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美国太平洋西北国家实验室 (PNNL)最近开发了一种室温下具有良好磁性能的钛 钴 氧薄膜半导体材料。大多数半导体材料在室温下都会失去磁性 ,然而由PNNL的科学家们所开发的这种半导体材料却在室温下具有良好的磁性。钛 钴 氧化物是运用分子束外延生长技术合成的 ,在 相似文献
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利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn1-xCoxO1-δ进行了微观表征,证明了氧含量是决定Zn1-xCoxO1-δ薄膜微观结构和磁性能的重要因素.在缺氧环境下,薄膜由含有大量氧缺位的纤锌矿结构的Zn1-xCoxO1-δ纳米晶(直径约5 nm)和填充其间的Zn-Co-O非晶相组成,两相对薄膜宏观磁性均有贡献;在富氧的环境下,非晶Zn-Co-O相消失,出现了CoO反铁磁相,纤锌矿结构Zn1-xCoxO1-δ中的氧缺位大量减少,晶粒长大到10-20 nm,室温铁磁性逐渐减弱,直至消失. 相似文献
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利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn 1-x Co x O 1-δ 进行了微观表征.证明了氧含量是决定Zn 1-x Co x O 1-δ薄膜微观结构和磁性能的重要因素. 在缺氧环境下, 薄膜由含有大量氧缺位的纤锌矿结构的Zn 1-x Co x O 1-δ纳米晶(直径约5 nm)和填充其间的Zn-Co-O非晶相组成, 两相对薄膜宏观磁性均有贡献; 在富氧的环境下, 非晶Zn-Co-O相消失, 出现了CoO反铁磁相, 纤锌矿结构Zn 1-x Co x O 1-δ中的氧缺位大量减少, 晶粒长大到10-20 nm, 室温铁磁性逐渐减弱, 直至消失. 相似文献
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《稀有金属材料与工程》2015,(Z1)
采用传统固相反应法制备了单相的YMn_(0.8)Fe_(0.2)O_3多铁性粉体和陶瓷,并对二者的磁性能和其中磁性离子价态分布进行了研究。结果表明,预烧后的YMn_(0.8)Fe_(0.2)O)3粉体室温下具有弱铁磁性,而经高温烧结后制得陶瓷的室温弱铁磁性消失,表现为顺磁性。X射线光电子能谱分析结果表明,YMn_(0.8)Fe_(0.2)O)3粉体经高温烧结后,Fe2+离子含量降低,导致Fe~(2+)-O-Fe~(3+)铁磁交换作用减弱。此外,YMn_(0.8)Fe_(0.2)O)3陶瓷中较高的氧空位含量引起Fe~(2+)-O-Fe~(3+)+和Mn~(3+)-O-Mn~(4+)铁磁交换作用减弱,导致材料室温磁性降低。 相似文献
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稀磁半导体Zn1-xNixO的室温铁磁性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用溶胶-凝胶方法制备不同成分的Zn1?xNixO(x=0.05,0.10,0.15)稀磁半导体材料,产物由直径约70 nm的六边形颗粒组成。利用振动样品磁强计测量了样品的磁学性能,发现在室温条件下存在明显的铁磁性,且随着镍浓度的增加,样品的饱和磁化强度增加,但样品的单个镍原子的磁矩是逐渐下降的。X射线衍射分析结果表明,样品中不存在镍及镍的氧化物,且晶格常数随镍含量的增加而略有增大,并利用M—T曲线测量Zn0.9Ni0.1O居里温度为575 K左右,表明其磁性来源于稀磁半导体。 相似文献
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问:为什么拉断后的铁磁性材料试棒常带有磁性? 答:这是地磁场中铁磁性材料在定向机械应力作用下发生应变磁化的结果。 由文献[1,2]知,若铁磁性材料试棒垂直于地磁 相似文献
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日本东北大学新材料工学研究所新近开发成功一种能在铁磁性温度下发挥记忆效应的形状记忆合金。所开发的Ni Mn Ga系形状记忆合金 ,在大约 80℃以下的铁磁性温度范围内发生结晶相变而显示形状记忆效应。镍、锰、镓是没有磁性的元素 ,但它们组合在一起后便具有了成为铁磁性体的Heusler型结晶构造。发明者们利用溅射法制作了厚度约为 5μm的合金薄膜 ,此种合金薄膜当加热到 60℃左右时便会回复原来形状 ,平稳地发挥其形状记忆效应。今后将进一步研究通过添加其他合金元素和烧结工艺 ,来进一步改进这种合金的耐疲劳等性能。如果获… 相似文献
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日本的原子技术研究所的田中一宜设计师和东京大学的尾 正治教授协作共同研究开发了一种新型超巨磁阻材料———锰锑镓砷薄膜层合的不均匀构造材料。它在室温条件下使用永磁体级的磁场即可由良导体转变为绝缘体 ,在室温下显示出超过 10 0 0 0 %的超巨磁阻效应。估计这一新材料将应用于磁头和磁阻随机存取存储器等方面。磁阻效应是磁阻值随着磁场的有无和方向而发生变化的性质。已实用化的磁阻元件其磁阻效应均在 12 %以下 ,而且需要有强磁场和超低温。此次开发的超磁阻材料则可在室温和 0 5T的磁场下显示超磁阻效应。日本开发成功巨磁阻… 相似文献
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Fe Cr C系合金作为由铁磁性α相与弱磁性γ相两相共存的复合磁性材料已受到关注 ,Fe Cr C系合金通过在A3相变点以下温度下退火则可获得 (α相 Cr的碳化物 )组织而显示铁磁性 ,通过在高于A3相变点的温度下固溶热处理获得γ相组织则显示弱磁性。但是γ相处于Ms 相似文献
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AlN是一种性能优良的半导体材料,理论预测其可能具有过渡金属掺杂的室温铁磁性,因而受到广泛的重视.采用电弧放电方法,通过电弧熔炼Al、Co块体获得合金,然后使合金在放电过程中与通入的氮气直接反应,首次获得了Co掺杂AlN纳米棒.纳米棒的长度约为几个微米,直径在40~120 nm之间,并在磁性能测试中观察到了室温铁磁性.对不同区域产物的物相,化学组成和显微结构进行了分析表征. 相似文献
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