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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
抛光垫是化学机械抛光中的重要组成部分,其磨损均匀性能是影响加工后工件平面度的重要因素。本文比较了具有优化凸起图案的固结磨料抛光垫、凸起均布的固结磨料抛光垫和聚氨酯抛光垫的研磨抛光性能,结果表明:利用优化凸起图案的固结磨料抛光垫加工,可以得到更加优异且稳定的表面质量,材料去除效率远高于聚氨脂抛光垫游离磨料的加工方式。  相似文献   

2.
磨料在抛光液中主要起机械作用,磨料的理化性质,如硬度、粒径、浓度等,是影响化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)性能的重要因素,对抛光效率有较大影响。针对我国抛光液对外依赖、需求量大,但精度等指标达不到市场要求等问题,同时由于磨料在抛光液的抛光性能中起着至关重要的作用,因此寻求效果更好的改性磨料或新型磨料材料,以促进化学机械抛光技术的发展势在必行。故此,归纳汇总近年来国内外研制出的新型钢抛光液,聚焦于抛光液磨料这一重要组分中不同物质的物化性质及其作用,对抛光性能(如材料去除率、表面粗糙度和光泽度等)的影响等,分类别阐述了不同物质的优劣势、复配协同作用以及在现有抛光液中的效果,为之后抛光液配方研究中磨料的选择提供参考。归纳总结发现,混合与复合磨料较单一磨料有较大的提升,稀土掺杂、核/壳结构等改进存在较大的研究价值,组分间的复配协同作用对抛光性能的提升有一定作用。最后,基于目前钢抛光液应用中存在的问题以及现有的具有前景的技术,对钢抛光液中磨料的发展进行了展望。  相似文献   

3.
CMP抛光半导体晶片中抛光液的研究   总被引:7,自引:1,他引:6  
本文分析了化学机械抛光(CMP)半导体晶片过程中抛光液的重要作用,总结了抛光液的组成及其化学性能(氧化剂、磨料及pH值等)和物理性能(流速、粘性及温度)对抛光效果的影响规律,研究发现:酸性抛光液常用于抛光金属材料,pH最优值为4,碱性抛光液常用于抛光非金属材料,pH最优值为10~11.5;氧化剂能有效提高金属材料的抛光效率和表面平整度;磨料的种类、浓度及尺寸会影响抛光效果;分散剂有助于保持抛光液的稳定性;抛光初始阶段宜采用较低流速,然后逐渐提高;抛光液的粘性会影响晶片与抛光垫之间的接触模式、抛光液的均布、流动及加工表面的化学反应;抛光液温度的升高有助于提高抛光效率.最后本文指出了抛光液循环使用的重要意义及常用方法.  相似文献   

4.
随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一。由于化学机械抛光过程复杂,抛光后硅片的质量受到多种因素的影响,主要包括抛光设备的技术参数、耗材(抛光垫和抛光液)的性质和硅片自身在抛光时的接触应力状态等。本文介绍了硅片化学机械抛光技术的研究进展,讨论了影响硅片抛光后表面质量和表面材料去除率的因素,如抛光液、抛光垫、抛光压力等,并对目前用于硅片化学机械抛光的先进设备进行了综述。   相似文献   

5.
针对光电子器件、集成电路等应用领域对单晶蓝宝石高质量的表面需求,而单晶蓝宝石自身的硬度和良好的化学稳定性给抛光带来较大的困难。文章在分析、对比直接采用2μm金刚石磨料化学机械抛光蓝宝石基片效果的基础上,提出机械研磨与化学机械抛光相结合的工艺抛光蓝宝石。结果表明,采用10μm的碳化硼磨料机械研磨蓝宝石,材料去除率为8.03μm/h,表面粗糙度Ra由1.18μm迅速降至22.326 nm;采用粒径为2μm和0.5μm的金刚石磨料化学机械抛光蓝宝石晶片,有效的去除机械抛光带来的损伤,最后表面粗糙度Ra可达0.55 nm。此抛光工艺能满足蓝宝石晶体高效、超光滑、低损伤的抛光要求。  相似文献   

