分子动力学模拟研究单个刃型位错对NiAl马氏体相变的影响

利用嵌入原子类型的势函数，通过分子动力学模拟方法研究了单个刃型位错对ＮｉＡｌ热诱发和应力诱发马氏体相变的影响，不受外力时，单个刃型位错的应变区不能诱发马氏体变核；位错在马氏体的长大过程中被继承，并可在相变的驱动下逐渐运动，拉应力作用下，３Ｒ结构的应力诱发马氏体首先在位错芯附近形核，长大过程中先形成蝶状马氏体，随后位氏多余半原子面的中部了发生了马氏体形核，刃型位错降低了应力诱发马氏体形核的激活能，并     

含La NiAl合金马氏体相变的研究

探讨了富Ｎｉ的ＮｉＡｌ合金添加一定量稀土元素Ｌａ对马氏体相变的影响。结果表明，添加０．０５￣０．１５ａｔ％Ｌａ能够抑制Ｎｉ３Ａｌ在晶界及晶内的析出，从而提高基体的Ｎｉ含量，使Ａｓ，Ａｆ，Ｍｓ，Ｍｆ明显上升；加Ｌａ后ＮｉＡｌ合金相变潜热较小，Ｎｉ６１Ａｌｘ－０．１Ｌａ合金的马氏体相变和马氏体逆相变潜热分别为０．４９Ｊ／ｇ和１．０１Ｊ／ｇ。     

NiAl合金相变伪弹性的分子动力学模拟

利用ＮｉＡｌ合金的嵌入原子势,进行了Ｂ２的结构ＮｉＡｌ单晶中相变伪弹性的分子动力学模拟,模拟过程中系统的径向分布函数和键连线原子分布图的变化表明,在外加拉应力的作用下,Ｂ２结构的奥氏体Ｌ１０结构的马氏体转变,马氏体在长大过程中发生了变体间的转化与合并,不同取向的变体之间由于自协调效应形成共格的孪晶界面,当外加拉应力释放以后,首先沿着变体的孪晶界面,马氏体逐渐收缩,随着马氏体－奥氏体界面的不断迁移,     

NiAl表面能的分子动力学计算

利用嵌入原子类型的势函数，通过分子动力学方法计算了Ｂ２结构标准化计量比ＮｉＡｌ合金的四个低指数晶面在６种温度时的表面能。计算结果表明，表面能随温度的升高呈增加趋势；最密排面的表面能最低；一些表面在高温下发生了重构或成分偏析等表面反应，用类似方法计算了ｆｃｃ结构Ｎｉ的表面能，计算结果与已知实验研究基本一致。     

应力诱发马氏体相变滞后的研究

用Landau-Devonshire自由能理论可描述形状记忆合金伪弹性行为随温度变化的规律:温度上升,滞后环位置提高,滞后面积减小;到达临界温度T_c后,滞后全部消失。可是对CuZnAl单晶系统测定结果显示:滞后环位置随温度升高而升高,但滞后面积在一定温度范围内,却基本不变。对滞后环内变化规律的研究结果指出,滞后大小取决于应力诱发马氏体量的多少,马氏体量越多,则滞后面积越大。     

马氏体在位错偶上形核长大的分子动力学模拟研究

应用分子动力学方法和ＮｉＡｌ合金的嵌入原子势,模拟研究了位错偶上马氏体形核长大的过程和微观机理。计算结果表明,马氏体形核的位置与位错应力场的分布有关 。     

高铬铸铁高温马氏体相变与摩擦诱发马氏体相变关系的研究

对三种含有Mn,Si,Mo亚共晶高铬铸铁的变温马氏体相变进行了DSC分析，并对表层的摩擦诱发马氏体做了X射线衍射分析。结果表明，变温马氏体相变前期，马氏体形核、长大阻力较大。在Ms温度相近的情况下，变温马氏体相变形核、长大速率快的，其摩擦诱发马氏体量也多。     

高铬铸铁变温马氏体相变与摩擦诱发马氏体相变关系的研究

对三种含Mn、Si、Mo亚共晶高铬铸铁的变温马氏体相变进行了DSC分析,并对表层的摩擦诱发马氏体做了X射线衍射分析。结果表明,变温马氏体相变前期,马氏体形核、长大阻力较大。在M_s温度相近的情况下,变温马氏体相变形核、长大速率快的,其摩擦诱发马氏体量也多。     

