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相似文献
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1.
具有憎水性的无机/有机膜层的制备方法与研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
朱立群  金燕 《表面技术》2005,34(3):1-4,32
综述了近年来国内外关于材料表面憎水膜层的研究进展.介绍了具有憎水性能的有机膜层、无机膜层及有机-无机复合膜层的制备方法,包括溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、电化学沉积法、化学镀膜法、化学吸附法、乳液聚合、悬浮聚合等,并总结归纳了这些方法的特点及其对表面膜层憎水性能的影响.展望了在材料表面憎水膜层向耐腐蚀、耐磨、高透光等功能膜层发展的趋势,同时对自洁、憎水憎油等方向发展的膜层进行了介绍.  相似文献   

2.
阳极氧化膜形成机理探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对阳极氧化过程各部分电势的分析,利用Boltamann分布定律,得出ph值梯度的概念。根据极板表面发生的化学变化以及电化学变化,阐述氧化铝膜形成的几个过程,并据此对试验和生产中的一些现象做一些简单的解释。  相似文献   

3.
量子点膜用高阻隔膜产品是量子显示封装技术的关键产品,高阻隔膜的制备技术决定着阻隔膜产品性能特性.通过分析量子点膜用高阻隔膜产品性能指标,总结热蒸发、化学气相沉积、原子层沉积等制备柔性高阻隔薄膜的方法、原理、特点及应用,展望量子点膜用阻隔膜产品的发展前景.研究表明,量子点膜用高阻隔薄膜制备工艺趋向于有机/无机多层结构的超高阻隔复合薄膜,是快速、高效、批量化制备量子点膜用高阻隔封装薄膜的发展趋势.  相似文献   

4.
研究了壳聚糖-戊二醛离子交换膜的耐酸碱性、厚度、比电阻、阴离子透过率及含水率。上述性能与全氟阴离子膜AEM基本接近。同时考查了采用两种膜的电渗析法分离Cl-,F-离子,结果两种膜的渗析率也极为相似。AEM膜为已经工业化并具有应用前景的工业产品,这为壳聚糖-戊二醛膜提供了令人乐观的应用前景。  相似文献   

5.
《表面技术》2006,35(2):20-20
本发明涉及由HfSi[0.05-0.37]组成的用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材,所得到的硅化铪靶材的加工性能和耐脆化性能优良,并适合于形成可取代SiO2膜用作高介电栅绝缘膜的HfSiO膜和HfSiON膜,本发明也涉及靶材的制备方法。  相似文献   

6.
用胶体化学的方法获得PZT溶胶,利用LB技术制备PZT超细陶瓷微粒/硬脂酸复合LB膜,热处理后得到PZT超薄膜.研究了PZT超微粒/硬脂酸复合LB膜的成膜条件,有效改善复合膜和超薄膜的性能:亚相浓度为0.01 μmol·mL~(-1)可以获得与硬脂酸有效复合的稀溶胶体系,滑障速度为6~8 mm·min-1可以获得紧密的复合单分子体系,转移膜压为30~35 mN·m~(-1)和pH值为7.0可以获得较理想的转移比,提拉速度为5~9 mm·min~(-1)有利于有序多层膜的制备.工艺条件中崩溃压和单分子面积的变化反映了硬脂酸分子和超微粒的有效作用.复合LB膜及PZT 超薄膜的AFM粒径分析结果表明,吸附于硬脂酸上的PZT超微粒子的平均半径为30.508 nm,经过焙烧得到的PZT超微粒子平均半径为30.412 nm.  相似文献   

7.
8.
一种彩膜磷化剂   总被引:2,自引:1,他引:1  
唐春华 《腐蚀与防护》2004,25(8):362-363
研制了一种新的彩膜磷化剂,能较明显地提高水洗膜的耐蚀性,介绍了工艺配方及实验结果。  相似文献   

9.
铬铝复合钝化膜的XPS研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
对Fe-Cr、Fe-Al、Fe-Cr-Al和Fe-Mn-Al-Cr合金的钝化膜进行了XPS分析研究,并在0.5mol/L H_2SO_4中测定了它们的阳极极化曲线。结果表明:在上述合金的钝化膜中,均出现Cr、Al的富集,但在Fe-Cr-Al合金的钝化膜中,Cr的富集受到抑制。经计算,铬在膜中富集因子ηCr在Fe-5Cr合金为3.7,而在Fe-5Cr-3Al合金的膜中为2.2,在Fe-26Mn-3Al-6Cr合金的钝化膜中,Cr的富集未受到抑制,ηCr,为3.53,与Fe-5Cr的相当。可见,Fe-Mn-Al-Cr合金Cr、Al复合钝化膜的钝性优于同等含Cr量的Fe-Cr合金,更加优于同等Cr、Al含量的Fe-Cr-Al合金。  相似文献   

10.
采用直流反应磁控溅射法,在Si(100)基片表面沉积厚度为1000nm的二氧化钒膜。利用X射线衍射(XRD)仪和扫描电镜(SEM)分析膜的晶相和形貌,观察到二氧化钒膜的一种新的生长模式。X射线衍射分析表明生成的膜为典型的多晶二氧化钒膜,其(200)晶面衍射峰较强。扫描电镜(SEM)分析表明,随着膜厚的增加,膜表面晶粒增大,膜表面的晶粒呈现出独特的纺锤状或棒状;膜具有明显的柱状生长特征,在膜厚380nm以上时,柱状晶生长速率快速提高。样品的阻温特性分析表明,生成的二氧化钒膜具有典型的金属-半导体相变特征。  相似文献   

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