6.
以纳米CeO_2为磨料自制抛光液,研究磨料质量分数、pH值、抛光液流量、抛光盘转速、表面活性剂种类和氟化铵质量分数等因素对微晶玻璃化学机械抛光的影响,分析总结CeO_2在微晶玻璃化学机械抛光中的作用机理,利用原子力显微镜(AFM)检测微晶玻璃抛光后的表面粗糙度。结果表明:当CeO_2质量分数为3%、抛光液流量为25mL/min、抛光盘转速为100r/min、pH=8.0、十二烷基硫酸钠质量分数为0.01%,氟化铵质量分数为0.7%时,抛光后微晶玻璃表面粗糙度(Ra)最低为0.72nm,材料去除速率达到180.91nm/min。  相似文献   

7.
单晶蓝宝石衬底晶片的化学机械抛光工艺研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
余青  刘德福  陈涛 《表面技术》2017,46(3):253-261
目的设计单晶蓝宝石衬底化学机械抛光的合理方案,探究主要抛光工艺参数对抛光衬底的表面质量和材料去除率的影响,并得到一组材料去除率高且表面质量满足要求的抛光工艺参数。方法借助原子力显微镜和精密天平分别对衬底表面形貌和材料去除率进行分析,采用单因素实验法探究了抛光粒子、抛光时间、抛光压力和抛光盘转速对蓝宝石衬底化学机械抛光的表面质量和材料去除率的影响,并设计合理的交互正交优化实验寻求一组较优的抛光工艺参数。结果在蓝宝石衬底化学机械精抛过程中,在抛光时间为0.5 h、抛光压力为45.09 k Pa、抛光盘转速为50 r/min、SiO_2抛光液粒子质量分数为15%、抛光液流量为60 m L/min的条件下,蓝宝石衬底材料的去除率达41.89 nm/min,表面粗糙度降低至0.342 nm,衬底表面台阶结构清晰,满足后续外延工序的要求。结论采用化学机械抛光技术和优化的工艺参数,可同时获得较高的材料去除率和高质量的蓝宝石衬底表面。  相似文献   

8.
金刚石化学机械抛光垫修整器的发展方向与前景(上)   总被引:1,自引:0,他引:1  
半导体芯片的生产主要依靠化学机械抛光(CMP)工序使硅片表面平坦化,使复杂的集成电路能非常有效地工作。做为电路设计不可避免地趋向于采用高度集成和多层结构。故化学机械抛光技术必须紧跟其需要与发展。化学机械抛光垫性能的关键是采用金刚石化学机械抛光垫修整器工作时,抛光垫工作寿命期间,必须保持恒定的抛光效果。  相似文献   

9.
柔性显示已成为下一代显示技术的研究热点,不锈钢材料是柔性大尺寸显示器衬底的主要材料之一。为优化不锈钢表面的超光滑无损伤加工,采用化学机械抛光(CMP)技术,通过正交试验,研究磨料粒度尺寸、分散剂、氧化剂、磨料质量、缓蚀剂用量等因素对抛光后材料去除率和表面粗糙度的影响。试验结果表明:磨料粒度尺寸对表面粗糙度的影响最大,其次为双氧水、丙三醇、草酸、磨料质量;影响材料去除率的因素排列是磨料粒度尺寸、磨料含量、丙三醇含量、草酸含量、双氧水含量。  相似文献   

10.
以纳米氧化铝为磨料对A向蓝宝石进行化学机械抛光,实验中考察了磨料浓度、磨料粒径、抛光时间、抛光压力以及NH4F浓度等因素对A向蓝宝石的材料去除速率和表面粗糙度的影响。利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后A向蓝宝石的表面粗糙度,系统分析抛光过程中各影响因素,优化实验条件,结果表明:当抛光液中磨料质量分数为1%、磨料粒度尺寸为50nm、抛光时间为40min、抛光压力为16.39kPa、NH4F质量分数为0.6%、pH=4.0时,抛光后材料去除速率(MRR)为18.2nm/min,表面粗糙度值Ra22.3nm,抛光效果最好。  相似文献   