304奥氏体不锈钢热诱发马氏体相变研究

借助X射线衍射技术,研究了304奥氏体不锈钢热诱发马氏体相变倾向.结果表明:C、Mn、Cr和Ni接近标准规范下限,304不锈钢的稳定性急剧下降,致使液氮内冷却后接近1/3的奥氏体转变为α'或ε马氏体,室温拉伸即形成应变诱发ε和α'马氏体,而且较小的室温变形显著增大随后液氮内冷却的热诱发α'马氏体相变倾向,但随室温预应变增大快速形成应变诱发α'马氏体,致使随后在液氮内发生热诱发α'马氏体倾向下降.此外,研究表明ε马氏体的形成及消失与α'马氏体的累积量有关.     

Cu3Au中脱合金层产生内应力的分子动力学模拟

Cu3Au在腐蚀或应力腐蚀时表层Cu原子择优溶解形成脱合金疏松层，对具有疏松层的三维晶体（约148000个原子），用镶嵌原子方法（EAM）势进行了分子动力学模拟，结果表明，一旦出现疏松层就会产生一个拉应力，它使单端固定，单边存在疏松层的晶体发生弯曲，其挠度（或拉应力）随疏松层增厚以及空位浓度升高而升高。     

液态合金NiAl3冷却过程中的分子动力学模拟

采用反映原子间多体相互作用的F－S势模型，对液态NiAl3在不同冷却速率下的微观结构及其转变机制进行了分子动力学模拟。得到了不同温度，不同冷速下NiAl3的偶关联函数。结构分析采用键取向序和对分析技术。计算结果表明，冷却速率对液态NiAl3的结构转变有重要影响。给出了不同冷却速率下液态NiAl3结构转变和微观信息。     

铝单晶中位错交割过程的分子动力学模拟

利用EAM势对含160万个原子的Al单晶中位错的交割过程进行了分子动力学模拟。结果表明，当处在不同滑移面上的两个位错相交后，有可能产生1／3空位或1／3间隙原子，它们是晶体中的最小点缺陷，可作为相交位错的节点而单独存在，也可由1／3空位列或1／3间隙原子构成扩展割阶，不同类型的位错相交后，在运动位错的后面可留下一列空位或一列间隙原子，但也可能不留下点缺陷。     

MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF DEPOSITING LOW–ENERGY ATOM Ti ON Ti(0001) SURFACE

采用嵌入原子势, 运用分子动力学 (MD) 研究了Ti(0001) 表面低能沉积不同能量Ti原子时表面吸附、溅射和空位的变化. 低能Ti原子沉积Ti(0001) 表面过程
中, 存在一个溅射能量阈值, 其值大约为40---50 eV. 入射原子能量低于溅射阈值时, 入射原子可以认为是沉积原子; 入射原子能量大于溅射阈值时, 溅射产额随入射原子能量的增加而线性增加. 表面吸附原子和溅射原子的分布都呈现6次旋转对称, 当入射原子能量大于溅射阈值时, 表面吸附原子主要是基体表层原子, 入射原子直接成为表面吸附原子的概率很小. 空位缺陷主要分布在基体的最表层, 当入射原子能量大于溅射阈值时, 基体次表层产生的空位缺陷随入射原子能量的增加而增多.     

氯化镁熔盐的分子动力学模拟

根据包括离子间极化作用势在内的离子间势对氯化镁熔盐做了分子动力学模拟．计算出的偏径向分布函数与中子衍射结果大致符合．计算结果表明，熔体中存在微观分布不均匀的缝隙，Ｍｇ２＋周围的Ｃｌ－离子数分布在２与６之间．熔盐含有和离子．     

非晶Cu在晶化过程中的分子动力学模拟

运用分子动力学模拟的方法, 采用紧束缚势函数, 研究了非晶Cu在升温条件下的晶化行为, 分析了系统能量、体积、双体关联函数和局部结构的变化, 并结合键对分析方法计算了不同弛豫时间下典型短程有序结构的分布. 结果表明, 在非晶Cu升温的最初阶段, 原子运动未必造成短程结构的进一步规则化; 结构转变初期,首先发生1431和1541键向1421键的转变, 1421键型数量在400 K以上则基本呈现直线上升的趋势, 接近600 K时达到最大值; 此后1421键的数量随温度的上升而下降, 熔化时其数量急剧减少.