率提高了约80%;采用高极间电压和小占空比可显著提高加工效率。试验还发现这类复合材料电火花的主要去除方式是基体材料热扩散导致的裂纹和绝缘纤维的断裂。 相似文献
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在泡沫铝材中复合硬度很高的ZrO2陶瓷球可以起到增强泡沫铝的作用。本文采用盐粒与陶瓷球复合预制体及渗流成型工艺,通过改进模具和优化工艺参数,成功制备了ZrO2陶瓷球增强泡沫铝复合材料试样。试验结果表明,在实验室条件下,当浇注温度为805℃~815℃(纯铝)、760℃~770℃(铝硅),模具和填料预热温度为600℃~610℃(纯铝)、560℃~570℃(铝硅)时,可以获得外形尺寸为φ30×50(mm)、孔隙率为56%~75%、陶瓷球尺寸为φ1mm,陶瓷球与盐粒体积比例为1:5、2:3的试样。为泡沫复合材料的进一步开发和研究奠定了基础。 相似文献
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以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,采用先驱体浸渍裂解工艺(PIP)制备出Diamond/SiC复合材料,重点研究制备工艺参数对复合材料致密度等性能的影响规律。结果表明:PCS裂解产生的β-SiC与基体中α-SiC和Diamond的界面相容性良好,有利于Diamond/SiC的致密化;模压压力、浸渍液浓度以及预氧化处理等制备工艺参数是影响Diamond/SiC复合材料致密度的主要原因;Diamond/SiC多孔坯经7个周期的PIP处理后可成为致密度较高的Diamond/SiC复合材料。 相似文献
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以先驱体浸渍裂解(PIP)工艺制备了2DC/SiC复合材料,研究了低温裂解工艺(裂解温度低于1000℃)对2D Cf/SiC复合材料结构和性能的影响,为Cf/SiC复合材料的低温制备探索可行之路。研究表明,采用900℃裂解工艺制备的复合材料其力学性能达到或高于目前同类工艺制备的2D Cf/SiC复合材料力学性能,其弯曲强度达到329.6MPa,剪切强度32.1MPa,断裂韧性14.7MPa·m^1/2。并采用差热(TG-DTA)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)等对先驱体聚碳硅烷(PCS)及其低温裂解产物的结构和性能进行了研究。 相似文献
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无压渗透法制备颗粒增强铝基复合材料的工艺及渗透机理初探 总被引:15,自引:2,他引:13
提出一种制备颗粒增强铝基复合材料的新方法一无压渗透法。采用该法,可在空气气氛下,于800 ̄1000℃温度范围内,无需借助外加压力或真这代,也不需对增强颗粒进行预处理,可使铝或铝合金液自动地渗入颗粒填料内部,从而形成具有良好结合的复合材料。对其渗透机理进行了探讨。 相似文献