11.
磁流变抛光技术的研究进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
王嘉琪  肖强 《表面技术》2019,48(10):317-328
磁流变抛光技术具有加工面形精度高、表面粗糙度小、加工过程易于控制、表面损伤小、加工过程中不产生新的损伤等优秀特点,因此多应用于加工要求高的精密和超精密领域,最常应用于光学加工方面。综述了磁流变抛光技术材料去除数学模型的建立进展,论证了该模型的正确性,总结出该基本模型具有通用性,模型能够适用于平面和凸球面等形面加工中,此外,对实现计算机控制抛光过程的准确性具有指导意义。概述了磁流变抛光工艺实验进展,总结磁流变抛光影响抛光效果的主要因素是磁场强度和磁场发生装置,在优化工艺参数组合下能够达到纳米级表面,能够消除亚表面损伤,还能够用以加工各种复杂形面等。就目前磁流变抛光技术的发展新方向作以总结,包括集群磁流变抛光技术、组合磁流变抛光技术以及磁流变-超声复合抛光技术,介绍这几种加工方法的工作原理以及能够达到的实验效果。最后对现阶段磁流变抛光技术中存在的问题做出总结,并针对各个问题提出相对应的思考和展望。  相似文献   

12.
以试验为基础研究了蛇纹石的抛光工艺,并对各种抛光条件对表面光泽度的影响进行了探讨。结果表明,选用合适的抛光剂、抛光时间、预加工光泽度、冷却方式及抛光工具材料,光泽度可达90以上。此抛光工艺简单、经济、高效。  相似文献   

13.
新型抛光垫沟槽及其在化学机械抛光中的作用研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
化学机械抛光过程中,抛光垫性能是影响抛光质量和抛光效率的重要因素之一,而抛光垫的性能又受其表面沟槽结构形状的影响。在介绍几种常见抛光垫沟槽结构形状的特性及其作用研究的基础上,介绍了新型抛光垫沟槽的研究进展,总结了几种新型抛光垫沟槽对抛光效果的影响,为抛光垫沟槽特性的进一步研究提供参考。  相似文献   

14.
电化学机械复合抛光是近年来发展起来的一种抛光新技术。针对粗糙表面的高效抛光问题,提出一种两阶段的电化学机械复合抛光和纯机械抛光相结合的方法。论述了脉冲电化学机械复合抛光加工的实验设备,进行了系统的工艺参数实验研究;用方差分析的方法分析了各参数对加工试件表面粗糙度影响的显著性,得出最佳的工艺参数;详细分析了不同磨头加工时各参数对表面粗糙度的影响规律。实验研究表明,利用脉冲电化学机械复合抛光的加工方法,采用各种类型的阴极工具头,可实现镜面加工。  相似文献   

15.
模具表面抛光技术的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
论述了模具表面抛光的重要性,介绍了几种不同抛光方法及每种抛光方法的特点,并从不同方面对几种加工方法做出了比较。指出今后模具抛光的发展方向及重点。  相似文献   

16.
胡宗林  陆玲  庄维伟 《表面技术》2017,46(5):255-260
目的哈氏合金C-276带材被广泛用作第二代高温超导体YBCO的金属衬底,其表面抛光质量(粗糙度Ra)要求极为严格。为了保证抛光质量就要有效控制电化学抛光液,对抛光液的变化及失效与否进行分析。方法以哈氏合金C-276带材为研究对象,采用非接触式电化学抛光方法,使用扫描电镜、原子力显微镜、金相显微镜、微波等离子体原子发射光谱仪等仪器设备,阐明了抛光液中H_3PO_4和H_2SO_4等主要成分的作用及工艺要求,并测定单位体积抛光液在一定时间内通过电量(Ah/L)后,H_3PO_4、H_2SO_4含量及Ni、Cr、Mo等金属离子浓度。结果当H_3PO_4、H_2SO_4含量分别在775~1013 g/L、318~451 g/L范围内,Ni、Cr、Mo三种金属离子质量浓度分别小于7.3、2.7、3.4 g/L时,C-276带材表面的粗糙度才能满足工艺要求Ra1 nm(5μm×5μm)。结论通过对电化学抛光液中的H_3PO_4、H_2SO_4、添加剂、金属离子浓度等有效控制,采用非接触式电化学抛光,实现了千米级哈氏合金第二代高温超导带材的连续生产,并且表面粗糙度Ra1 nm。  相似文献   

17.
抛光垫特性对硬质合金刀片CMP加工效果的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
毛美姣  吴锋  胡自化 《表面技术》2017,46(12):270-276
目的研究不同种类的抛光垫对硬质合金刀片表面化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing/Planarization,CMP)加工过程的影响,为实现硬质合金刀片高效精密CMP加工提供有效参考。方法利用Nanopoli-100智能抛光机,通过自制的Al2O3抛光液,分别采用9种不同种类的抛光垫对牌号为YG8的硬质合金刀片进行CMP实验,将0~40、40~80、80~120 min三个加工阶段获得的材料去除率和表面粗糙度进行对比,同时观察最佳的表面形貌,分析抛光垫特性对CMP加工效果的影响。结果在抛光转速60 r/min,抛光压力177.8 k Pa的实验条件下,9种不同类型的抛光垫中仅有5种适合用于YG8硬质合金CMP加工。而且抛光垫的表面粗糙度在YG8刀片CMP加工过程中的影响最为显著,抛光垫表面粗糙度越高,CMP加工的材料去除率越高。此外,抛光垫的使用时间对CMP过程也有影响,抛光垫使用时间越长,CMP的材料去除率越小。结论 YG8硬质合金刀片经5种不同类型抛光垫CMP加工后,其表面的烧伤、裂纹等缺陷均得到了极大改善。当使用细帆布加工40 min时,材料去除率最高,为47.105 nm/min;当使用细帆布加工80min时,表面粗糙度最低,为0.039μm。  相似文献   

18.
The technology combined electrochemical mechanical polishing   总被引:1,自引:0,他引:1  
Electrochemical mechanical polishing (ECMP) is a polishing process combining electrochemical and mechanical action. It has higher efficiency and better quality.

Mechanism, processing regulation and application are introduced in the paper.  相似文献   


19.
叶片是航空发动机关键零部件之一,具有复杂的几何形状、极高的几何精度和表面质量要求。其中,叶片进排气边作为影响整机性能的关键区域,其较小的半径尺寸、急剧的曲率变化使得数控自动化抛光难以实现。为此,提出一种采用电镀超硬磨料柔性抛光轮定轨迹抛光的方法。通过优化线速度和预压量等抛光工艺关键参数,建立相应的抛光去除量和表面粗糙度变化曲线。实验结果表明,随着线速度和预压量的增加,进排气边的去除量也随之增加。不同尺寸半径试件(R2 mm,R1.5 mm,R1 mm)表面粗糙度在线速度为12.56 m/s和预压量为0.3 mm时呈现出最低值(Ra1.05μm,Ra 0.86μm,Ra 0.81μm)。通过不同尺寸半径试件抛光参数优化方法研究,为实现叶片进排气边的高精度数控自动化抛光提供了有利支撑。  相似文献   

20.
目的基于磁流变技术研制适用于微孔内壁抛光的装置。方法利用磁流变抛光液的性质,借鉴传统的抛光原理,设计并研制了适用于微孔内壁抛光的抛光装置,并对该装置进行了一系列的性能研究。基于该微孔内壁抛光装置对多孔镍样品及平片硅样品进行了不同条件下的抛光研究,并对抛光结果进行了分析。结果此抛光装置的性能研究结果表明,该装置产生的交变磁场均匀、稳定,符合模拟预期,可用于进一步的样品抛光研究。利用此抛光装置,虽然在多孔镍样品的抛光上没有较为明显的效果,但平片硅样品的粗糙度却由1.24 nm下降至0.56 nm,具有较大改善。在平片硅样品的抛光研究中,进一步发现随着时间的增加,其粗糙度不断下降。结论自行搭建的基于磁流变技术的微孔内壁抛光装置可对平片硅进行抛光。  相似文献   

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